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射頻調(diào)制

  • 射頻電路PCB設(shè)計(jì)

    射頻電路PCB設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時(shí)間: 2014-01-13

    上傳用戶:a1054751988

  • 熱轉(zhuǎn)印PCB制板過程實(shí)錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的

    知識_熱轉(zhuǎn)印PCB制板過程實(shí)錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的

    標(biāo)簽: PCB 熱轉(zhuǎn)印 過程

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:zhangjinzj

  • 射頻電路PCB設(shè)計(jì)中注意問題

      PCB 設(shè)計(jì)對于電路設(shè)計(jì)而言越來越重要。但不少設(shè)計(jì)者往往只注重原理設(shè)計(jì),而對PCB 板的設(shè)計(jì)布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計(jì)中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計(jì)中需要注意的一些問題。

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-24

    上傳用戶:jiangxiansheng

  • protel 99se進(jìn)行射頻電路PCB設(shè)計(jì)的流程

    介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮電磁兼容性,因而重點(diǎn)討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標(biāo)簽: protel PCB 99 se

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:竺羽翎2222

  • 被動組件之電感設(shè)計(jì)與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用,例如行動電話、無線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無線網(wǎng)絡(luò)等,高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善,則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系,而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù),而近年來,由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛,加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小,電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路(RFIC)運(yùn)用硅材質(zhì),微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵(GaAs)技術(shù);此外,在低成本的無線通訊射頻應(yīng)用上,如混合(Hybrid)集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊(MCMs)結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程,以及低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù),制作印刷式平面電感等,以提升組件的質(zhì)量與效能,并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專有名詞,以及以常見的電感結(jié)構(gòu),并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型,最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例,說明電感參數(shù)的萃取。

    標(biāo)簽: 被動組件 電感 設(shè)計(jì)與分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:yuanxiaoqiang

  • 高頻變壓器繞制方法

    高頻變壓器繞制方法

    標(biāo)簽: 高頻變壓器 繞制方法

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:xhz1993

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計(jì)

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:woshiayin

  • 怎樣繞制高頻變壓器

    怎樣繞制高頻變壓器

    標(biāo)簽: 高頻變壓器

    上傳時(shí)間: 2013-12-25

    上傳用戶:我干你啊

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 關(guān)于輸出變壓器的繞制

    變壓器的繞制

    標(biāo)簽: 輸出變壓器

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

    上傳用戶:dbs012280

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