A number of conventional solutions have been available forthe design of a DC/DC converter where the output voltageis within the input voltage range—a common scenarioin Li-Ion battery-powered applications—but none werevery attractive until now. Conventional topologies, suchas SEPIC or boost followed by buck, have numerousdisadvantages, including low effi ciency, complex magnetics,polarity inversion and/or circuit complexity/cost. TheLTC®3785 buck-boost controller yields a simple, effi cient,low parts-count, single-converter solution that is easyto implement, thus avoiding the drawbacks associatedwith traditional solutions.
標簽：
DC
降壓
升壓型
控制器
上傳時間：
2013-10-21
上傳用戶：ljt101007
采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進一步改善電池的性能。
標簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽能電池
上傳時間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
