移植tinxyXML庫到TI C6000 DSP平臺上。需要CCS3.3以上環境編譯。
上傳時間： 2016-10-04
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在TI TMS3205509平臺上用C語言實現高斯隨機變量
上傳時間： 2014-01-07
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隨著GPS(Global Positioning System)技術的不斷發展和成熟，其全球性、全天候、低成本等特點使得GPS接收機的用戶數量大幅度增加，應用領域越來越廣。但由于定位過程中各種誤差源的存在，單機定位精度受到影響。目前常從兩個方面考慮減小誤差提高精度：①用高精度相位天線、差分技術等通過提高硬件成本獲取高精度；②針對誤差源用濾波算法從軟件方面實現精度提高。兩種方法中，后者相對于前者在滿足精度要求的前提下節約成本，而且便于系統融合，是應用于GPS定位的系統中更有前景的方法。但由于在系統中實現定位濾波算法需要時間，傳統CPU往往不能滿足實時性的要求，而FPGA以其快速并行計算越來越受到青睞。 本文在FPGA平臺上，根據“先時序后電路”的設計思想，由同步沒計方法以及自頂向下和自下而上的混合設計方法實現系統的總體設計。從GPS-OEM板輸出的定位信息的接收到定位結果的坐標變換，最終到kalman濾波遞推計算減小定位誤差，實現實時、快速、高精度的GPS定位信息采集處理系統，為GPS定位數據的處理方法做了新的嘗試，為基于FPGA的GPS嵌入式系統的開發奠定了基礎。具體工作如下： 基于FPGA設計了GPS定位數據的正確接收和顯示，以及經緯度到平面坐標的投影變換。根掘GPS輸出信息標準和格式，通過串口接收模塊實現串口數掘的接收和經緯度信息提取，并通過LCD實時顯示。在提取信息的同時將數據格式由ASCⅡ碼轉變為十進制整數型，實現利用移位和加法運算達到代替乘法運算的效果，從而減少資源的利用率。在坐標轉換過程中，利用查找表的方法查找轉化時需要的各個參數值，并將該參數先轉為雙精度浮點小數，再進行坐標轉換。根據高斯轉化公式的規律將公式簡化成只涉及加法和乘法運算，以此簡化公式運算量，達到節省資源的目的。 卡爾曼濾波器的實現。首先分析了影響定位精度的各種誤差因素，將各種誤差因素視為一階馬爾科夫過程的總誤差，建立了系統狀態方程、觀測方程和濾波方程，并基于分散濾波的思想進行卡爾曼濾波設計，并通過Matlab進行仿真。結果表明，本文設計的卡爾曼濾波器收斂性好，定位精度高、估計誤差小。在仿真基礎上，實現基于FPGA的卡爾曼濾波計算。在滿足實時性的基礎上，通過IP核、模塊的分時復用和樹狀結構節省資源，實現數據卡爾曼濾波，達到提高數據精度的效果。 設計中以Xilinx公司的Virtex-5系列的XC5VLX110-FF676為硬件平臺，采用Verilog HDL硬件描述語言實現，利用Xilinx公司的ISE10.1工具布局布線，一共使用44438個邏輯資源，時鐘頻率達到100MHZ以上，滿足實時性信號處理要求，在保證精度的前提下達到資源最優。Modelsim仿真驗證了該設計的正確性。
上傳時間： 2013-04-24
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ADS8364是美國德州儀器公司(TI)的一款六通道、16位并行輸出、同步采樣的模數轉換器。該芯片提供了一個靈活的高速并行接口，可以直接與數字信號處理器TMS320F2812相連。本文主要介紹了這個接口的軟、硬件設計，著重論述了這兩款芯片是如何配置啟動和工作的。本設計廣泛應用于電機控制、多軸定位系統、三相功率轉換、多通道數據采集等場合。
上傳時間： 2017-08-03
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德州儀器公司(TI)邏輯產品選擇指南 9冊
上傳時間： 2013-07-12
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《海上畫夢錄—一位外國畫家筆下的舊上?！穂奧地利.希夫畫×卡明斯基文×錢定平譯][遼寧教育版.1998][PDF]
上傳時間： 2013-07-16
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PID控制技術在壓電陶瓷精密定位過程的應用
上傳時間： 2013-04-15
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《基于TI DSP的通用算法實現》程序代碼
上傳時間： 2013-06-14
上傳用戶：eeworm
電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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專輯類-器件數據手冊專輯-120冊-2.15G 德州儀器公司-TI-邏輯產品選擇指南-9冊-43.8M.zip
上傳時間： 2013-04-24
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