為了在數(shù)據(jù)加密工程中推進(jìn)一步推廣AES標(biāo)準(zhǔn)，提高用AES標(biāo)準(zhǔn)加密數(shù)據(jù)的效率、安全性和靈活性，節(jié)省數(shù)據(jù)加密的軟硬件資源，本論文用邏輯代數(shù)、二進(jìn)制數(shù)、模2四則運(yùn)算知識和GF域的四則運(yùn)算知識對按照AES的數(shù)據(jù)加密算法Rijndael的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了深入仔細(xì)地分析研究，提出了實(shí)現(xiàn)Rijndael的新方法和新技術(shù)，并對相關(guān)技術(shù)用通俗明確的語句進(jìn)行了說明。本論文提出的數(shù)據(jù)加密的實(shí)現(xiàn)方法可以應(yīng)用到實(shí)際工程中，具有節(jié)省數(shù)據(jù)加密器的軟硬件資源的特點(diǎn)。
標(biāo)簽： AES 加密數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2014-12-29
上傳用戶：新手無憂
提出一種高性能全數(shù)字式正弦波逆變電源的設(shè)計(jì)方案。該方案分為前后兩級，前級采用推挽升壓電路將輸入的直流電升壓到350 V左右的母線電壓，后級采用全橋逆變電路，逆變橋輸出經(jīng)濾波器濾波后，用隔離變壓器進(jìn)行電壓采樣，電流互感器進(jìn)行電流采樣，以形成反饋環(huán)節(jié)，增加電源輸出的穩(wěn)定性。升壓級PWM驅(qū)動(dòng)及逆變級SPWM驅(qū)動(dòng)均由STM32單片機(jī)產(chǎn)生，減小了硬件開支。基于上述方案試制的400 W樣機(jī)，具有輸出短路保護(hù)、過流保護(hù)及輸入過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)功能，50 Hz輸出時(shí)頻率偏差小于0.05 Hz，滿載（400 W）效率高于87%，電壓精度為220 V±1%，THD小于1.5%。
標(biāo)簽： STM 32 單片機(jī) 數(shù)控
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：guojin_0704
8051F系列單片機(jī)是Silab公司推的高速51單片機(jī)，相對傳統(tǒng)51單片機(jī)，增加了不少新的內(nèi)容，值得推薦，通過芯片的JTAG口，可對目標(biāo)系統(tǒng)仿真和編程，使得開發(fā)和維護(hù)程序比以往都更輕松和容易。
標(biāo)簽： C8051F 單片機(jī) 仿真器 使用說明
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：曹云鵬
一、在開機(jī)前先檢查機(jī)器的電源和氣源是否接好，氣壓表讀數(shù)必需在0.55-0.8MPa之間，將貼片頭推回到左上角，打開機(jī)器、電腦、圖像處理器電源開關(guān)。二、電腦啟動(dòng)完成，點(diǎn)擊桌面圖標(biāo)“Expert.exe”，打開機(jī)器軟件。三、對應(yīng)PCB，選擇相對應(yīng)的貼片程序打開。四、根據(jù)貼片程序顯示的裝料表，將不同的元器件裝在對應(yīng)的位置。五、放入PCB在平臺治具上固定。六、移動(dòng)貼片頭，確認(rèn)參考位置。七、移動(dòng)貼片頭，根據(jù)貼片程序指示，吸取元器件放在PCB上對應(yīng)的位置，觀察電腦顯示器，貼片有無移位。八、重復(fù)第7項(xiàng)，直致程序指示貼片完成。九、貼片完畢，清潔臺面，關(guān)閉機(jī)器。
標(biāo)簽： EXPERT 半自動(dòng) 貼片機(jī) 操作規(guī)程
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：lhll918
9.16 SIMATIC 邏輯堆棧指令棧裝載與 (ALD)ALD 指令對堆棧中的第一層和第二層的值進(jìn)行邏輯與操作結(jié)果放入棧頂執(zhí)行完 ALD 指令后堆棧深度減 1操作數(shù) 無棧裝載或 (OLD)OLD 指令對堆棧中的第一層和第二層的值進(jìn)行邏輯或操作結(jié)果放入棧頂執(zhí)行完 OLD 指令后堆棧深度減 1操作數(shù) 無邏輯推入棧LPS 指令復(fù)制棧頂?shù)闹挡⑦@個(gè)值推入棧棧底的值被推出并丟失操作數(shù) 無
上傳時(shí)間： 2014-01-19
上傳用戶：Maple
