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感性負(fù)(fù)載

  • 基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī)

    基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī) HT45R37V 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的單片機(jī),專門為需要VFD 功能的產(chǎn)品而設(shè)計(jì)。作為一款C/R-F 型的單片機(jī),它可以連接9 個(gè)外部電容型或電阻型傳感器,并把它們的電容值或電阻值轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的頻率進(jìn)行處理。此外,單片機(jī)帶有內(nèi)部A/D 轉(zhuǎn)換器,能夠直接與模擬信號(hào)相連接,且它還集成了一個(gè)雙通道的脈沖寬度調(diào)節(jié)器,用于控制外部的馬達(dá)和LED 燈等。這款單片機(jī)是專門為VFD 產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,它能直接驅(qū)動(dòng)VFD 面板。

    標(biāo)簽: 37V 45R R37 R-F

    上傳時(shí)間: 2013-10-16

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  • 基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī)

    基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī) HT45R37 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的單片機(jī)。作為一款C/R-F 型的單片機(jī),它可以連接16 個(gè)外部電容/電阻式傳感器,并把它們的電容值或電阻值轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的頻率進(jìn)行處理。此外,單片機(jī)帶有內(nèi)部A/D 轉(zhuǎn)換器,能夠直接與模擬信號(hào)相連接,且它還集成了雙通道的脈沖寬度調(diào)節(jié)器,用于控制外部的馬達(dá)和LED 燈等。

    標(biāo)簽: 45R R37 R-F OTP

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

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  • HT45R35VC/R-F型八位OTP單片機(jī)

    HT45R35VC/R-F型八位OTP單片機(jī) HT45R35V 是一款C/R-F 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的單片機(jī),專門為需要VFD 功能的產(chǎn)品而設(shè)計(jì)。 秉承HOLTEK MCU 一般特性,該單片機(jī)帶有暫停和喚醒功能,振蕩器選項(xiàng)等等,這些都保證使用者的應(yīng)用只需極少的外部元器件便可實(shí)現(xiàn)。這款單片機(jī)專門為直接與VFD 面板相連的VFD 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。集成C/R-F 功能,外加功耗低、性能良好、I/O 使用靈活、成本低等優(yōu)勢(shì),使這款單片機(jī)可以廣泛應(yīng)用于VFD 相關(guān)產(chǎn)品中,例如家電定時(shí)產(chǎn)品,各種消費(fèi)產(chǎn)品,子系統(tǒng)控制器,其他家電應(yīng)用等方面。

    標(biāo)簽: R-F OTP HT 45

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:semi1981

  • SPMC75F2413A在三相交流感應(yīng)電機(jī)的開(kāi)環(huán)V/F控制的

    SPMC75F2413A在三相交流感應(yīng)電機(jī)的開(kāi)環(huán)V/F控制的應(yīng)用:系統(tǒng)輸入電源電壓為AC110V/AC220V,經(jīng)全波整流后供系統(tǒng)使用。系統(tǒng)使用Sunplus公司的SPMC75F2413A產(chǎn)生AC三相異步電機(jī)的VVVF控制所需的SPWM信號(hào),并完成系統(tǒng)控制。使用三菱公司的智能功率模塊PS21865實(shí)現(xiàn)電機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)。在AC220V輸入時(shí),系統(tǒng)最大能驅(qū)動(dòng)1.5KW的負(fù)載。系統(tǒng)的變頻區(qū)間為2Hz~200Hz。

    標(biāo)簽: 2413A F2413 SPMC 2413

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

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  • 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù)

