電源紋波的產生、危害、測量和抑制
標簽： 電源紋波 測量
上傳時間： 2013-10-31
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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分立元件串聯穩壓電源設計方案(1)
標簽： 分立元件 串聯穩壓 電源設計 方案
上傳時間： 2013-11-03
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開關電源的EMI產生的源頭以及抑制
標簽： EMI 開關電源
上傳時間： 2013-12-29
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在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
標簽： MOSFET 獨立元件
上傳時間： 2013-11-19
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OrCAD元件庫
標簽： OrCAD 元件庫
上傳時間： 2013-10-26
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萬芯元件常用MOSFET AOS替換表
標簽： 萬芯元件
上傳時間： 2013-11-01
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基于rm6203,6222,6401的LED實用驅動電源含pc版，原理圖，資料及元件清單
標簽： 6203 6222 6401 LED
上傳時間： 2013-12-25
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磁性元件特性簡介
標簽： 分 磁性元件
上傳時間： 2013-11-25
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移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC／DC變換電路拓撲形式之一。移相PWM控制方式利用開關管的結電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯電感作為諧振元件，使開關管能進行零電壓開通和關斷，從而有效地降低了電路的開關損耗和開關噪聲，減少了器件開關過程中產生的電磁干擾，為變換器提高開關頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質量提供了良好的條件。然而，傳統的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復過程，會引起寄生振蕩，二極管上存在很高的尖峰電壓，需增加阻容吸收回路進行抑制，文獻提出了兩種帶箝位二極管的拓撲，可以很好地抑制寄生振蕩。本文采取文獻提出的拓撲結構，設計了一臺280 W移相全橋軟開關DC／DC變換器，該變換器輸入電壓為194～310 V，輸出電壓為76V。
標簽： 280W 移相全橋 軟開關
上傳時間： 2014-08-30
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