圓曲線坐標(biāo)計(jì)算程序_軟件工具【基本介紹】 可計(jì)算圓曲線帶有緩和曲線中、邊樁坐標(biāo)及切線方位角。 1、本軟件可計(jì)算圓曲線帶有緩和曲線中、邊樁坐標(biāo)及切線方位角，若只需計(jì)算圓曲線則緩和曲線輸入0即可。 2、附有正算、反算功能，正算：通過里程和偏距計(jì)算坐標(biāo)，反算：通過坐標(biāo)反推里程和偏距。 3、數(shù)據(jù)輸入：曲線轉(zhuǎn)角α和計(jì)算方位角F按d.ms格式輸入，如：-14°18ˊ10″則為：-14.1810，選擇“連續(xù)計(jì)算”時(shí)偏距和偏角同單點(diǎn)計(jì)算一致。 4、具有數(shù)據(jù)導(dǎo)入、導(dǎo)出功能，可把已知數(shù)據(jù)輸入在文本文檔中進(jìn)行導(dǎo)入，導(dǎo)出則是把已經(jīng)輸入好的數(shù)據(jù)導(dǎo)出到指定位置。 5、數(shù)據(jù)處理完畢后點(diǎn)擊“保存數(shù)據(jù)”可進(jìn)行保存曲線五大樁、曲線參數(shù)表，連續(xù)計(jì)算模式“保存數(shù)據(jù)”可導(dǎo)出計(jì)算成果。
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：anng
圓曲線坐標(biāo)計(jì)算程序_軟件工具【基本介紹】 可計(jì)算圓曲線帶有緩和曲線中、邊樁坐標(biāo)及切線方位角。 1、本軟件可計(jì)算圓曲線帶有緩和曲線中、邊樁坐標(biāo)及切線方位角，若只需計(jì)算圓曲線則緩和曲線輸入0即可。 2、附有正算、反算功能，正算：通過里程和偏距計(jì)算坐標(biāo)，反算：通過坐標(biāo)反推里程和偏距。 3、數(shù)據(jù)輸入：曲線轉(zhuǎn)角α和計(jì)算方位角F按d.ms格式輸入，如：-14°18ˊ10″則為：-14.1810，選擇“連續(xù)計(jì)算”時(shí)偏距和偏角同單點(diǎn)計(jì)算一致。 4、具有數(shù)據(jù)導(dǎo)入、導(dǎo)出功能，可把已知數(shù)據(jù)輸入在文本文檔中進(jìn)行導(dǎo)入，導(dǎo)出則是把已經(jīng)輸入好的數(shù)據(jù)導(dǎo)出到指定位置。 5、數(shù)據(jù)處理完畢后點(diǎn)擊“保存數(shù)據(jù)”可進(jìn)行保存曲線五大樁、曲線參數(shù)表，連續(xù)計(jì)算模式“保存數(shù)據(jù)”可導(dǎo)出計(jì)算成果。
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：幾何公差
本人在修改一個(gè) GSM 模塊時(shí)，因?yàn)榱硗庠黾恿斯δ苣K，四層板已經(jīng)無法滿足設(shè)計(jì)，需要修改為六層板。因?yàn)槲疫€想共用以前的設(shè)計(jì)不想做大的修改，所以增加的兩層需要按照我的疊層增加在上面（在L2 和L3 中間增加一層，在L3 和L4 中間增加一層）。網(wǎng)上找了這方面的資料發(fā)現(xiàn)沒有。后面就作罷，四層板來推擠，實(shí)在頭大，就來摸索修改，發(fā)現(xiàn)只用三步就可搞定。留文一篇，共大家借鑒。
上傳時(shí)間： 2014-01-15
上傳用戶：CHENKAI
賽靈思推出的三款全新產(chǎn)品系列不僅發(fā)揮了臺積電28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工藝技術(shù)前所未有的功耗、性能和容量優(yōu)勢，而且還充分利用 FPGA 業(yè)界首款統(tǒng)一芯片架構(gòu)無與倫比的可擴(kuò)展性，為新一代系統(tǒng)提供了綜合而全面的平臺基礎(chǔ)。目前，隨著賽靈思 7 系列 (Virtex®-7、Kintex™-7 和Artix™-7 系列) 的推出，賽靈思將系統(tǒng)功耗、性價(jià)比和容量推到了全新的水平，這在很大程度上要?dú)w功于臺積電 28nm HKMG 工藝出色的性價(jià)比優(yōu)勢以及芯片和軟件層面上的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。結(jié)合業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 EasyPath™成本降低技術(shù)，上述新系列產(chǎn)品將為新一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來無與倫比的價(jià)值
標(biāo)簽： Virtex Kintex Artix FPGA
上傳時(shí)間： 2015-01-02
上傳用戶：shuizhibai
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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