    單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計(jì)3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語(yǔ)4 1.2.4 電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合(近場(chǎng)耦合)15 .1.5.3 電磁輻射耦合(遠(yuǎn)場(chǎng)耦合)15 1.6 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號(hào)耦合與傳輸機(jī)理 2.1 數(shù)字信號(hào)與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號(hào)的開(kāi)關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開(kāi)關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開(kāi)關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點(diǎn)25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計(jì)算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計(jì)算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計(jì)算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號(hào)的長(zhǎng)線傳輸36 2.3.1 長(zhǎng)線傳輸過(guò)程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計(jì)算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號(hào)傳輸過(guò)程中的畸變45 2.4.1 信號(hào)傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號(hào)傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號(hào)傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長(zhǎng)度的計(jì)算49 2.5.2 端點(diǎn)的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號(hào)的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計(jì)59 3.1.1 元件的選擇準(zhǔn)則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計(jì)59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號(hào)68 3.3.3 電容器的標(biāo)志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項(xiàng)73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項(xiàng)74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項(xiàng)80 3.5.6 集成門電路系列型號(hào)81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計(jì)83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點(diǎn)83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機(jī)接口85 3.7 元器件的裝配工藝對(duì)可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場(chǎng)屏蔽88 4.1.2 磁場(chǎng)屏蔽89 4.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計(jì)算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計(jì)算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計(jì)100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問(wèn)題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無(wú)源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號(hào)線間的串?dāng)_及抑制169 4.7.1 線間串?dāng)_分析169 4.7.2 線間串?dāng)_的抑制173 4.8 信號(hào)線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號(hào)線型式的選擇174 4.8.2 信號(hào)線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號(hào)線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號(hào)噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號(hào)負(fù)傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號(hào)的電壓等級(jí)178 4.10.3 數(shù)字輸入信號(hào)的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng)干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動(dòng)能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機(jī)單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 5.1 單片機(jī)主機(jī)單元組成特點(diǎn)186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計(jì)191 5.2.1 總線驅(qū)動(dòng)器191 5.2.2 總線的負(fù)載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲(chǔ)器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過(guò)渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時(shí)鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計(jì)201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時(shí)復(fù)位205 5.7 單片機(jī)系統(tǒng)的中斷保護(hù)問(wèn)題205 5.7.1 80C51單片機(jī)的中斷機(jī)構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護(hù)措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.3 利用DS1210實(shí)現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)208 5.8.4 2 KB非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實(shí)現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機(jī)片內(nèi)定時(shí)器實(shí)現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機(jī)內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703~709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測(cè)量單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 6.1 概述255 6.2 模擬信號(hào)放大器256 6.2.1 集成運(yùn)算放大器256 6.2.2 測(cè)量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測(cè)量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測(cè)量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測(cè)量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測(cè)量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測(cè)量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測(cè)量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測(cè)量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測(cè)量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器(V/I)283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器(I/V)302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵(lì)功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號(hào)隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實(shí)用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動(dòng)補(bǔ)償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準(zhǔn)電壓350 6.9 測(cè)量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號(hào)串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號(hào)共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準(zhǔn)電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開(kāi)關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開(kāi)關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準(zhǔn)電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準(zhǔn)電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準(zhǔn)電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準(zhǔn)AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準(zhǔn)MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準(zhǔn)MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準(zhǔn)電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計(jì) 8.1 功率驅(qū)動(dòng)元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過(guò)零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動(dòng)器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動(dòng)接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機(jī)與大功率單相負(fù)載的接口電路441 8.2.6 單片機(jī)與大功率三相負(fù)載間的接口電路442 8.3 感性負(fù)載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負(fù)載瞬變?cè)肼暤囊种品椒?42 8.3.2 晶閘管過(guò)零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負(fù)載的瞬變?cè)肼?47 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機(jī)對(duì)話單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 9.1 鍵盤接口抗干擾問(wèn)題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點(diǎn)458 9.3 LED的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動(dòng)方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動(dòng)方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機(jī)接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動(dòng)器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動(dòng)器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動(dòng)態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機(jī)接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機(jī)標(biāo)準(zhǔn)接口信號(hào)508 9.6.2 打印機(jī)與單片機(jī)接口電路509 9.6.3 打印機(jī)電磁干擾的防護(hù)設(shè)計(jì)510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計(jì) 10.1 電源干擾問(wèn)題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實(shí)用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識(shí)519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻(MOV)533 10.4.2 瞬變電壓抑制器(TVS)537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護(hù)557 10.8 開(kāi)關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開(kāi)關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開(kāi)關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機(jī)用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計(jì)方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計(jì) 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標(biāo)準(zhǔn)與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點(diǎn)和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計(jì)基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計(jì)算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計(jì)算587 11.2.3 信號(hào)在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計(jì)590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計(jì)590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號(hào)線的布線原則592 11.4.1 信號(hào)傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串?dāng)_控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機(jī)自動(dòng)布線注意問(wèn)題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時(shí)鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測(cè)控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動(dòng)恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標(biāo)志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護(hù)與糾錯(cuò)616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標(biāo)志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運(yùn)行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開(kāi)法627 12.7 開(kāi)關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計(jì)629 12.7.1 開(kāi)關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開(kāi)關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項(xiàng)630 附錄 電磁兼容器件選購(gòu)信息632

