?? 干擾抑制技術資料

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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。...

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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給...

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文中提出了一種應用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結構,其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構成,以抑制同步開關噪聲。結果表明,抑制深度為-30 dB時,與傳統L-bridged E...

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隨著變頻器的廣泛使用，系統的抗干擾技術變得越來越重要，其中接地是抑制干擾，提高系統電磁兼容性能的重要手段之一。正確的接地可以使系統有效地抑制外來的干擾，同時又能有效地降低系統本身對外的電磁騷擾。在實際...

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