在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間: 2020-06-05
上傳用戶:shancjb
設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng),所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo),電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來(lái)幫忙分析這些複雜的效應(yīng),才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì), 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來(lái)越多,使用上很複雜,必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí),否則無(wú)法全盤了解儀器之功能,因而無(wú)法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。 其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應(yīng),抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù),必須充分 了解研究學(xué)習(xí),進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標(biāo)簽: 高速電路
上傳時(shí)間: 2021-11-02
上傳用戶:jiabin
網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕
標(biāo)簽: 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間: 2013-04-15
上傳用戶:eeworm
專輯類-網(wǎng)絡(luò)及電腦相關(guān)專輯-114冊(cè)-4.31G 網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕.pdf
標(biāo)簽: 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間: 2013-07-25
上傳用戶:小寶愛(ài)考拉
隨著現(xiàn)代電力系統(tǒng)向大容量、高電壓方向發(fā)展,廣泛用于大型發(fā)電機(jī)組測(cè)量和保護(hù)用的大電流互感器的研制就變得很緊迫。考慮到大電流互感器具有大電流、強(qiáng)電磁干擾和多相運(yùn)行等特點(diǎn),在設(shè)計(jì)大電流互感器時(shí),必須采取有效的屏蔽措施,屏蔽來(lái)自鄰相的雜散磁通。傳統(tǒng)的屏蔽方案是采用金屬屏蔽罩,盡管有效,但設(shè)備笨重。本文中,作者對(duì)有外層屏蔽繞組的大電流互感器進(jìn)行了各種研究。 大電流互感器采用繞組屏蔽方式后,如何優(yōu)化設(shè)計(jì)屏蔽繞組,使屏蔽繞組能夠充分有效地屏蔽雜散磁通對(duì)環(huán)形鐵心的影響呢?針對(duì)上述的問(wèn)題,本文作者主要完成如下幾個(gè)方面的工作: 1、首先對(duì)國(guó)內(nèi)外大電流互感器的發(fā)展與研究現(xiàn)狀進(jìn)行了敘述,并成功設(shè)計(jì)了15000/5A大電流互感器。 2、對(duì)精典的電磁場(chǎng)理論和場(chǎng)路耦合法的數(shù)學(xué)理論進(jìn)行了深入的研究,建立了大電流互感器的三維場(chǎng)路耦合有限元分析的數(shù)學(xué)模型和仿真模型。應(yīng)用有限元軟件ANSYS建立三維有限元仿真模型和基于場(chǎng)路耦合原理的外部耦合電路。 3、理論分析了雜散磁通對(duì)電流互感器鐵心的影響;重點(diǎn)分析了繞組屏蔽雜散磁通理論;通過(guò)等值電流法,得到無(wú)論三相還是多相電流互感器條件下,中間相的電流互感器所受到的雜散磁通是最為嚴(yán)重的,為大電流互感器的有效保護(hù)提供了科學(xué)依據(jù)。 4、為了得到最優(yōu)化屏蔽繞組,對(duì)屏蔽繞組的匝數(shù)采用離散化替代連續(xù)性,再考慮屏蔽繞組在環(huán)形鐵心上的位置,共提出了多種優(yōu)化方案;根據(jù)三維場(chǎng)路耦合有限元分析模型,精確計(jì)算出屏蔽繞組中的電流、電流分布、環(huán)形鐵心中的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布和外層繞組的局部最高溫升,通過(guò)比較多種計(jì)算結(jié)果,得到大電流互感器屏蔽繞組的最優(yōu)化方案。 5、最后建立了大電流互感器的等效磁勢(shì)法和降流回路法兩種試驗(yàn)方案模型,通過(guò)比較試驗(yàn)方案仿真計(jì)算結(jié)果和出廠試驗(yàn)結(jié)果,證明了仿真計(jì)算結(jié)果是正確的,可靠的。 通過(guò)對(duì)屏蔽繞組進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)后,有效地削弱了雜散磁通,使得大電流互感器輕型化、小型化,節(jié)約了大量的銅材料,使得其運(yùn)輸更加方便。
標(biāo)簽: 大電流 互感器 繞組 應(yīng)用研究
上傳時(shí)間: 2013-04-24
上傳用戶:yolo_cc
通過(guò)分析機(jī)載設(shè)備對(duì)機(jī)箱的設(shè)計(jì)要求,得出了機(jī)載設(shè)備機(jī)箱屏蔽設(shè)計(jì)包括機(jī)箱材料選擇和保證屏蔽完整性兩方面的結(jié)論,并進(jìn)一步給出了機(jī)載設(shè)備機(jī)箱結(jié)構(gòu)上關(guān)于蓋板、通風(fēng)孔、導(dǎo)線穿透和開(kāi)口、縫隙處理等方面電磁屏蔽設(shè)計(jì)的方法和技術(shù)措施。
標(biāo)簽: 機(jī)載 機(jī)箱 屏蔽設(shè)計(jì) 設(shè)備
上傳時(shí)間: 2013-12-11
上傳用戶:zhenyushaw
一般有使用到無(wú)線通信的產(chǎn)品,通常都會(huì)在電路板上設(shè)計(jì)屏蔽框(shielding frame)來(lái)隔絕電磁干擾(EMI),現(xiàn)在有些腦筋動(dòng)得快的廠商想出了使用夾子(clip)來(lái)取代屏蔽框的方法,這種夾子不但可以使用SMT打件,而且體積小所以不怕變形。這就是傳說(shuō)中的屏蔽夾了。
上傳時(shí)間: 2013-11-05
上傳用戶:3294322651
在靜電傳感器測(cè)量氣/固兩相流參數(shù)的基礎(chǔ)上,以J.B.Gajewski教授的成果為基礎(chǔ),對(duì)電容的計(jì)算進(jìn)行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容,對(duì)其建立的靜電傳感器數(shù)學(xué)模型中的感應(yīng)電極與屏蔽罩間電容值進(jìn)行探討,并得到了這個(gè)電容的計(jì)算式。
上傳時(shí)間: 2014-12-24
上傳用戶:erkuizhang
數(shù)字電子技朮
標(biāo)簽:
上傳時(shí)間: 2013-10-09
上傳用戶:1101055045
RS-485的傳輸線如何合理屏蔽為了減少電磁耦合,防止大的共模干擾損壞器件,傳輸線最好加屏蔽。屏蔽接法如下,其中電容為幾μF。
上傳時(shí)間: 2013-10-15
上傳用戶:momofiona
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1