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 應(yīng)用系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)

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  • 美升級(jí)臺(tái)灣F-16機(jī)載雷達(dá)的關(guān)鍵技術(shù)分析

    文章對(duì)美國(guó)升級(jí)臺(tái)灣F-16機(jī)載多功能雷達(dá)的技術(shù)進(jìn)行了研究。首先介紹了有源電掃相控陣技術(shù),該技術(shù)是提高雷達(dá)性能的關(guān)鍵所在。其次對(duì)多普勒銳化和合成孔徑技術(shù)進(jìn)行了深入的討論,研究表明合成孔徑技術(shù)能更好地提高成像效果。最后分析了升級(jí)F-16帶來(lái)的不足,說(shuō)明升級(jí)不能阻止國(guó)家的統(tǒng)一大業(yè)。

    標(biāo)簽: 16 機(jī)載雷達(dá) 關(guān)鍵技術(shù)

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  • AL-FGB復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器

    AL-FGB系列復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器(簡(jiǎn)稱AL-FGB)是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過(guò)電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品,將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起,專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中,主要用來(lái)吸收真空斷路器、真空接觸器在開(kāi)斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過(guò)電壓,同時(shí)具有吸收大氣過(guò)電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過(guò)電壓的功能; 因此具備一系列其它類型過(guò)電壓保護(hù)器無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過(guò)電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破,是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無(wú)油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì),具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益,是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變(配)電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過(guò)電壓的危害,功能強(qiáng)大,保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中,由于真空電器產(chǎn)品(真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)、真空重合器等)的滅弧能力特別強(qiáng),在關(guān)、合感性負(fù)載(發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等)時(shí),容易引發(fā)截流過(guò)電壓、多次重燃過(guò)電壓及三相同時(shí)開(kāi)斷過(guò)電壓。這些操作過(guò)電壓具有高幅值、高陡度(振蕩頻率高達(dá)105~106HZ),對(duì)感性負(fù)載的危害性極大,被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過(guò)電壓保護(hù)器,都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過(guò)電壓的幅值,只限幅不限頻,用來(lái)防雷能起到好的效果,但對(duì)操作過(guò)電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合,兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn),從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn),不但能夠防雷,而且能有效抑制上述操作過(guò)電壓的幅值和陡度;雙效合一,至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì),功能互補(bǔ),相互保護(hù) 操作過(guò)電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合,保護(hù)功能互不干涉,還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí),阻容回路Ⅰ不通(但可輔助減緩波頭陡度),雷電波按實(shí)線路徑,經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地;同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器,避免其因承受過(guò)高雷電過(guò)電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過(guò)電壓侵入時(shí),則按虛線路徑,經(jīng)阻容回路Ⅰ流通,限幅降頻;同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù),保護(hù)閥片,延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度,排除匝間擊穿危險(xiǎn)性; 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度(di/dt)成正比,操作過(guò)電壓陡度極高,對(duì)匝間絕緣危害極大,且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明,在操作過(guò)電壓作用下,電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間,且以進(jìn)線端的匝間為主,這說(shuō)明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過(guò)電壓的振蕩頻率,緩解波頭陡度,從而降低繞組間的電位梯度,且能減少斷路器的重燃機(jī)率,成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,如避雷器、各類組合式過(guò)電壓保護(hù)器等,對(duì)改變操作過(guò)電壓的振蕩頻率、降低陡度無(wú)能為力,即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入,環(huán)保節(jié)能; AL-FGB增加了自控接入裝置,在正常運(yùn)行時(shí)僅通過(guò)μA級(jí)電流,不僅節(jié)約電能,而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流,保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng),保護(hù)即時(shí),而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過(guò)電壓(注:不超過(guò)AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。當(dāng)諧振過(guò)電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí),AL-FGB接入電網(wǎng),電容器增大主回路電容,有利于破壞諧振條件,電阻阻尼震蕩,有利于降低諧振過(guò)電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣; 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量,使電容回路的電流異常增大,電阻過(guò)熱,對(duì)過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離,有效控制事故范圍; 諧振過(guò)電壓、間歇性弧光接地過(guò)電壓等系統(tǒng)過(guò)電壓,持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大,但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過(guò)電壓極易損壞過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置,能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過(guò)電壓超過(guò)AL-FGB的承受能力時(shí),自控脫離裝置選擇自我脫離,保護(hù)本體,避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象,控制事故范圍,延長(zhǎng)使用壽命,運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地,又可保護(hù)相間; 四極式聯(lián)接(如圖2-2),具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證:不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣,而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu),體積小,性能穩(wěn)定,而價(jià)格不高。 8、吸收容量大,保護(hù)范圍更廣; 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng),AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF,保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備,且裕量充足;針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng),其電容容量高達(dá)0.1μF,吸收容量更大,保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究,VO級(jí)阻燃材質(zhì); 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器,這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求,該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限,1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行,在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿;極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì);各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹(shù)脂灌封;電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無(wú)感電阻,可靠性大大提高,從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性,使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片,具有良好的陡波響應(yīng)特性,殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過(guò)電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì),使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄,清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況; 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器,清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。

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  • AL-FGB復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器

