20kW車用鉛酸電池智能管理系統(tǒng).rar
環(huán)境的不斷污染、石油能源的加劇消耗促使純電動(dòng)車成為了各國(guó)各汽車廠商爭(zhēng)相研究的對(duì)象。而閥控免維護(hù)鉛酸蓄電池（VRLA）憑著其低廉的價(jià)格優(yōu)勢(shì)占據(jù)了車用蓄電池的大部分市場(chǎng)份額。本文旨在開發(fā)一套完整的VRLA...
失效技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：122
?? 源代碼：303
?? 失效全部資料 (122個(gè))
設(shè)有合金型溫度保險(xiǎn)絲的壓敏電阻產(chǎn)品說(shuō)明書
金屬氧化物壓敏電阻器（MOV）,簡(jiǎn)稱為壓敏電阻器,它以其優(yōu)越的非線性伏安特性，廣泛用作線路、設(shè)備及元器件的過(guò)電壓保護(hù)和浪涌吸收元件。MOV 雖有卓越的功能和作用，但是它在各種應(yīng)力的作用下,總是會(huì)失效的...
genesis9.0算號(hào)器_算號(hào)器視頻文件
genesis9.0算號(hào)器提供genesis算號(hào)器使用視頻。安裝文件一定要放在小寫英文路徑下，中文不行，有大寫字母的英文也不行。1.算號(hào)器的只是算gnd的號(hào)，要算get的號(hào)，需要參考算號(hào)器的步驟。...
ESD電熱模擬分析
靜電放電（ＥＳＤ）是造成大多數(shù)電子元器件或電路系統(tǒng)破壞的主要因素。因此，電子產(chǎn)品中必須加上ＥＳＤ保護(hù)，提供ＥＳＤ電流泄放路徑。電路模擬可應(yīng)用于設(shè)計(jì)和優(yōu)化新型ＥＳＤ保護(hù)電路，使ＥＳＤ保護(hù)器件的設(shè)計(jì)不再停...
CMOS器件抗靜電措施的研究
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電...
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protec...
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dua...
一種發(fā)動(dòng)機(jī)高溫差環(huán)境下的基準(zhǔn)電壓源電路
根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對(duì)常見(jiàn)的溫度失效問(wèn)題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，具有適應(yīng)低電...
開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從...
DCDC模塊輸入端電壓反加后的影響分析
在航天等空間產(chǎn)品中使用的分布式供電系統(tǒng)中，總體電路一般只提供27~30 V的直流一次電源，各單機(jī)產(chǎn)品大多采用DC/DC模塊將該一次電源轉(zhuǎn)換為所需的二次電源，并實(shí)現(xiàn)一次地與二次地的隔離。分析了INTER...