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一、IGBT 驅(qū)動1 驅(qū)動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動電壓可由不同地驅(qū)動電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動電路示意圖Q1，Q2 為驅(qū)動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關(guān)斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi)；開通時，驅(qū)動電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅(qū)動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態(tài)壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應力。若驅(qū)動電壓低于12V ，則IGBT 通態(tài)損耗較大， IGBT 處于欠壓驅(qū)動狀態(tài)；若 VGE >20V ，則難以實現(xiàn)電流的過流、短路保護，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動功率的計算由于IGBT 是電壓驅(qū)動型器件，需要的驅(qū)動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯(lián)運行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動功率。IGBT 柵極驅(qū)動功率受到驅(qū)動電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動電源的平均功率 PAV 計算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時間： 2022-06-21
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本論文主要研究自激式RF電源的功率控制，主要分為七個部分：第部分主要介紹ICP儀器的發(fā)展歷史、RF電源的主流技術(shù)路線及國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，指出了存在的部分問題，確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，重點介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統(tǒng)的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理，然后對等離子矩光源的產(chǎn)生條件及生成機理作了說明，并且對其在點火過程中表現(xiàn)的負載特性作了分析，最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設計要求，明確RF電源的設計指標。第三部分詳細介紹了自激式RF電源的實現(xiàn)原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環(huán)的原理，分別對其中的鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和驅(qū)動電路等做了詳細介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理，確定了主要元件參數(shù)，并介紹了適用于自激式RF電源的電路結(jié)構(gòu)。最后對阻抗匹配原理作了介紹，并重點介紹了集中參數(shù)元件匹配網(wǎng)絡。第四部分詳細介紹了本文所做的設計工作，包含軟硬件設計。這部分仍然是按信號流向作說明，根據(jù)自激式RF電源的結(jié)構(gòu)特點，針對這幾部分選擇合適的電路結(jié)構(gòu)、元件參數(shù)等設計完成鎖相環(huán)路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網(wǎng)絡。除此之外，還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設計、電磁兼容設計以及軟件部分的設計說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細說明，介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設計的RF電源進行了測試，表明本設計達到了預定的設計指標，說明此方法的可行性與實用性，并且分析了等離子炬的負載變化過程，對RF電源的設計提供了有益的參考。第七部分作了全文總結(jié)與展望。所設計RF電源成功點燃等離子炬，期間通過對RF電源的測試，并在ICP-AES整機上進行了系統(tǒng)驗證，測試證明所設計的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。
上傳時間： 2022-06-23
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關(guān)鍵字：12v開關(guān)電源+12V、0.5A單片開關(guān)穩(wěn)壓電源的電路如圖所示。其輸出功率為6w.當輸入交流電壓在 110~260V范圍內(nèi)變化時，電壓調(diào)整率Svs 1%。當負載電流大幅度變化時，負載調(diào)整率Si=5%~7%。為簡化電路，這里采用了基本反饋方式。接通電源后，220V交流電首先經(jīng)過橋式整流和C1濾波，得到約+300V的直流高壓，再通過高頻變壓器的初級線圈 N1，給WS157提供所需的工作電壓。從次級線圈 N2上輸出的脈寬調(diào)制功率信號，經(jīng) VD7，C4，L和C5進行高頻整流濾波，獲得 +12V，0.5A的穩(wěn)壓輸出。反饋線圈 N3上的電壓則通過 VD6，R2、C3整流濾波后，將控制電流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2構(gòu)成的吸收回路，能有效抑制漏極上的反向峰值電壓。該電路的穩(wěn)壓原理分析如下：當由于某種原因致使Uo4時，反饋線圈電壓及控制端電流也隨之降低，而芯片內(nèi)部產(chǎn)生的誤差電壓 Urt時，PWM比較器輸出的脈沖占空比 Dt，經(jīng)過MOSFET和降壓式輸出電路使得 Uot，最終能維持輸出電壓不變。反之亦然。如圖所示12v開關(guān)電源電路圖
標簽： 開關(guān)電源
上傳時間： 2022-06-26
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設計要求：① 電路輸出功率大于4W，負載8Ω；② 頻率響應 20~20KHz；③ 失真小，輸出波形基本不失真；④輸入阻抗不低于47KΩ；⑤輸入靈敏度為100mV。針對要求，文檔提供設計方案，并對方案進行仿真驗證。仿真通過Multisim軟件。
上傳時間： 2022-06-30
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智能電源排插解決方案，并能測量：交流電壓、電流、有功功率硬件設計
標簽： 智能電源
上傳時間： 2022-06-30
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便攜式數(shù)字音頻功率放大器揚聲器電路圖+PCB源文件（PWM D類放大）
標簽： 數(shù)字音頻功率放大器 揚聲器 pcb pwm
上傳時間： 2022-07-03
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逆變器修正波設計資料，含功率板，BOM清單，PCB圖等
上傳時間： 2022-07-08
上傳用戶：canderile
移相全橋軟開關(guān)PWM變換器是直流電源實現(xiàn)高頻化的理想拓撲之一，尤其在中大功率場合應用十分廣泛。實現(xiàn)全橋變換器移相PWM控制的傳統(tǒng)方法是通過采用專用集成控制芯片（UC3875、UCC3895等）來調(diào)節(jié)變換器前后臂間的導通相位差，以實現(xiàn)PWM模擬控制四。相對于模擬控制，數(shù)字控制由于具有集成度高、控制靈活、設計延續(xù)性好、易于實現(xiàn)通訊等優(yōu)點而在電力電子領(lǐng)域得到應用。近年來，隨著數(shù)字信號處理技術(shù)日趨成熟，各種微控制器性價比的不斷提高，采用數(shù)字控制已成為中大功率開關(guān)電源的發(fā)展趨勢問。本文采用一種在變壓器原邊增加一個諧振電感和兩個鉗位二極管的全橋變換器作為主電路，利用TI公司最新一款專注于電源數(shù)字控制的DSP微控制器對其進行峰值電流模式數(shù)字移相控制，完成了一臺1.2kW（120V/10A）的樣機。
標簽： tms320f28027 dc/dc變換器
上傳時間： 2022-07-17
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EMC測試培訓--端子騷擾電壓、騷擾功率篇
上傳時間： 2022-07-21
上傳用戶：xsr1983
ADS 軟件設計功率放大器時所用的放大器模型（飛思卡爾元件庫 ）。
上傳時間： 2022-07-25
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