    AL-FGB系列復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器(簡(jiǎn)稱AL-FGB)是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過(guò)電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品,將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起,專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中,主要用來(lái)吸收真空斷路器、真空接觸器在開(kāi)斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過(guò)電壓,同時(shí)具有吸收大氣過(guò)電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過(guò)電壓的功能; 因此具備一系列其它類型過(guò)電壓保護(hù)器無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過(guò)電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破,是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無(wú)油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì),具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益,是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變(配)電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過(guò)電壓的危害,功能強(qiáng)大,保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中,由于真空電器產(chǎn)品(真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)、真空重合器等)的滅弧能力特別強(qiáng),在關(guān)、合感性負(fù)載(發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等)時(shí),容易引發(fā)截流過(guò)電壓、多次重燃過(guò)電壓及三相同時(shí)開(kāi)斷過(guò)電壓。這些操作過(guò)電壓具有高幅值、高陡度(振蕩頻率高達(dá)105~106HZ),對(duì)感性負(fù)載的危害性極大,被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過(guò)電壓保護(hù)器,都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過(guò)電壓的幅值,只限幅不限頻,用來(lái)防雷能起到好的效果,但對(duì)操作過(guò)電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合,兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn),從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn),不但能夠防雷,而且能有效抑制上述操作過(guò)電壓的幅值和陡度;雙效合一,至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì),功能互補(bǔ),相互保護(hù) 操作過(guò)電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合,保護(hù)功能互不干涉,還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí),阻容回路Ⅰ不通(但可輔助減緩波頭陡度),雷電波按實(shí)線路徑,經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地;同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器,避免其因承受過(guò)高雷電過(guò)電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過(guò)電壓侵入時(shí),則按虛線路徑,經(jīng)阻容回路Ⅰ流通,限幅降頻;同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù),保護(hù)閥片,延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度,排除匝間擊穿危險(xiǎn)性; 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度(di/dt)成正比,操作過(guò)電壓陡度極高,對(duì)匝間絕緣危害極大,且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明,在操作過(guò)電壓作用下,電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間,且以進(jìn)線端的匝間為主,這說(shuō)明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過(guò)電壓的振蕩頻率,緩解波頭陡度,從而降低繞組間的電位梯度,且能減少斷路器的重燃機(jī)率,成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,如避雷器、各類組合式過(guò)電壓保護(hù)器等,對(duì)改變操作過(guò)電壓的振蕩頻率、降低陡度無(wú)能為力,即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入,環(huán)保節(jié)能; AL-FGB增加了自控接入裝置,在正常運(yùn)行時(shí)僅通過(guò)μA級(jí)電流,不僅節(jié)約電能,而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流,保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng),保護(hù)即時(shí),而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過(guò)電壓(注:不超過(guò)AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。