使用片式磁珠和片式電感的原因：是使用片式磁珠還是片式電感主;要還在于應用。在諧振電路中需要使用片式電感。而需要消除不需要的EMI噪聲時，使用片式磁珠是最佳的選擇。 磁珠是用來吸收超高頻信號，象-一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲器電路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在電源輸入部分加磁珠。而電感是一種蓄能元件，用在LC振蕩電路，中低頻的濾波電路等，其應用頻率范圍很少超過錯50MHZ。 磁珠專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。磁珠的功能主要是消除存在于傳輸線結構（PCB電路）中的RF噪聲，RF能量是疊加在直流傳輸電平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信號，而射頻RF能量卻是無用的電磁干擾沿著線路傳輸和輻射（EMI）。要消除這些不需要的信號能量，使用片式磁珠扮演高頻電阻的角色（衰減器），該器件允許直流信號通過，而濾除交流信號。通常高頻信號為30MHz以上，然而，低頻信號也會受到片式磁珠的影響
標簽： pcb
上傳時間： 2021-11-06
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電視干擾與抑制方法
標簽： 電視干擾
上傳時間： 2022-01-23
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本書包括電路中噪聲抑制技術實踐應用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地；介紹了其他一些噪聲抑制技術:如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點保護、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內容;同時還介紹了數字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設備或系統設計的工程師使用，也可作為實用噪聲抑制技術的教材。此書網上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀
上傳時間： 2022-02-16
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從3G-5G小區間干擾抑制技術綜述一、概述： 干擾,泛指一切進入信道或通信系統對合法信號的正常工作造成了影響非期 望信號。移動通信系統的干擾是影響無線網絡掉話率、接通率等系統指標的重要 因素之一。它嚴重影響了網絡的正常運行和用戶的通話質量。 1.1、干擾的分類： （1）、從頻段上可分為上行干擾與下行干擾。上行干擾定義為干擾信號在移 動網絡上行段,基站受外界射頻干擾源干擾。上行干擾的后果是造成基站覆蓋率 的降低。物理上看,在無上行干擾的情況下,基站能夠接收較遠處手機信號。當上 行干擾出現時,期望的手機信號需強于干擾信號,基站才能與手機聯絡,因此手機 必須離基站更近,因此造成了基站覆蓋率的降低。下行干擾是指干擾源所發干擾 信號在移動網絡下行頻段,手機接收到干擾信號,無法區分正常基站信號,使手機 與基站聯絡中斷,造成掉話或無法登記。由于基站下行信號通常較強,對 GSM 來說, 當某一下行頻點被干擾時,手機能夠選擇次強頻點,與其他基站聯絡。而 CDMA 本 身即自擾系統,因此上行干擾的危害比下行干擾更嚴重。
上傳時間： 2022-02-25
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設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-02
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本文檔是村田噪聲抑制基礎教程電子書歡迎免費下載
標簽： 噪聲抑制
上傳時間： 2022-05-12
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IGBT關斷電壓尖峰是其中的主要問題，解決它的最有效方法是采用疊層母線連接器件。針對二極管籍位型三電平拓撲兩個基本強追換流回路，本文用ANSOFT Q3D軟件比較研究了三類適用于多層母線排的疊層方案，并提出了一種新穎的疊層母線分組連接結構，結合特殊設計的吸收電容布局，減小了各IGBT模塊的關斷過沖，省去阻容吸收電路，并優化了高頻電流在不同電容間的分布，抑制電解電容發熱。通過理論計算與仿真兩種方式計算該設計方案的雜散電感，并用實驗加以證實。本文還設計了大面積一體化水冷散熱器，表面可以貼裝15個功率器件和若干傳感器和平衡電阻，采用水冷方式以迅速帶走滿載運行時開關器件的損耗發熱，并能達到結構緊湊和防爆的效果。在散熱器內部設計了細槽水道結構以避開100多個定位螺孔，同時可以獲得更大的熱交換面積。本文分析了SCALE驅動芯片的兩類器件級短路保護原理，并設計了針對兩類保護動作的閾值測試實驗，以確保每個器件在安全范圍內工作；設計了系統控制和三類系統級保護電路：驅動板和控制板的布局布線經過合理安排能在較強的電磁干擾下正常工作。論文最后，在電抗器、電阻器、異步感應電機等不同類型、各功率等級負載下，對變流模塊進行了測試，并解決了直流中點電壓平衡問題。各實驗證實了設計理論并體現了良好的應用效果。
上傳時間： 2022-06-22
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由于來自電路的EMI噪聲發射、傳導和輻射的過程十分復雜，因此抑制這種EM噪聲非常困難。為了提高靜噪效率，必須全面考察采取靜噪措施的位置和方法。在本手冊的前半部分，我們將通過引用實驗數據闡述電路發射EMI噪聲的原理以及EM噪聲通過電路傳導和輻射的原理。同時，我們還將闡述抑制EMI噪聲的方法。在本手冊的后半部分，將講述使用EM靜噪濾波器采取靜噪措施的注意事項，并給出EM靜噪濾波器在典型電路中的應用示例。我們衷心希望您在考慮靜噪措施時參考本手冊。由于發生EMI噪聲問題的電路中使用很多IC，使得EMI噪聲發射過程變得非常復雜。為了能夠將EMI噪聲現象說明得簡單清楚，本章將通過使用2、3個C的實驗電路示例來描述電路發射EM噪聲的過程。
上傳時間： 2022-07-06
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開關電源中電磁干擾的抑制
上傳時間： 2022-07-20
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該文檔為電源紋波抑制器的原理與設計總結文檔如何 降低 ＡＣ．ＤＣ 和 ＤＣ—ＤＣ 變換器輸 出電壓 中的紋波和噪聲 ，是所有設計和使用該類 電源者較 為 關注的 問題之一 介 紹 了一種綜合運 用有 源濾波和無 源濾波設計 電源紋波抑制 器的原 理和方法 。詳 細敘述 了有 源低通 濾波的設計原理 、計算方法和采 用計 算機 仿真優化軟件設 計無源低通濾 波器的元件 參數的思路與方 法。設 計制作 出的電源紋 波抑 制器具有體積 小、重量輕等特點 ，可 以從較 低的頻率開始對 電源中的紋波和噪聲進行 有 效的抑 制 ，從 而使得 電源變換 器輸 出電壓 中的紋波滿足許 多要求較 高的應 用場合 。
上傳時間： 2022-07-26
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