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  • 對(duì)于電源故障保護(hù)應(yīng)用,超級(jí)電容器能夠替代后備電池

    在越來(lái)越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障,則接入一個(gè)後備電源,用於給負(fù)載供電

    標(biāo)簽: 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器

    上傳時(shí)間: 2014-01-08

    上傳用戶:lansedeyuntkn

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā) 資料

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過(guò)增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。

    標(biāo)簽: 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例和開(kāi)關(guān)電源調(diào)試基礎(chǔ)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:李哈哈哈

  • 4x4鍵盤(pán)的設(shè)計(jì)與制作

    三種方法讀取鍵值􀂄 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤(pán)介面,一般常採(cǎi)用三種方法讀取鍵值。􀂉 中斷式􀂄 在鍵盤(pán)按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過(guò)不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。􀂄 本實(shí)驗(yàn)採(cǎi)用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤(pán)介面。􀂉 掃描法􀂄 對(duì)鍵盤(pán)上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。􀂉 反轉(zhuǎn)法􀂄 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。􀂄 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤(pán)按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路,這也是見(jiàn)的使用者鍵盤(pán)設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤(pán)程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開(kāi) { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤(pán)碼 } } else return 17; //沒(méi)有按鍵按下 }

    標(biāo)簽: 4x4 鍵盤(pán)

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:a673761058

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