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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

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  • 基于相位偏移的主動移頻式孤島檢測方法

    針對傳統(tǒng)過壓/欠壓、過頻/欠頻、相位突變、主動頻率偏移孤島檢測方法的不足,提出了一種改進(jìn)方法。將相位偏移量作為輔助量加入主動移頻孤島檢測方法中,使檢測容性負(fù)載的孤島現(xiàn)象具有與感性負(fù)載同樣的快速性,并能有效降低主動頻率偏移法對電網(wǎng)電能的影響。該方法實現(xiàn)簡單,檢測快速,仿真結(jié)果驗證了其快速性和有效性。

    標(biāo)簽: 相位 偏移 孤島檢測 移頻

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:edisonfather

  • 阻容降壓電路設(shè)計要點

    電容降壓的工作原理并不復(fù)雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。例如,在50Hz的工頻條件下,一個1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過電容的最大電流約為70mA。

    標(biāo)簽: 阻容降壓 電路設(shè)計

    上傳時間: 2014-01-01

    上傳用戶:zhangzhenyu

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標(biāo)簽: 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:firstbyte

  • 基于MSP430單片機(jī)的開關(guān)電源設(shè)計

    開關(guān)電源因其具有體積小、高效節(jié)能等優(yōu)點而逐漸取代線性電源,成為穩(wěn)壓電源的發(fā)展方向。文中介紹了現(xiàn)有的直流開關(guān)電源的工作原理,分析了其不足之處,提出了新型的電壓可調(diào)的開關(guān)電源的軟硬件實現(xiàn)方式。在不改變電源轉(zhuǎn)換電路反饋的動態(tài)性能的前提下,實現(xiàn)了對輸出電壓的可調(diào)。該電源還具有對輸出的過流保護(hù)、較低的因電源溫漂、時漂、元器件參數(shù)容差而造成的輸出誤差、較低成本、較高的輸出分辨力等優(yōu)點。

    標(biāo)簽: MSP 430 單片機(jī) 開關(guān)電源設(shè)計

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:梧桐

  • 阻容降壓式電源

    阻容降壓式電源:將交流市電轉(zhuǎn)換為低壓直流的常規(guī)方法是采用變壓器降壓后再整流濾波,當(dāng)受體積和成本等因素的限制時,最簡單實用的方法就是采用電容降壓式電源。與變壓器降壓相比,電容降壓(也可理解成電容限流)的電源體積小、經(jīng)濟(jì)、可靠、效率高,缺點是不如變壓器降壓的電源安全。通過電容器把交流電引入負(fù)載中,對地有220V電壓,人易觸電,但若用在不需人體接觸的電路內(nèi)部電路電源中,本缺點也可克服。如冰箱電子溫控器或遙控電源的開/關(guān)等電源都是用電容器降壓而制成的。  

    標(biāo)簽: 阻容 降壓式電源

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:wxqman

  • Boost變換器的能量傳輸模式及輸出紋波電壓分析

    由于Boost變換器的電感位于電路的輸入端,通過控制電感電流就可方便地對輸入電流實施控制,因此在開關(guān)電源中,常被用作功率因數(shù)校正(H1C)的前級[1。4】。Boost變換器在低電壓、便攜式的電子產(chǎn)品領(lǐng)域也應(yīng)用廣泛【5。6J。此外,由于其功率開關(guān)管一端與電源共地,其驅(qū)動電路設(shè)計更容易,因此眾多的研究人員一直在不懈地探索Boost變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改善措施[7-10]和提高其性能的控制方法[11-12

    標(biāo)簽: Boost 變換器 能量傳輸

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:hustfanenze

  • 并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱逆變器控制方法的設(shè)計

    對并聯(lián)諧振逆變器的工作原理(即換流過程) 進(jìn)行了分析,詳細(xì)地分析并聯(lián)逆變器各種情況下的工作狀態(tài);通過分析得出逆變器的最佳工作狀態(tài),即容性工作狀態(tài)。對鎖相環(huán)的結(jié)構(gòu)做了簡要分析,并給出其相位模型;在此基礎(chǔ)上以CD4046為例介紹鎖相環(huán)(PLL) 電路參數(shù)的計算方法。設(shè)計了一種他激重復(fù)掃頻轉(zhuǎn)自激的逆變器啟動電路,大大提高了逆變器啟動的成功率。

    標(biāo)簽: 并聯(lián)諧振 感應(yīng)加熱 逆變器 控制方法

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:busterman

  • 高精度、寬容限電源電壓檢測電路的設(shè)計

    摘要:本文詳細(xì)介紹了電源電壓檢測電路從電路要求到電路設(shè)計,從電路仿真驗證到版圖設(shè)計的整個模擬電路設(shè)計流程。著重討論了如何降低電源電壓、溫度及工藝等變化對電路精度的影響,使設(shè)計的電源電壓檢測電路具有精度高,電壓、工藝、溫度容限寬的特點。

    標(biāo)簽: 高精度 電源電壓 檢測電路

    上傳時間: 2014-01-10

    上傳用戶:moshushi0009

  • 基于PIC16LF874單片機(jī)的電容測量模塊

    為提高電容測量精度,針對電容式傳感器的工作原理設(shè)計了基于PIC16LF874單片機(jī)電容測量模塊。簡單闡述了電容測量電路的應(yīng)用背景和國內(nèi)外研究現(xiàn)狀,介紹了美國Microchip公司PIC16LF874單片機(jī)的特性。電容式傳感器輸出的動態(tài)微弱電容信號通過PS021型電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器把模擬量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字量數(shù)據(jù),所測數(shù)據(jù)由PIC16LF874單片機(jī)應(yīng)用程序進(jìn)行處理、顯示和保存。實驗結(jié)果表明,固定電容標(biāo)稱值為10~20 pF 的測量值相對誤差在1%以內(nèi),同時也可知被測電容容值越大,測量值和標(biāo)稱值相對誤差越小。 Abstract:  To improve the accuracy of capacitance measurement,aimed at the principle of work of mercury capacitance acceleration transducer,the design of micro capacitance measurement circuit is based on the key PIC16LF874 chip. Briefly discusses the application of the capacitance measuring circuit for the background and status of foreign researchers,focusing on the United States PIC16LF874 microcontroller features. Capacitive sensor outputed signal through the dynamics of weak PS021-chip capacitors (capacitancedigital converter) to convert analog data into digital data,the measured data from the PIC16LF874 microcontroller application process, display and preservation. Experimental results show that the fixed capacitor 10pF ~ 20pF nominal value of the measured value of relative error is within 1%,but also it canbe seen the value of the measured capacitance larger,measuring value and the nominal value of relative error smaller.

    標(biāo)簽: PIC 874 16 LF

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:wojiaohs

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