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對象存儲

基于閃存的大容量存儲陣列

文中研究并實現了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態存儲系統,成果為實際研制應用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎,具體較好的指導和借鑒意義。

標簽： 閃存大容量存儲陣列

上傳時間： 2014-10-15

上傳用戶：guanliya
基于SRAM的微控制器提供更優的安全性

無論是自動應答機、護照/身份驗證設備，或者是便利店內的銷售點終端，都有一些重要信息，例如口令、個人身份識別號(PIN)、密鑰和專有加密算法等，需要特別保護以防失竊。金融服務領域采用了各種精細的策略和程序來保護硬件和軟件。因此，對于金融交易系統的設計者來講，在他設計一個每年要處理數十億美元業務的設備時，必將面臨嚴峻挑戰。為確保可信度，一個支付系統必須具有端到端的安全性。中央銀行的服務器通常放置在一個嚴格限制進入的建筑物內，周圍具有嚴密的保護，但是遠端的支付終端位于公共場所，很容易遭受竊賊侵襲。盡管也可以將微控制器用保護外殼封閉起來，并附以防盜系統，一個有預謀的攻擊者仍然可以切斷電源后突破防盜系統。外殼可以被打開，如果將外殼與微控制器的入侵響應加密邊界相聯結，對于安全信息來講就增加了一道保護屏障。為了實現真正的安全性，支付系統應該將入侵響應技術建立在芯片內部，并使用可以信賴的運算內核。這樣，執行運算的芯片在發生入侵事件時就可以迅速刪除密鑰、程序和數據存儲器，實現對加密邊界的保護1。安全微控制器最有效的防護措施就是，在發現入侵時迅速擦除存儲器內容。DS5250安全型高速微控制器就是一個很好的典范，它不僅可以擦除存儲器內容，而且還是一個帶有SRAM程序和數據存儲器的廉價的嵌入式系統。物理存儲器的信心保證多數嵌入式系統采用的是通用計算機，而這些計算機在設計時考慮更多的是靈活性和調試的便利性。這些優點常常又會因引入安全缺口而成為其缺陷2。竊賊的首個攻擊點通常是微控制器的物理存儲器，因此，對于支付終端來講，采用最好的存儲技術尤其顯得重要。利用唾手可得的邏輯分析儀，例如Hewlett-Packard的HP16500B，很容易監視到地址和數據總線上的電信號，它可能會暴露存儲器的內容和私有數據，例如密鑰。防止這種竊聽手段最重要的兩個對策是，在存儲器總線上采用強有力的加密措施，以及選擇在沒有電源時也能迅速擦除的存儲技術。有些嵌入式系統試圖采用帶內部浮置柵存儲器(例如EPROM或閃存)的微控制器來獲得安全性。最佳的存儲技術應該能夠擦除其內容，防止泄密。但紫外可擦除的EPROM不能用電子手段去擦除，需要在紫外燈光下照射數分鐘才可擦除其內容，這就增加了它的脆弱性。閃存或EEPROM要求處理器保持工作，并且電源電壓在規定的工作范圍之內，方可成功完成擦除。浮置柵存儲技術對于安全性應用來講是很壞的選擇，當電源移走后，它們的狀態會無限期地保持，給竊賊以無限長的時間來找尋敏感數據。更好的辦法是采用象SRAM這樣的存儲技術，當電源被移走或入侵監測電路被觸發時以下述動作之一響應：• 當電源被移走后存儲器復零。• 入侵監測電路在數納秒內擦除內部存儲器和密鑰。• 外部存儲器在應用軟件的控制下以不足100ns的寫時間進行擦除。

標簽： SRAM 微控制器安全性

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：dick_sh
STM32F10xxx閃存編程參考手冊

STM32F10xxx閃存編程參考手冊

標簽： STM 32F F10 xxx

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：zhaoke2005
嵌入式系統中基于閃存平臺的存儲管理策略

開發了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統。為保證閃存扇區的平均使用率和均衡擦寫次數，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設計、快速計算和跟蹤策略還可以延長核心扇區使用壽命，保證系統啟動可靠的服務。

標簽： 嵌入式系統存儲管理閃存策略

上傳時間： 2014-12-30

上傳用戶：lingzhichao
PCB阻抗匹配計算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計算工具，點擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法，連板的排法和PCB聯板的設計驗驗。 PCB設計的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.

標簽： PCB 阻抗匹配計算工具教程

上傳時間： 2014-12-31

上傳用戶：sunshine1402
PCB阻抗匹配計算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計算工具，點擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法，連板的排法和PCB聯板的設計驗驗。 PCB設計的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.

標簽： PCB 阻抗匹配計算工具教程

上傳時間： 2013-10-15

上傳用戶：3294322651
PCB抄板密技

第一步，拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元氣件的型號，參數，以及位置，尤其是二極管，三機管的方向，IC缺口的方向。最好用數碼相機拍兩張元氣件位置的照片。第二步，拆掉所有器件，并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內，啟動POHTOSHOP，用彩色方式將絲印面掃入，并打印出來備用。第三步，用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨，打磨到銅膜發亮，放入掃描儀，啟動PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB在掃描儀內擺放一定要橫平樹直，否則掃描的圖象就無法使用。第四步，調整畫布的對比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強烈，然后將次圖轉為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，將兩個BMP格式的文件分別轉為PROTEL格式文件，在PROTEL中調入兩層，如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個步驟做的很好，如果有偏差，則重復第三步。第六，將TOP。BMP轉化為TOP。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。第七步，將BOT。BMP轉化為BOT。PCB，注意要轉化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步，在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調入，合為一個圖就OK了。第九步，用激光打印機將TOP LAYER， BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯，你就大功告成了。

標簽： PCB 抄板

上傳時間： 2013-11-24

上傳用戶：ynzfm
新型串行閃存滿足大容量存儲應用需求

128Mb以上的串行閃存被認為是電子產品滿足市場需求、增加更多功能的一個主要障礙，針對需要128Mb以上串行閃存的應用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個簡單的獨一無二的擴容解決方案。這個解決方案可以把存儲容量輕松地擴大到4G或更大，完全兼容現有的串行外設接口(SPI)協議，無需重新設計主芯片的硬件。該解決方案優于市場上現有的要求創建一個新的32位尋址模式的解決方案，因為創建新的尋址模式可能強迫設計人員修改軟硬件。

標簽： 串行閃存大容量存儲

上傳時間： 2013-12-20

上傳用戶：569342831
NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

標簽： flash NAND NOR

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：haojiajt
象win95開始菜單一樣的地址菜單

象win95開始菜單一樣的地址菜單

標簽： win 菜單 95 地址

上傳時間： 2015-01-04

上傳用戶：hwl453472107