專輯類-Pro-E教程及相關(guān)資料專輯-134冊(cè)-38.9G CAD教育網(wǎng)ProE-野火2.0快速入門(mén)視頻電子書(shū).exe
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專輯類-可編程邏輯器件相關(guān)專輯-96冊(cè)-1.77G 可編程邏輯設(shè)計(jì)快速入門(mén)手冊(cè)-218頁(yè)-5.1M-英.pdf
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近年來(lái),由于能源危機(jī)和環(huán)境污染,世界各國(guó)均在投巨資發(fā)展燃料電池汽車。雙向DC/DC變換器作為燃料電池汽車的中重要部件,需要隨著行駛狀態(tài)的改變,頻繁地切換其工作狀態(tài),其動(dòng)態(tài)性能好壞,直接決定汽車動(dòng)力系統(tǒng)的響應(yīng)速度。本文主要致力于對(duì)DC/DC變換器在不同控制策略下的動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行研究,并在保證其穩(wěn)態(tài)性能的前提下提高系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能。 本文首先研究了線性控制策略下DC/DC變換器的動(dòng)態(tài)性能。介紹了閉環(huán)控制系統(tǒng)在頻域和時(shí)域的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)以及二者之間的關(guān)系。當(dāng)系統(tǒng)受到外部干擾較小時(shí),采用頻域分析方法,對(duì)Buck和Boost變換器進(jìn)行了小信號(hào)建模,并對(duì)其在不同線性補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)控制作用下的動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行對(duì)比分析。當(dāng)系統(tǒng)受到較大干擾時(shí),采用時(shí)域分析方法,文中介紹了DC/DC變換器大信號(hào)建模方法,并對(duì)PID參數(shù)在工程上整定方法加以分析。 DC/DC變換器是一非線性系統(tǒng),應(yīng)用線性控制策略不可避免地存在一定局限性—?jiǎng)討B(tài)性能和穩(wěn)態(tài)性能之間的矛盾。針對(duì)這一問(wèn)題,引入了模糊—PI控制,將其應(yīng)用于DC/DC變換器,以在保持系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)性能不變的前提下,提高其動(dòng)態(tài)性能。以Buck DC/DC變換器為例,詳細(xì)介紹了模糊-PI控制器的設(shè)計(jì)過(guò)程,并對(duì)設(shè)計(jì)的閉環(huán)控制系統(tǒng)用MATLAB進(jìn)行建模與仿真。最后,通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證了模糊—PI控制的有效性。 和線性控制策略相比,模糊—PI控制在一定程度上提高了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能,但效果有限。本文引入了另一種非線性控制策略——滑模控制策略。滑模控制策略是目前動(dòng)態(tài)性能最好的控制策略之一,可以極佳地發(fā)揮系統(tǒng)的硬件潛能。 本文首先介紹了滑模控制相關(guān)知識(shí),推導(dǎo)了其應(yīng)用于Buck和Boost變換器的理論基礎(chǔ)。設(shè)計(jì)出針對(duì)不同被控對(duì)象和工作狀態(tài)的控制策略,對(duì)每種控制策略通過(guò)仿真分析驗(yàn)證其有效性。就滑模控制存在的靜差問(wèn)題、抖振問(wèn)題和變頻問(wèn)題均提出了行之有效的解決方案。快速響應(yīng)特性
上傳時(shí)間: 2013-08-01
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隨著低壓供電系統(tǒng)中感性負(fù)荷越來(lái)越多,電網(wǎng)對(duì)無(wú)功電流的需求量急劇增加,為了提高系統(tǒng)供電質(zhì)量和供電效率,必須對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行無(wú)功補(bǔ)償。晶閘管投切電容器(TSC)一種簡(jiǎn)單易行的補(bǔ)償措施,并已得到廣泛應(yīng)用。但是長(zhǎng)期以來(lái)無(wú)功補(bǔ)償裝置中的電容器投切開(kāi)關(guān)存在功能單一、使用壽命短、開(kāi)關(guān)沖擊大等不足,這些不足嚴(yán)重制約了補(bǔ)償裝置的發(fā)展。因此開(kāi)發(fā)大容量快速的集多種功能于一體的電子開(kāi)關(guān)功率單元將是晶閘管投切電容器(TSC)技術(shù)中長(zhǎng)期研究的主要內(nèi)容,具有很高的實(shí)用價(jià)值。 首先,本文回顧了投切開(kāi)關(guān)的發(fā)展歷史,并指出它們存在的優(yōu)點(diǎn)和弊端。闡述了晶閘管投切電容器(TSC)的基本工作原理及主電路的組成和實(shí)現(xiàn)手段。 其次,提出功率單元的概念,并介紹了它的組成、功能和作用、對(duì)功率單元各個(gè)組成部分進(jìn)行研究,主要包括根據(jù)系統(tǒng)電壓和電流選擇晶閘管型號(hào)、根據(jù)TSC無(wú)過(guò)渡過(guò)程原理的分析來(lái)設(shè)計(jì)過(guò)零觸發(fā)模塊、利用補(bǔ)償電容上的工作電壓波形設(shè)計(jì)多功能卡上的工作指示電路、故障檢測(cè)電路,根據(jù)TSC的保護(hù)特點(diǎn)將溫度開(kāi)關(guān)串入到控制信號(hào)和冷卻風(fēng)扇電路,在溫度過(guò)高時(shí)起到對(duì)功率單元的保護(hù)作用。然后在理論及設(shè)計(jì)參數(shù)的基礎(chǔ)上制造功率單元。在已有的TSC補(bǔ)償裝置上對(duì)功率單元的性能進(jìn)行實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,論文所設(shè)計(jì)功率單元能很好的實(shí)現(xiàn)投切電容器的作用,還實(shí)現(xiàn)各種保護(hù)和顯示功能,提高效率和補(bǔ)償效果。 最后,系統(tǒng)地闡述了功率單元作為集成化開(kāi)關(guān)模塊在無(wú)功補(bǔ)償領(lǐng)域的優(yōu)越性,并指出設(shè)計(jì)中需要完善的地方。
上傳時(shí)間: 2013-07-19
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn),完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示,應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景,吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而,OLED也存在一些問(wèn)題,特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo),除了器件的材料,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理,結(jié)構(gòu)和封裝入手,首先,探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能;ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大,明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次,針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn),在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素,其厚度在1.2μm左右時(shí),光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實(shí)驗(yàn)一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比,研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng),其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍,研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后,分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間: 2013-07-11
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