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數(shù)字示波

  • 信號放大電路

    2-1 何謂測量放大電路?對其基本要求是什么? 在測量控制系統中,用來放大傳感器輸出的微弱電壓,電流或電荷信號的放大電路稱為測量放大電路,亦稱儀用放大電路。對其基本要求是:①輸入阻抗應與傳感器輸出阻抗相匹配;②一定的放大倍數和穩定的增益;③低噪聲;④低的輸入失調電壓和輸入失調電流以及低的漂移;⑤足夠的帶寬和轉換速率(無畸變的放大瞬態信號);⑥高輸入共模范圍(如達幾百伏)和高共模抑制比;⑦可調的閉環增益;⑧線性好、精度高;⑨成本低。   2-2 圖2-2a所示斬波穩零放大電路中,為什么采用高、低頻兩個通道,即R3、C3組成的高頻通道和調制、解調、交流放大器組成的低頻通道? 采用高頻通道是為了使斬波穩零放大電路能在較寬的頻率范圍內工作,而采用低頻通道則能對微弱的直流或緩慢變化的信號進行低漂移和高精度的放大。   2-3 請參照圖2-3,根據手冊中LF347和CD4066的連接圖(即引腳圖),將集成運算放大器LF347和集成模擬開關CD4066接成自動調零放大電路。 LF347和CD4066接成的自動調零放大電路如圖X2-1。

    標簽: 信號放大電路

    上傳時間: 2013-10-09

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  • 斬波穩定(自穩零)精密運算放大器

    要想獲得最低的失調和漂移性能,斬波穩定(自穩零)放大器可能是唯一的解決方案。最好的雙極性放大器的失調電壓為25 V,漂移為0.1 V/ºC。斬波放大器盡管存在一些不利影響,但可提供低于5 V的失調電壓,而且不會出現明顯的失調漂移,

    標簽: 斬波穩定 精密 運算放大器

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:z754970244

  • 反饋電容對VFB和CFB運算放大器的影響

    在VFB運算放大器的反饋環路中使用一個電容是非常常見的做法,其目的是影響頻率響應,就如在簡單的單極點低通濾波器中一樣,如下面的圖1所示。結果將噪聲增益繪制成了一幅波特圖,用于分析穩定性和相位裕量

    標簽: VFB CFB 反饋電容 運算放大器

    上傳時間: 2013-10-29

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞:比損耗系數, 磁滯常數ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家,在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施,促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統,其非線性失真有很嚴格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調節振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求, 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結,出窯后經真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料,在此基礎上,還實現了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM(頻率劃分調制)向PCM(脈沖編碼調制) 轉換時期, 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優鐵氧體材料<3>,其磁滯系數降為優鐵

    標簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

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  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 文氏電橋正弦波發生器設計和參數計算

    文氏電橋正弦波發生器設計和參數計算

    標簽: 文氏電橋 參數計算 正弦波發生器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:yy541071797

  • RC橋式正弦波振蕩電路的輸出幅值分析

    在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中,一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標,而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試,研究了決定電路輸出幅值的因素,即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數的大小有關,在電路的線性工作范圍內,起振時電壓放大倍數比3大得越多,最后的穩定輸出電壓幅值也越大。研究結論有利于系統地研究振蕩電路的構成及電路元件參數的選擇。

    標簽: RC橋 正弦波 振蕩電路 幅值

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:潛水的三貢

  • 同軸環激勵圓波導耦合器設計

    滿足上海65 m射電望遠鏡噪聲注入要求,設計了一種新型的同軸環激勵圓波導耦合器,該耦合器有較低的同軸激勵口駐波和平坦的耦合值,利用環天線和傳輸線概念分析了該耦合器的工作原理,作為實例,設計了一個S波段的耦合器,加工了耦合器實物樣品,實驗測量表明,測量結果和仿真結果吻合良好。

    標簽: 同軸環 激勵 波導 耦合器

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:小鵬

  • 經典1000W純正弦波逆變器原理圖

    經典1000W純正弦波逆變器原理圖

    標簽: 1000W 正弦波逆變器 原理圖

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:frank1234

  • 準確的電源排序可防止系統受損

    諸如電信設備、存儲模塊、光學繫統、網絡設備、服務器和基站等許多復雜繫統都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數字 IC,這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作,否則 IC 就會遭到損壞。

    標簽: 電源排序 防止

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:packlj

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