在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。 其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標(biāo)簽： 高速電路
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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opencv相關(guān)文件適用於學(xué)術(shù)研究及工程研發(fā)希望大家可以好好利用
上傳時(shí)間： 2013-12-14
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
昆騰微KT0646無線麥克風(fēng)發(fā)射資料，包括demo軟件代碼+ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB板+技術(shù)手冊(cè)文檔,硬件DEMO板為AltiumDesigner 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整原理圖及PCB文件2層板，大小為29X181mm，KT0646M_Datasheet_V1.3_CN技術(shù)手冊(cè)。
標(biāo)簽： kt0646 無線麥克風(fēng) pcb
上傳時(shí)間： 2022-01-23
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GD32F103的移植說明和開發(fā)指南，幫助新手快速了解GD32F103芯片，縮短上手時(shí)間。本教程結(jié)合官方的用戶手冊(cè)以及固件庫例程，通過實(shí)際例程講解以及實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象來幫助讀者理解和使 用 GD32F130xx 這 個(gè) 系 列 的 芯 片 。 軟 件 平 臺(tái) 使 用 的 是 MDK-ARM 和 官 方 外 設(shè) 驅(qū) 動(dòng) 庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0（庫函數(shù)開發(fā)），硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調(diào)試器。 教程從開發(fā)平臺(tái)介紹、開發(fā)環(huán)境搭建、建立工程等基礎(chǔ)內(nèi)容，到 GD13F130xx 外設(shè)應(yīng)用，包括： GPIO應(yīng)用、EXTI應(yīng)用、CLK應(yīng)用、USART 應(yīng)用、TIMER 應(yīng)用、I2C應(yīng)用、SPI應(yīng)用、ADC應(yīng)用、FWDGT 應(yīng)用和 WWDGT 應(yīng)用等十大部分內(nèi)容。外設(shè)應(yīng)用部分的內(nèi)容都配有源碼，并配合硬件平臺(tái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)講 解。教程面對(duì)的對(duì)象是具有一定的 MCU 編程基礎(chǔ)以及 C 語言基礎(chǔ)的，主旨是幫助開發(fā)者快速入門和快速 開發(fā)使用 GD32F130xx 系列產(chǎn)品。
標(biāo)簽： gd32f103
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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工程電磁場(chǎng)數(shù)值計(jì)算
標(biāo)簽： 工程 電磁場(chǎng) 數(shù)值計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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軟件工程3(視頻)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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工程測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)演示教程 PPT版
標(biāo)簽： 工程 測(cè)試 技術(shù)基礎(chǔ)
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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工程圖學(xué) PPT版
標(biāo)簽： 工程圖
上傳時(shí)間： 2013-06-02
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包裝工程設(shè)計(jì)手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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