結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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峰值電流模式的單片式DCDC變換器設計
標簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器
上傳時間： 2014-12-24
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五種PWM反饋控制模式研究
標簽： PWM 反饋控制 模式
上傳時間： 2013-10-14
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結構電流模式與電壓模式的比較 中文
標簽： 電流模式 電壓模式 比較
上傳時間： 2013-11-16
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全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析
標簽： DCDC 全橋 變換器 分
上傳時間： 2013-11-18
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鉦銘科SM8015是一個離線式中大功率電流模式PWM控制芯片，應用于AC/DC反激式開關電源系統。采用多模式自動切換控制方式，滿足系統的低待機功耗（<0.3W,265V AC），高轉換效率的要求。內部集成過流保護、過載保護、過溫保護、VDD過壓保護等完善的保護功能以提高系統可靠性。封裝形式：DIP8、SOP8
標簽： 8015 PWM SM 大功率
上傳時間： 2013-10-27
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鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片，直接驅動外部高壓MOS管。采用自適應多模式工作方式，根據負載情況，自動切換到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，滿足系統的低待機功耗（<0.3W,265V AC），高轉換效率的要求。內部集成多種保護功能，如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式：DIP8、SOP8、SOT23-6
標簽： 8013C 8013 PWM SM
上傳時間： 2013-12-08
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目前開關電源市場上單端反激式的開關電源占有很大的份額，控制環路的設計是反激電源中關鍵的步驟之一。主要對基于L6561臨界（TM）模式下高功率因數（PF）單端反激式開關電源的控制環路設計進行了論述，文中通過對環路中各級的傳遞函數進行了定性分析和定量計算，進而給出了環路的補償電路。通過選擇合適的相位裕量來保證系統的穩定性，并通過圖解法驗證了該環路可以使系統具有較好的穩定性。
標簽： 反激臨界模式 開關電源 環路設計
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介紹了有源功率因數校正器（7*4）的拓撲結構和幾種工作模式，分析了電流斷續臨界模式（3456 ）控制的7*4 電路的工作原理，并給出了#-)8 7*4 電路參數的選取方法、實驗波形和結果。實驗結果表明此類7*4 具有高效率、高功率因數及低成本等優點。
標簽： DCBM 160 模式 功率因數
上傳時間： 2013-10-23
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LED燈帶紅綠藍白漸亮漸滅（低速模式1024點）
標簽： 1024 LED 低速 模式
上傳時間： 2013-10-30
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