電感器設(shè)計(jì)工具集-27冊(cè)-46.0M 變壓器漏感對(duì)整流電路的影響-6頁(yè).pdf
上傳時(shí)間： 2013-07-23
上傳用戶：米卡
·航模直流無(wú)刷無(wú)感電機(jī)調(diào)速控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 航模 直流無(wú)刷 電機(jī)調(diào)速 控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-06-09
上傳用戶：xzt
地感線圈車檢器在51單片機(jī)的實(shí)現(xiàn)，成熟！
上傳時(shí)間： 2013-05-29
上傳用戶：907070592
介紹了光纖光柵感溫火災(zāi)探測(cè)系統(tǒng)的應(yīng)用原理，并重點(diǎn)闡述了用CPLD 設(shè)計(jì)虛擬MC14499 器件模塊，給出并解釋了用Verilog HDL 語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)的部分程序和仿真測(cè)試結(jié)果。
標(biāo)簽： 光纖光柵 火災(zāi)探測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-08-16
上傳用戶：zhang_yi
FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能，臺(tái)灣人寫(xiě)的，關(guān)于FPGA應(yīng)用的技術(shù)文章
標(biāo)簽： FPGA 嵌入式 系統(tǒng) 性能
上傳時(shí)間： 2013-08-20
上傳用戶：liuwei6419
基于FPGA的鍵盤掃描模塊的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),感興趣的請(qǐng)下載
上傳時(shí)間： 2013-08-22
上傳用戶：kbnswdifs
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
反激式轉(zhuǎn)換器通常應(yīng)用於具有多個(gè)輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器，多輸出僅增加極少的成本或復(fù)雜度––– 每個(gè)額外的輸出僅要求另一個(gè)變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。
標(biāo)簽： 反激式控制器 輸出 調(diào)節(jié) 性能
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：3294322651
對(duì)於輸出電壓處?kù)遁斎腚妷汗?fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見(jiàn)的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
