利用89s51去寫結構化keil-C 4x4鍵盤掃描+LCD螢幕顯示 HW01:四則運算+時鍾顯示 HW02:頻率偵測器 ps.鍵盤掃描不是利用延遲作彈跳(推薦)
上傳時間： 2014-11-22
上傳用戶：zycidjl
一本不錯的電源設計的電子書。PDF檔。拓撲結構講的好祥系。
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上傳時間： 2017-07-21
上傳用戶：hewenzhi
實用電子技術專輯 385冊 3.609G新型智慧驅動器可簡化開關電源隔離拓樸結構中同步整流器.pdf
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上傳時間： 2014-05-05
上傳用戶：時代將軍
Struts結合了數個技術，為了要瞭解Struts，您必須先瞭解JSP/Servlet相關技術，必須先瞭解MVC、Model 1、Model 2等架構模式。
標簽： Struts
上傳時間： 2013-12-21
上傳用戶：lhc9102
本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。
標簽： Processor Digital Singal DSP
上傳時間： 2013-12-24
上傳用戶：zjf3110
與傳統的徑向磁通圓柱式電機相比，軸向磁通的盤式無鐵心永磁同步電機有著許多明顯的優點：其結構較為簡單，加工及裝配費用低，電機運行可靠，不需勵磁電流，提高了電機的效率和功率密度。盤式電機永磁化是一種發展趨勢，而稀土材料是其首選的永磁材料。我國已研制出盤式永磁同步電機，但還處于試制階段，要實現產品化，還有許多研究課題亟待解決。 本文主要針對該電機的氣隙磁密進行分析，對影響氣隙磁密的各種因素展開了研究。具體內容如下： 1) 回顧了永磁電機的研究歷史、發展現狀和主要應用，對永磁材料的性能及選取、聚磁技術、電機磁場計算所需理論和有限元軟件進行了介紹。 2) 將電機內的電磁場、有限元軟件和盤式無鐵心永磁電機特殊結構相結合，設計出了近二十個有限元計算程序，組成一個針對盤式無鐵心永磁同步電機的計算軟件包，由這些計算程序出發，對盤式無鐵心永磁同步電機進行一系列仿真分析計算。 在繪制氣隙磁密三維分布圖時，由于有限元軟件在繪圖方面的限制，需要將氣隙磁密數據從有限元軟件中導出到文本文件，再由其它數學工具進行氣隙磁密的三維圖形繪制。在這一過程中由于導出數據格式與繪圖工具所需數據格式不能兼容，還需要對導出數據進行處理。由于有限元軟件導出的數據量很大，如果對這些數據進行人工整理將增加大量的工作量，所以作者在研究過程中，針對導出數據的特點編寫了一個Vb數據處理程序，使數據處理工作得到大大簡化。 3) 在上述建立的軟件包的基礎上，對基于Halbach陣列的盤式無鐵心永磁同步電機進行了一系列系統分析，其中包括三維開域磁場分析、永磁體厚度對電機氣隙磁密的影響及分析、永磁體寬度變化時氣隙磁場分析、采用不同角度Halbach陣列時的氣隙磁密分析、不同半徑處氣隙磁密分析，為在電機設計過程中永磁體的設計提供了依據。 4) 在對盤式無鐵心永磁同步電機磁場進行詳盡的分析的基礎之上，本文提出了對該電機的新設計方案，并就此方案進行了建模分析，結果表明，此新方案所得到的氣隙磁密比原結構的氣隙磁密更為理想。此外，還對新模型從定性的角度進行了渦流損耗分析，分析表明其結構有利于減小渦流損耗。
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：牧羊人8920
Keil 和proteus完美結合教程，比較好
上傳時間： 2013-08-26
上傳用戶：YUANQINHUI
本文的目的在于，介紹如何計算具有狹窄氣隙的圓形轉子電機中的繞組感應。我們僅處理理想化的氣隙磁場，不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動勢（MMF）的空間諧頻。 在圖1中，給出了12槽定子的軸截面示意圖。實際上，所顯示的是薄鋼片的形狀，或用于構成磁路的層片。鐵芯由薄片構成，以控制渦流電流損耗。厚度將根據工作頻率而變，在60Hz的電機中（大體積電機，工業用）層片的厚度典型為.014”（.355毫米）。它們堆疊在一起，以構成具有恰當長度的磁路。繞組位于該結構的槽內。 在圖1中，給出了帶有齒結構的梯形槽，在大部分長度方向上具有近乎均勻的截面，靠近氣隙處較寬。齒端與相對狹窄的槽凹陷區域結合在一起，通過改善氣隙場的均勻性、增加氣隙磁導、將繞組保持在槽中，有助于控制很多電機轉子中的寄生損耗。請注意，對于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機，它具有直邊矩形槽，以及非均勻截面齒。下面的介紹針對兩類電機。
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：我干你啊
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
