鍵盤顯示通常采用以下三種方式 1采用并行接口的鍵盤顯示專用芯片8279，8279外匪元器件多c顯示驅動、譯碼等)、占用電路板面積大、綜合成本較高 在中小系統中常常大材小用．2采用通用并行I／(3芯片擴展c如8255等】．需要驅動顯示．鍵盤顯示掃描占用大量CPU時間．3 采用帶FC總線的鍵盤顯示芯片.本文的MAX6955驅動器采用Maxim 公司推出的帶鍵盤掃描、LED 顯示， 具有400kbps、FC兼容白勺2線串行接口．可大大簡化設計。
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：時代電子小智
現階段對電流型二線制光照強度變送器的研究還相對較少，設計的光照強度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩定，不能輸出標準4~20 mA電流信號的問題。介紹了一種電流型二線制光照強度變送器的設計，其結構由光照強度轉電壓電路、電壓范圍轉換電路、電壓轉電流電路以及穩壓電源產生電路組成。實驗結果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩定可靠地輸出標準4~20 mA電流的特點。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：star_in_rain
電壓驅動型脈寬調制器TL494
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：rolypoly152
A number of conventional solutions have been available forthe design of a DC/DC converter where the output voltageis within the input voltage range—a common scenarioin Li-Ion battery-powered applications—but none werevery attractive until now. Conventional topologies, suchas SEPIC or boost followed by buck, have numerousdisadvantages, including low effi ciency, complex magnetics,polarity inversion and/or circuit complexity/cost. TheLTC®3785 buck-boost controller yields a simple, effi cient,low parts-count, single-converter solution that is easyto implement, thus avoiding the drawbacks associatedwith traditional solutions.
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：ljt101007
符合全球標準的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間： 2014-04-17
上傳用戶：fklinran
AC通用輸入(100~240V AC)全球對應型電源1
上傳時間： 2014-04-15
上傳用戶：u789u789u789
本文針對6KV中壓電網三相平衡負載的無功功率補償，結合二極管箝位多電平逆變器和H橋級聯多電平逆變器的特點，提出了一種能夠直接并入電網的新型主從式的逆變器結構：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級聯的形式連接，最后構成一個五電平的混聯逆變器。從逆變器負責產生一個方波電壓，構成輸礎正弦電壓的基本成分：主逆變器產生輸出電壓的補償部分以及負責消除低次諧波。對于主逆變器直流側電容電壓的平衡問題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調制時控制方法的復雜性。因為集成門極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優點，主電路選用IGCT作為開關器件。本文詳細分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結構，同時給出了電路參數的確定方法，并對STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進行了理論分析。根據本文提出的主從型逆交器結構特點，建立了基于瞬時無功理論的STATCOM系統動態控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結構在消除諧波方面的優越性。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：frank1234
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
了解高壓變頻系統共模電壓及其特點,對整個變頻系統的設計具有重要意義。文中較詳細地分析了級聯型多電平高壓變頻系統共模電壓的產生機理,對兩種電壓胞脈寬調制(PWM) 方法引起的共模電壓進行了比較,提出了采用電壓胞異相調制和3 次諧波注入法減小變頻系統共模電壓的策略。仿真計算表明,該方法既能減小變頻系統輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：nairui21
描述了三相電壓源型PWM整流器的工作原理，基于整流器網側電流矢量推導出同步旋轉坐標系下系統的數學模型，給出了一種電流前饋解耦控制算法。同時詳細介紹了基于電流前饋解耦的PWM整流器雙環控制系統設計方法。并且應用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP數字化實驗系統。實驗結果表明，該整流器能獲得單位功率因數的正弦輸入電流、穩定的直流輸出電壓和快速的動態響應。
上傳時間： 2013-10-11
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