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恒流<b>驅動芯片</b>

可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
ASC8511-CN單節鋰電充電IC

ASC8511 是開關式、單節鋰電池充電管理芯片,采用峰值電流模控制的BUCK 拓撲結構，最大充電電流可達2.5A. ASC8511 通過恒壓控制環（CV）和恒流控制環（CC）來調整鋰電池充電電壓和恒流充電電流.ASC8511 集成電池過溫保護、充電時間限制、輸出短路等保護功能，通過NTC 檢測電池溫度，可以實現電池過熱保護功能，兩個LED 指示燈指示電池充電狀態.ASC8511 采用16 腳T-SSOP 封裝. 特點 ● 充電電壓精度0.5% ● 最大充電電流2.5A ● 自耗電小于5uA ● 電阻可編程調節恒流充電電流 ● 開關頻率500KHZ ● 適用于單節鋰電池充電 ● 軟啟動 ● 電池過溫保護 ● 芯片過熱保護 ● 狀態指示 ● 環境溫度范圍: -20℃～70℃ ● 16 腳T-SSOP 封裝應用 ● 手持設備、POS機 ● MID、數碼產品 ● 移動DVD ● 筆記本、對講機

標簽： 8511 ASC CN 單節

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：13788529953
SM8502高性能離線式功率開關

SM8502是應用于小功率AC/DC開關電源系統的高性能離線式功率開關。內置高壓功率三極管，采用原邊反饋控制技術，在全電壓輸入范圍內實現輸出恒壓精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系統節省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成過流保護、過壓保護、欠壓保護、過溫保護等完善的保護功能以提高系統的可靠性。SOP8、HDIP4的封裝形式。

標簽： 8502 SM 性能功率開關

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：極客
無電解電容LED驅動電路

針對現有LED驅動電路存在電解電容限制壽命的不足，提出了一種無電解電容的LED驅動電路的設計方法。該方法采用Panasonic松下MIP553內置PFC可調光LED驅動電路的芯片，與外部非隔離底邊斬波電路合成作為基本的電路結構，輸出穩定的電流用以滿足LED工作的需要。同時設計保護電路來保護負載。實驗結果表明，控制器芯片能穩定工作，并且可以實現27 V的恒壓輸出和350 mA的恒流輸出。

標簽： LED 無電解電容驅動電路

上傳時間： 2013-10-10

上傳用戶：lalalal
LED照明單芯片解決方案

本文檔所描述的方案基于Piccolo DSC，以TMS320F28027作為控制核心，采用電流反饋并結合相應的控制算法實現恒流輸出控制，使用于驅動LED路燈、LED背光、LED隧道燈、裝飾照明等應用領域。

標簽： LED 照明單芯片方案

上傳時間： 2014-04-28

上傳用戶：robter
DH1718系列直流雙路跟蹤穩壓穩流電源說明書

DH1718E（G）型雙路穩壓穩流電源是一種帶有雙3位數字面板表顯示的恒壓（CV）與恒流（CC）自動轉換的高精度電源。DH1718E（G)型可同時顯示輸出電壓及電流。本機設有輸出電壓、電流預調電路及輸出開關電路。輸出開關是一種電子開關，不會產生機械振動及噪聲，當輸出開關關閉時，電壓表指示的值與調節電壓旋鈕的位置相對應，以便于電壓的預調節，電流表指示的值與調節電流旋鈕的位置相對應，以便于電流的預調節，按下輸出開關，在輸出接線柱上便有電壓輸出。本電源還具有主、從路電壓跟蹤功能。左邊為主路，右邊為從路，在跟蹤狀態下，從路的輸出電壓隨主路而變化（變化量可調節從路的電壓調節電位器）。這對于需要對稱且可調雙極性電源的場合特別適用。DH1718G直流穩壓電源是在DH 1718E兩路可調電源基礎上增加一路固定（5V/3A）電源組成。其可調部分的功能、性能指標同DH1718E系列相應型號。

標簽： 1718 DH 直流跟蹤穩壓

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：aappkkee
基于STM32的單彩LED在AFC運行狀態顯示中的設計

為了滿足乘客對AFC的需求，提出了一種單彩LED在AFC系統運行狀態顯示中的設計應用，該控制系統以Cortex-M3內核芯片STM32F103VET6作為控制中心，采用恒流驅動芯片MBI5042實現LED恒流驅動，系統可支持256級灰度單彩LED顯示屏的漢字、圖案的顯示，同時能夠方便地進行遠程控制，以及控制AFC運行狀態的顯示。

標簽： STM LED AFC 32

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：lyson
DS1302涓流充電時鐘保持芯片的原理與應用

摘要：本文概括介紹了DS1302時鐘芯片的特點和基本組成，通過實例詳細說明了有關功能的應用軟件。關于DS1302各寄存器的詳細位控功能請參考DALLAS（達拉斯）公司的相應產品資料。

