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30頁PPT，讓你輕松了解阻抗匹配及其特性！
標簽： 阻抗匹配
上傳時間： 2013-07-31
上傳用戶：anng
·詳細說明： 基于SIFT快速匹配算法，對障礙物進行檢測，提取障礙物，雙目測距等。能指出指定范圍內的障礙物。
上傳時間： 2013-07-20
上傳用戶：gongxinshiwo@163.com
Allegro 里面如何在端接匹配的情況下調等長線
上傳時間： 2013-09-06
上傳用戶：gdgzhym
為了減小匹配傅里葉變換分析的計算量，提出了一種基于快速傅里葉變換的快速算法。根據匹配傅里葉變換的分解將積分形式轉化為離散形式，推導出快速算法表達式。該算法與直接的數值離散匹配傅里葉變換算法相比較，計算量大大減少。同時給出了其在雷達信號處理中線性調頻信號的檢測與參數估計的應用。理論及計算機仿真結果表明了該算法的有效性和精確性，有良好的工程應用前景。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：chongchong1234
文中建立不同類型目標的模型匹配數據庫；采用最小周長多邊形構造目標主體輪廓的近似多邊形，以簡化目標主體輪廓減少算法處理的數據量；提取具有仿射不變性的多邊形頂點個數、最長線段兩側頂點個數、同底三角形面積比向量特征不變量對待識別目標進行描述，應用3個特征量在模型匹配數據庫中逐一進行分層遍歷搜索匹配。實驗表明，基于模型匹配的目標識別算法能夠快速的識別目標，提高了目標識別的實時性，同時能夠判定目標所處的姿態狀況。
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：q3290766
SIFT算法具有旋轉、平移、尺度縮放和亮度的變化保持不變性的優點，也有算法復雜、計算時間長的缺點。本文提出了以街區距離代替歐式距離的新方法，來提高SIFT特征匹配效率，縮短匹配時間，提高SIFT算法的實時性。實驗結果表明，該方法在保持圖像匹配率和算法魯棒性的同時，可以減少運算時間。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：zhangzhenyu
基于圖形處理器單元（GPU）提出了一種幀間差分與模板匹配相結合的運動目標檢測算法。在CUDA-SIFT（基于統一計算設備架構的尺度不變特征變換）算法提取圖像匹配特征點的基礎上，優化隨機采樣一致性算法（RANSAC）剔除圖像中由于目標運動部分產生的誤匹配點，運用背景補償的方法將靜態背景下的幀間差分目標檢測算法應用于動態情況，實現了動態背景下的運動目標檢測，通過提取目標特征與后續多幀圖像進行特征匹配的方法最終實現自動目標檢測。實驗表明該方法對運動目標較小、有噪聲、有部分遮擋的圖像序列具有良好的目標檢測效果。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：ifree2016
Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志，出現未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)?，F在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發現更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數據單沿采樣，數據翻轉最高頻率為66.7M，對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求，而其他的56位都是一對一，經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求，但有一點需注意，就是寫數據時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調試過程中發現寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：dudu121
阻抗匹配 阻抗匹配（Impedance matching）是微波電子學里的一部分，主要用于傳輸線上，來達至所有高頻的微波信號皆能傳至負載點的目的，不會有信號反射回來源點，從而提升能源效益。 大體上，阻抗匹配有兩種，一種是透過改變阻抗力（lumped-circuit matching），另一種則是調整傳輸線的波長（transmission line matching）。 要匹配一組線路，首先把負載點的阻抗值，除以傳輸線的特性阻抗值來歸一化，然后把數值劃在史密夫圖表上。 把電容或電感與負載串聯起來，即可增加或減少負載的阻抗值，在圖表上的點會沿著代表實數電阻的圓圈走動。如果把電容或電感接地，首先圖表上的點會以圖中心旋轉180度，然后才沿電阻圈走動，再沿中心旋轉180度。重覆以上方法直至電阻值變成1，即可直接把阻抗力變為零完成匹配?！ ∮韶撦d點至來源點加長傳輸線，在圖表上的圓點會沿著圖中心以逆時針方向走動，直至走到電阻值為1的圓圈上，即可加電容或電感把阻抗力調整為零，完成匹配.........
標簽： 阻抗匹配
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：ddddddos
傳輸線理論與阻抗匹配 傳輸線理論
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：wuyuying
