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新版污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)境監(jiān)測工作人員人手必備
標(biāo)簽： 排放標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2018-01-08
上傳用戶：jxw0917
符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖
標(biāo)簽： 電源電路
上傳時(shí)間： 2021-12-09
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EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.12-1998EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998
標(biāo)簽： emc gbt17626
上傳時(shí)間： 2021-12-14
EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.11-1998EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.11-1998
上傳用戶：xsr1983
EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.9-1998EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998
EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.6-1998EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.6-1998
上傳用戶：qdxqdxqdxqdx
EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.3-1998EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998
上傳用戶：kent
EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998 EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998
本文論述了基于ST7FMC的電動(dòng)摩托車控制系統(tǒng)的研究。 近年來,由于燃油交通工具尾氣排放對城市空氣造成的嚴(yán)重污染，以及人們生活水平、環(huán)保意識的逐漸提高，綠色交通工具己成為時(shí)代發(fā)展的重要課題。考慮到我國目前的國情，發(fā)展電動(dòng)車具有重要的環(huán)保意義。 隨著電機(jī)技術(shù)及功率器件性能的不斷提高,電動(dòng)車的控制器發(fā)展迅速。但是目前市場上大多數(shù)的電動(dòng)車產(chǎn)品均采用低集成度元件控制裝置，功能過于簡單，不能充分發(fā)揮系統(tǒng)潛力及處理一些特殊的控制問題。 提出了基于意法半導(dǎo)體芯片ST7FMC的永磁無刷直流電動(dòng)機(jī)的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，進(jìn)行了低成本、高智能的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能滿足更多應(yīng)用場合的需要。主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行了分析與研究: 首先，建立無刷直流電機(jī)的數(shù)學(xué)模型，并分析其電機(jī)運(yùn)行特性。 其次，根據(jù)ST專用單片機(jī)的特點(diǎn)詳細(xì)設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的控制策略：將調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)為電流、速度雙閉環(huán)的PI算法控制，以保證調(diào)速性能和電流控制精度；采用ST芯片固有的寄存器進(jìn)行速度的檢測，比較精確；將相電流檢測設(shè)計(jì)成母線電流PWM On中點(diǎn)檢測；采用了高性能的驅(qū)動(dòng)集成電路IR2136來驅(qū)動(dòng)MOSFET組成的全橋逆變電路；驅(qū)動(dòng)方式采用新型的凸形波驅(qū)動(dòng)控制方法。 最后，組裝了試驗(yàn)樣車，通過實(shí)驗(yàn)室觀測及實(shí)地運(yùn)行，驗(yàn)證了系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。 由此得出結(jié)論：本課題設(shè)計(jì)的基于ST7FMC的電動(dòng)摩托車控制系統(tǒng)具有運(yùn)行性能良好、可靠性高的特點(diǎn)，為后續(xù)的研究工作提供了一定的基礎(chǔ)。
標(biāo)簽： ST7FMC 電動(dòng)摩托車 控制系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-05-17
上傳用戶：電子世界
近年來，人們對環(huán)境保護(hù)越來越重視，SF<,6>氣體的使用和排放受到限制，從而使電器領(lǐng)域內(nèi)SF<,6>斷路器的發(fā)展也受到限制。而真空斷路器充分利用了真空優(yōu)異的絕緣與熄弧特性，且對環(huán)境不造成污染，所以目前在中壓領(lǐng)域已經(jīng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，而且不斷向高電壓、大容量方向發(fā)展。因此，未來高壓真空斷路器必然取代高壓SF<,6>斷路器。真空滅弧室是真空斷路器的“心臟”，所以，開發(fā)高壓真空斷路器最關(guān)鍵的是滅弧室的設(shè)計(jì)。本文對110kV的真空滅弧室的內(nèi)部電磁場進(jìn)行了仿真分析，為我國開發(fā)110kV真空斷路器提供一定的參考。 本文采用有限元軟件對110kV真空斷路器滅弧室內(nèi)部靜電場進(jìn)行了仿真分析，得到了滅弧室內(nèi)部各種屏蔽罩的大小、尺寸和位置對電場分布的影響；觸頭距離對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響；傘裙對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響。再根據(jù)等離子體和金屬蒸氣具有一定導(dǎo)電率的特點(diǎn)，從麥克斯韋基本方程出發(fā)，推導(dǎo)了滅弧室內(nèi)部電場所滿足的計(jì)算方程，然后用有限元法對二維電場進(jìn)行了求解。考慮到弧后粒子消散過程中，電極和懸浮導(dǎo)體表面會有帶電微粒的存在，又計(jì)算分析了帶電微粒對真空滅弧室電場分布的影響，進(jìn)而提出了使滅弧室內(nèi)部電場更加均勻的措施。 根據(jù)大電流真空電弧的物理模型，基于磁場對電流的作用力理論，計(jì)算分析了真空電弧自生磁場的收縮效應(yīng)以及對分?jǐn)嚯娀〉挠绊懀玫搅嘶≈凶陨艌霎a(chǎn)生的電磁壓強(qiáng)分布，最后分析了外加縱向磁場分量對減小自生磁場收縮效應(yīng)的作用。 建立了110kV、1/2線圈以及1/3線圈縱向磁場觸頭三維電極模型，并利用有限元法進(jìn)行了三維靜磁場和渦流場仿真。得到了電流在峰值和過零時(shí)縱向磁場分別在觸頭片表面和觸頭間隙中心平面上的二維和三維分布，給出了這兩種觸頭在電流過零時(shí)縱向磁場滯后時(shí)間沿徑向路徑和軸向路徑的分布規(guī)律，最后還對這兩種觸頭的性能進(jìn)行了比較。
標(biāo)簽： 110 kV 真空斷路器
上傳時(shí)間： 2013-07-09
上傳用戶：smthxt
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