經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間: 2014-09-08
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在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
標簽: MOSFET 獨立元件
上傳時間: 2013-11-19
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隨著可攜式及整合多項功能的電子裝置日益增加,電池運行時間已成為產品差異化與客戶滿意度的關鍵因素。以下10項技術概述提供您提升行動裝置 (如智慧型手機、平板電腦、無線感測器或胰島素輸液泵) 電池續航力的必備技巧。
標簽: 行動裝置 電池 續航力
上傳時間: 2013-10-26
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CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
標簽: DDR 記憶體 電源
上傳時間: 2013-10-14
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PC電源測試系統chroma8000簡介
標簽: chroma 8000 電源測試系統
上傳時間: 2013-11-08
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艾默生開關電源基礎
標簽: 開關電源
上傳時間: 2013-10-11
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三、PID調節器各校正環節的作用 1、比例環節:即時成比例地反應控制系統的偏差信號e(t),偏差一旦產生,調節器立即產生控制作用以減小偏差。 2、積分環節:主要用于消除靜差,提高系統的無差度。積分作用的強弱取決于積分時間常數TI,TI越大,積分作用越弱,反之則越強。 3、微分環節:能反應偏差信號的變化趨勢(變化速率),并能在偏差信號的值變得太大之前,在系統中引入一個有效的早期修正信號,從而加快系統的動作速度,減小調節時間。
標簽: PID 算法原理 代碼 調試
上傳時間: 2013-10-19
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+12V、0.5A單片開關穩壓電源,其輸出功率為6W。當輸入交流電壓在110~260V范圍內變化時,電壓調整率Sv≤1%。當負載電流大幅度變化時,負載調整率SI=5%~7%。
標簽: 0.5 12 單片開關 穩壓電源電路
上傳時間: 2014-12-24
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VCC、VDD、VEE、VSS的區別
標簽: VCC VDD VEE VSS
上傳時間: 2013-11-16
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自恢復保險絲原理、參數及應用指南.... 高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復特性......
標簽: 自恢復保險絲
上傳時間: 2013-10-09
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