<center id="k800k"></center> 現階段對電流型二線制光照強度變送器的研究還相對較少，設計的光照強度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩定，不能輸出標準4~20 mA電流信號的問題。介紹了一種電流型二線制光照強度變送器的設計，其結構由光照強度轉電壓電路、電壓范圍轉換電路、電壓轉電流電路以及穩壓電源產生電路組成。實驗結果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩定可靠地輸出標準4~20 mA電流的特點。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：star_in_rain
電壓驅動型脈寬調制器TL494
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：rolypoly152
什么是DC/DC 轉換器? 什么是DC(Direct Current)呢?它表示的是直流電源，諸如干電池或車載電池之類。家庭用的100V電源是交流電源(AC) 。若通過一個轉換器能將一個直流電壓(3.0V)轉換成其他的直流電壓(1.5V或5.0V)，這個轉換器被稱為DC/DC轉換器或稱之為開關電源或開關調整器。 DC/DC轉換器一般由控制芯片，電感線圈，二極管，三極管，電容器構成。 DC/DC轉換器為轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。DC/DC轉換器分為三類：升壓型DC/DC轉換器、降壓型DC/DC轉換器以及升降壓型DC/DC轉換器。根據需求可采用三類控制。PWM控制型效率高并具有良好的輸出電壓紋波和噪聲。PFM控制型即使長時間使用，尤其小負載時具有耗電小的優點。PWM/PFM轉換型小負載時實行PFM控制，且在重負載時自動轉換到PWM控制。目前DC-DC轉換器廣泛應用于手機、MP3、數碼相機、便攜式媒體播放器等產品中。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：文993
線性卷積和線性相關的FFT算法：一 實驗目的 1：掌握FFT基2時間（或基2頻率）抽選法，理解其提高減少乘法運算次數提高運算速度的原理。 2：掌握FFT圓周卷積實現線性卷積的原理 二 實驗內容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n)，試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n)，試用Matlab語言編程實現以圓周卷積代替線性卷積，并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 （1）FFT提高運算速度的原理 （2）實驗數據與結論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 （1）圓周卷積代替線性卷積的原理 （2）實驗數據和結論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT，每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT，等等。最小變換的點數即所謂的“基數”。因此，基數為2的FFT算法的最小變換（或稱蝶型）是2點的DFT。一般地，對N點FFT，對應于N個輸入樣值，有N個頻域樣值與之對應。
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：erkuizhang
功能、性能、特點 采用電磁場優化分布的設計原理，使局部放電和局部過熱最小。 小型化、高功能的真空滅弧室利用縱向旋轉磁場滅弧原理， 有效地保證了截流值小于3A， 使開斷性能極為穩定。 彈簧儲能機構采用模塊化設計，一件多用，使機構主件分布合理，結構簡單，性能穩定。 絕緣性能優越可靠，順利通過了凝露試驗，適合在最惡劣的環境條件下運行，并具有比IEC和GB標準要求更高的爬電距離和電氣間隙。 接地方式可靠，確保了斷路器從工作位置到試驗位置接地的連續性。
上傳時間： 2013-12-28
上傳用戶：ommshaggar
符合全球標準的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間： 2014-04-17
上傳用戶：fklinran
摘要：介紹并比較了電壓控制型和電流控制型開關電源的基本原理，提出了一種電壓控制型開關電源加電流截止負反饋的方法。由SG3525實現的開關電源電路實例，證明了這種電路的優點。關鍵詞：開關電源；電壓控制型；電流控制型；PWM
上傳時間： 2014-04-15
上傳用戶：kytqcool
AC通用輸入(100~240V AC)全球對應型電源1
上傳時間： 2014-04-15
上傳用戶：u789u789u789
摘要：發光二極管（LED）技術的快速發展使其在照明工程中的應用越來越廣泛。針對LED 照明的特點和光學特性參數，從驅動電路入手，設計了一款照明燈實用LED 驅動電路，并將理論分析結果與LED 驅動電路的實際測量結果進行了對比，對比結果表明，該驅動電路具有實用性，既能滿足照明工程的功能性要求，又能夠實現最大限度的節能。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：klin3139
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
