本文結合研究所科研項目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，設計了一種滿足課題要求的高速度高性能的16 位模數轉換板卡方案。該方案中的輸入電路和時鐘電路采用差分結構，輸出電路采用鎖存器隔離結構，電源電路采用了較好的去耦措施，并且注重了板卡接地設計，使其具有抗噪聲干擾能力強、動態性能好、易實現的特點。
上傳時間： 2013-11-10
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產品上重要的干擾之一，它們 可以對周圍產品的穩定性產生嚴重 的影響。在對某些電子、電氣產品 進行電磁兼容性設計和測試的過程 中，由于對各種電磁干擾采取的抑 制措施不當而造成產品在進行電磁 兼容檢測時部分測試項目超標或通 不過EMC 測試，從而造成了大量人 力、財力的浪費。為了掌握電磁干 擾抑制技術的一些特點，正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區分共模和差 模干擾對于電子、電氣產品在設計 過程中采取相應的抗干擾技術十分 重要，也有利于提高產品的電磁兼 容性。
上傳時間： 2014-01-16
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
上傳時間： 2013-10-18
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摘要: 研究用內腔式He- Ne 激光器做光源時, 硅光電池實驗中光電檢流計讀數不穩定的現象。利用硅光電池分別觀測在不加偏振片、加上偏振片時內腔式He- Ne 激光器輸出的光強度, 得到激光經偏振片后輸出光強隨時間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個縱模, 實驗表明, 內腔式He- Ne 激光器每個縱模的偏振方向隨時間緩慢變化, 引起了實驗中輸出的光強變化。
上傳時間： 2013-11-17
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在電學實驗中，為了得到我們所需要的電壓或電流，我們經常需要把滑線變阻器連接成分壓或限流兩種形式，對電源進行控制與調節。在實驗應用中，如何根據實驗條件和要求來正確選擇滑線變阻器的參數（阻值，額定電流）是我們必須掌握的技能。參數選擇合適，電壓（電流）就能準確、穩定地調節，實驗就能順利進行。選擇不當，實驗條件就不穩定，使實驗不能穩定進行，甚至損壞儀表。本實驗對這兩種的輸出特性進行研究，以指導我們合理設計與選用控制電路。
上傳時間： 2013-12-28
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•合肥光源：0.8Gev，第二代專用同步輻射光源 •二期工程目標之一：控制束流軌道的穩定性 較敏感的實驗站窗口的光源點之垂直移動穩定在±30µm 全環垂直方向軌道穩定在±0.1mm
上傳時間： 2013-11-22
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c語言編程軟件vc6.0使用教程,附件包含二個教程文件，VC++6.0培訓教程完整版及VC6.0介紹。 Visual C++ 6.0，簡稱VC或者VC6.0，是微軟的一款C++編譯器，將“高級語言”翻譯為“機器語言（低級語言）”的程序。Visual C++是一個功能強大的可視化軟件開發工具。自1993年Microsoft公司推出Visual C++1.0后，隨著其新版本的不斷問世，Visual C++已成為專業程序員進行軟件開發的首選工具。雖然微軟公司推出了 Visual C++.NET(Visual C++7.0)，但它的應用有很大的局限性，只適用于Windows 2000、Windows XP和Windows NT4.0。所以實際中，更多的是以Visual C++6.0為平臺。 vc6.0使用你首先要打開VC6.0界面，一般用得較多的是Win32控制臺應用程序（源程序，擴展名.cpp）， 步驟是：（先工程—后文件—編譯—連接---運行） 1，建立一個工程，“文件”——“新建”，出現下面界面：選擇“Win32 Console Application”(控制臺應用程序，左邊倒數第三個)，命名工程名稱，選擇保存位置。 點擊“確定”，進入下一步，看到如下提示界面： 建立一個空工程，對應其他需要的你一可以建立別的工程；點擊“完成”,之后 顯示你創建的工程的信息。 2，再在有一個的工程的條件下，我們再建立一個源文件； “文件”——“新建”（快捷鍵Ctri+N），出現： 建立源文件，選擇“C++ Source ”，一般都是建立這種文件的（適用在當文件中適用）如果要建立頭文件的話，選擇“C/C++ Header File”,(適用在多文件工程中使用)命名，文件名稱，點擊“確定”，之后： 進入編輯區，在主界面編寫代碼：如下編寫完之后呢： 可以按編譯按鈕 調試程序，看看有沒有錯誤，有的話改正，沒有的話就可以再按連接按鈕 檢查連接（多文件工程時常用，檢查文件間是否正常連接），最后，點運行按鈕 ，就可以運行了。 如果是您有代碼如：cpp文件，或 .h 文件，想添加都VC6.0里來測試的話，可以這樣做： 首先，要理解一下 文件擴展名為：cpp和.h 文件擴張名是.h,代表的是頭文件，一般是書寫一些函數原型，以及一些在整個程序中常用到的結構體，頻繁使用的函數說明，定義等等； 文件擴張名為,cpp的，是C++中的源文件，也是最常用到的文件，每建立一個工程都要至少一個源文件（至少要有一個函數入口——主函數main() ），包含了核心代碼； 建立與運行說明：（以VC 6.0編譯器為例，其他編譯器類似） 首先，打開VC 6.0編譯環境； 在菜單欄——文件（的下拉菜單中選擇“新建”），在彈出的選擇窗口中，選擇 Win32 Console Application(控制臺應用程序) ，在填寫工程名稱，選擇一個程序保存路徑， 點擊“完成”，查看工程信息。 在點擊“確定”，就建立一個簡單的工程了。 再點擊左邊的工程信息右下角的“FileView”選項； 可以看到你新建的工程，再雙擊你新建的工程名 可以查看工程的信息。 在雙擊工程文件，在這里是 777.files,可以看到該工程的包含的文件。 其中，Source Files 為包含所有工程的源文件 Header Files 為包含所有工程的頭文件 在源文件選項“Source Files ”，右鍵單擊中的“添加目錄到工程”，添加你要打開的擴展名為 .cpp的源文件。在頭文件選項“ Header Files”，右鍵單擊中的“添加目錄到工程”，添加你要打開的擴展名為 . h的頭文件。添加完你所有的頭文件和源文件之后，檢查一下是否添加完畢，之后就可以編譯了。 其中第一個按鈕 為編譯按鈕，可以找出工程的錯誤信息，有錯誤修改，沒錯誤就可以跳到連接 ，編譯右邊的按鈕 ，即第三個按鈕（多文件工程一定要連接，查看文件是否準確相連接） 當編譯，連接都沒有錯誤時，可以按運行按鈕 ，即可以運行了。 相關資料：vc6.0中文綠色版下載
上傳時間： 2013-10-30
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HT45F23 MCU 含有兩個運算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通 過控制暫存器，OPA 相關的應用可以很容易實現。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設定 以及基本OPA 應用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內部有8 種增益選項，直接通過軟體設定。適應於各種廣泛的應用。
上傳時間： 2013-11-21
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