《深入理解Android：卷I》,講述android開發中的要點，免分分享個大家！
標簽： Android
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：diamondsGQ
]本文介紹了如何利用CPLD(復雜可編程邏輯器件)與單片機的結合實現并行I／\r\nO(輸入／輸出)接口的擴展。該設計與用8255做并行I／O接口相比，與單片機軟件完全兼容，\r\n同時擁有速度快，功耗低，價格便宜，使用靈活等特點
標簽： CPLD 如何利用 單片機 并行
上傳時間： 2013-08-14
上傳用戶：xa_lgy
介紹了光纖光柵感溫火災探測系統的應用原理，并重點闡述了用CPLD 設計虛擬MC14499 器件模塊，給出并解釋了用Verilog HDL 語言實現的部分程序和仿真測試結果。
標簽： 光纖光柵 火災探測
上傳時間： 2013-08-16
上傳用戶：zhang_yi
:針對現場可編程門陣列(FPGA)芯片的特點,研究FPGA中雙向端口I/O的設計,同時給出仿真初始化雙向端口I/O的方法。采用這種雙向端口的設計方法,選用Xilinx的Spartan2E芯片設計一個多通道圖像信號處理系統。
標簽： FPGA 雙向端口
上傳時間： 2013-08-17
上傳用戶：xiaoyunyun
FPGA可促進嵌入式系統設計改善即時應用性能，臺灣人寫的，關于FPGA應用的技術文章
標簽： FPGA 嵌入式 系統 性能
上傳時間： 2013-08-20
上傳用戶：liuwei6419
基于FPGA的鍵盤掃描模塊的設計實現,感興趣的請下載
標簽： FPGA 鍵盤掃描 模塊
上傳時間： 2013-08-22
上傳用戶：kbnswdifs
一種基于CPLD和PC I總線的視頻采集卡的設計方案
標簽： CPLD 總線 卡的設計 視頻采集
上傳時間： 2013-08-24
上傳用戶：123啊
看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：標點符號
X電容是指跨于L-N之間的電容器， Y電容是指跨于L-G/N-G之間的電容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
標簽： 電容
上傳用戶：haohao
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構，通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網絡，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統中．
標簽： MMIC 增益 低噪聲放大器 波段
上傳用戶：masochism
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