當(dāng)諧振過(guò)電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí),AL-FGB接入電網(wǎng),電容器增大主回路電容,有利于破壞諧振條件,電阻阻尼震蕩,有利于降低諧振過(guò)電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣; 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量,使電容回路的電流異常增大,電阻過(guò)熱,對(duì)過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離,有效控制事故范圍; 諧振過(guò)電壓、間歇性弧光接地過(guò)電壓等系統(tǒng)過(guò)電壓,持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大,但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過(guò)電壓極易損壞過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置,能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過(guò)電壓超過(guò)AL-FGB的承受能力時(shí),自控脫離裝置選擇自我脫離,保護(hù)本體,避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象,控制事故范圍,延長(zhǎng)使用壽命,運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地,又可保護(hù)相間; 四極式聯(lián)接(如圖2-2),具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證:不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣,而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu),體積小,性能穩(wěn)定,而價(jià)格不高。 8、吸收容量大,保護(hù)范圍更廣; 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng),AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF,保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備,且裕量充足;針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng),其電容容量高達(dá)0.1μF,吸收容量更大,保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究,VO級(jí)阻燃材質(zhì); 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器,這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求,該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限,1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行,在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿;極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì);各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹(shù)脂灌封;電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無(wú)感電阻,可靠性大大提高,從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性,使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片,具有良好的陡波響應(yīng)特性,殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過(guò)電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì),使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄,清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況; 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器,清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。

    標(biāo)簽: AL-FGB 過(guò)電壓保護(hù)器

    上傳時(shí)間: 2013-10-16

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  • 基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測(cè)量系統(tǒng)

    針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜,準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題,提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開(kāi)關(guān)陣列,使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別與TLC555構(gòu)成振蕩電路,將測(cè)點(diǎn)的溫度變化轉(zhuǎn)化為振蕩頻率的變化,使用8253計(jì)數(shù)芯片對(duì)TLC555的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并產(chǎn)生中斷,單片機(jī)讀取8253計(jì)數(shù)值反演為測(cè)點(diǎn)溫度。實(shí)驗(yàn)表明,測(cè)點(diǎn)數(shù)目增多不會(huì)增加測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜程度,通過(guò)設(shè)置8253的計(jì)數(shù)初值,可以在不改變硬件的情況下靈活選擇測(cè)量的準(zhǔn)確度和速度,滿足了流體多點(diǎn)精確快速測(cè)溫的需求。同時(shí)該系統(tǒng)具備簡(jiǎn)潔實(shí)用,成本低的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: T-F 變換 多點(diǎn) 流體

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  • 用對(duì)半分法計(jì)算f(x)=0

    用對(duì)半分法計(jì)算f(x)=0

    標(biāo)簽: 計(jì)算

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