標簽： 1302 DS 充電保持

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：huyanju
MSP430系列flash型超低功耗16位單片機

MSP430系列flash型超低功耗16位單片機MSP430系列單片機在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點。該系列單片機自問世以來，頗受用戶關注。在2000年該系列單片機又出現了幾個FLASH型的成員，它們除了仍然具備適合應用在自動信號采集系統、電池供電便攜式裝置、超長時間連續工作的設備等領域的特點外，更具有開發方便、可以現場編程等優點。這些技術特點正是應用工程師特別感興趣的?！禡SP430系列FLASH型超低功耗16位單片機》對該系列單片機的FLASH型成員的原理、結構、內部各功能模塊及開發方法與工具作詳細介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機目錄第1章引論1.1 MSP430系列單片機1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章結構概述2.1 引言2.2 CPU2.3 程序存儲器2.4 數據存儲器2.5 運行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時鐘發生器第3章系統復位、中斷及工作模式3.1 系統復位和初始化3.1.1 引言3.1.2 系統復位后的設備初始化3.2 中斷系統結構3.3 MSP430 中斷優先級3.3.1 中斷操作--復位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1（LPM0和LPM1）3.5.2 低功耗模式2、3（LPM2和LPM3）3.5.3 低功耗模式4（LPM4）22 3.6 低功耗應用的要點23第4章存儲空間4.1 引言4.2 存儲器中的數據4.3 片內ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計算分支跳轉和子程序調用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲器4.5.1 FLASH存儲器的組織4.5.2 FALSH存儲器的數據結構4.5.3 FLASH存儲器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲器的安全鍵值與中斷4.5.5 經JTAG接口訪問FLASH存儲器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數器PC5.1.2 系統堆棧指針SP5.1.3 狀態寄存器SR5.1.4 常數發生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數指令5.3.2 單操作數指令5.3.3 條件跳轉5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令第6章硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無符號數相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號數相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無符號數乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號數乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章基礎時鐘模塊7.1 基礎時鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測7.2.4 XT振蕩器失效時的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調整器7.4 時鐘與運行模式7.4.1 由PUC啟動7.4.2 基礎時鐘調整7.4.3 用于低功耗的基礎時鐘特性7.4.4 選擇晶振產生MCLK7.4.5 時鐘信號的同步7.5 基礎時鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章輸入輸出端口8.1 引言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章看門狗定時器WDT9.1 看門狗定時器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時器Timer_A10.1 引言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時器模式控制10.2.2 時鐘源選擇和分頻10.2.3 定時器啟動10.3 定時器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計數模式10.3.3 連續模式10.3.4 增/減計數模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應用第11章 16位定時器Timer_B11.1 引言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時器長度11.2.2 定時器模式控制11.2.3 時鐘源選擇和分頻11.2.4 定時器啟動11.3 定時器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計數模式11.3.3 連續模式11.3.4 增/減計數模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機模式12.1.5 地址位多機通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發送中斷操作12.3 控制和狀態寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調整控制寄存器12.3.5 USART接收數據緩存URXBUF12.3.6 USART發送數據緩存UTXBUF12.4 UART模式，低功耗模式應用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機模式對節約MSP430資源的支持12.5 波特率計算第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發送允許位及發送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發送中斷操作13.3 控制與狀態寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調制控制寄存器13.3.5 USART接收數據緩存URXBUF13.3.6 USART發送數據緩存UTXBUF第14章比較器Comparator_A14.1 概述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應用14.4.1 模擬信號在數字端口的輸入14.4.2 比較器A測量電阻元件14.4.3 兩個獨立電阻元件的測量系統14.4.4 比較器A檢測電流或電壓14.4.5 比較器A測量電流或電壓14.4.6 測量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補償14.4.8 增加比較器A的回差第15章模數轉換器ADC1215.1 概述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉換存儲15.5 轉換模式15.5.1 單通道單次轉換模式15.5.2 序列通道單次轉換模式15.5.3 單通道重復轉換模式15.5.4 序列通道重復轉換模式15.5.5 轉換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉換時鐘與轉換速度15.7 采樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉換存儲寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發16.1 開發系統概述16.1.1 開發技術16.1.2 MSP430系列的開發16.1.3 MSP430F系列的開發16.2 FLASH型的FET開發方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標準復位過程和進入BSL過程16.3.2 BSL的UART協議16.3.3 數據格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護口令16.3.6 BSL的內部設置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說明（字母順序）B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機參數表附錄D MSP430系列單片機封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

標簽： flash MSP 430 超低功耗

上傳時間： 2014-04-28

上傳用戶：sssnaxie
同地彈現象的分析和講解

地彈的形成：芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。簡單的構造如上圖的一個小“場景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感LG，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值，不過，通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。（很老的一個軟件，很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。）因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。（實際200M以上芯片IO電壓會比較低，多采用1.5－2.5V。）

標簽： 分

上傳時間： 2013-10-17

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