經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：阿譚電器工作室
CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
開關電源設計資料
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：李哈哈哈
特點 最高輸入頻率 10KHz 計數速度 50/10000脈波/秒可選擇 四種輸入模式可選擇(加算,減算,加減算,90度相位差加減算) 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預設刻度功能 前置量設定功能(二段設定)可選擇 數位化指撥設定操作簡易 計數暫時停止功能 3組報警功能 2:主要規格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <10KHz (up,down,up/down mode) <5KHz (quadrature mode) 輸出動作時間 : 0.1 to 99.9 second adjustable 輸出復歸方式: Manual(N) or automatic (R or C) can be modif 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數設定方式: Touch switches 感應器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) ( 感應器電源 ) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：909000580
特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：lhuqi
A. 產生一個長為1000的二進制隨機序列，“0”的概率為0.8，”1”的概率為0.2；B. 對上述數據進行歸零AMI編碼，脈沖寬度為符號寬度的50%，波形采樣率為符號率的8倍，畫出前20個符號對應的波形（同時給出前20位信源序列）；C. 改用HDB3碼，畫出前20個符號對應的波形；D. 改用密勒碼，畫出前20個符號對應的波形；E. 分別對上述1000個符號的波形進行功率譜估計，畫出功率譜；F. 改變信源“0”的概率，觀察AMI碼的功率譜變化情況；
上傳時間： 2015-03-16
上傳用戶：Altman
這是一個在MATLAB環境下，gardner位恢復源碼，很有參考價值
上傳時間： 2016-02-14
上傳用戶：wl9454
透過a51的程式，使用者可以使用ATMEL T89C51CC01內建的類比轉數位功能，提高學習者的學習效率。
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：王小奇
透過C51的程式，使用者可以使用ATMEL T89C51CC01內建的類比轉數位功能，提高學習者的學習效率。
上傳時間： 2016-09-05
上傳用戶：王者A
