在無線通信系統(tǒng)全面進(jìn)入3G并開始邁向 4G的過程中,使用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)(Digital Pre-distortion,以下簡稱DPD)對(duì)發(fā)射機(jī)的功放進(jìn)行線性化是一門關(guān)鍵技術(shù)。功率放大器是通信系統(tǒng)中影響系統(tǒng)性能和覆蓋范圍的關(guān)鍵部件,非線性是功放的固有特性。非線性會(huì)引起頻譜增長(spectral re-growth),從而造成鄰道干擾,使帶外雜散達(dá)不到協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。非線性也會(huì)造成帶內(nèi)失真,帶來系統(tǒng)誤碼率增大的問題。
標(biāo)簽: DPD 數(shù)字預(yù)失真 算法 驗(yàn)證方案
上傳時(shí)間: 2013-10-19
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用ad9850激勵(lì)的鎖相環(huán)頻率合成器山東省濟(jì)南市M0P44 部隊(duì)Q04::00R 司朝良摘要! 提出了一種ad9850和ad9850相結(jié)合的頻率合成方案! 介紹了ad9850芯片ad9850的基本工作原理" 性能特點(diǎn)及引腳功能! 給出了以1!2345 作為參考信號(hào)源的鎖相環(huán)頻率合成器實(shí)例! 并對(duì)該頻率合成器的硬件電路和軟件編程進(jìn)行了簡要說明#關(guān)鍵詞! !!" 鎖相環(huán)頻率合成器數(shù)據(jù)寄存器
標(biāo)簽: 9850 ad 鎖相環(huán) 激勵(lì)
上傳時(shí)間: 2013-10-18
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高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器評(píng)估平臺(tái)(HSDCEP)是基于PC的平臺(tái),提供評(píng)估Maxim RF數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(RF-DAC,支持更新速率≥ 1.5Gsps)和Maxim數(shù)字上變頻器(DUC)的齊全工具。HSDCEP可以在每對(duì)數(shù)據(jù)引腳產(chǎn)生速率高達(dá)1.25Gbps的測試碼型,支持多達(dá)4條并行16位LVDS總線。通過USB 2.0端口將最長64兆字(Mw)、每字16位寬的數(shù)據(jù)碼型裝載至HSDCEP存儲(chǔ)器
標(biāo)簽: HSDCEP 高速數(shù)據(jù) 轉(zhuǎn)換器 評(píng)估平臺(tái)
上傳時(shí)間: 2013-10-25
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2014-01-20
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設(shè)計(jì)了一種基于L6562的單級(jí)PFC反激LED電源,闡述了該電源的工作原理,對(duì)相關(guān)公式進(jìn)行了推導(dǎo),對(duì)功率因數(shù)校正功能的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了分析,并提出了提升效率的方法。最后制作了原理樣機(jī),通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該LED驅(qū)動(dòng)電源的高效率、高功率因數(shù)的特點(diǎn)。
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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為研究功率型鋰離子電池性能,對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析,由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明,低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大,充放電性能衰減顯著;常溫下電池的內(nèi)阻較小,充放電溫升較小,大電流充放電的容量穩(wěn)定性好,質(zhì)量比能量高,作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間: 2013-11-13
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介紹電動(dòng)汽車感應(yīng)充電系統(tǒng)松耦合變壓器的特性,通過Ansoft有限元分析軟件對(duì)松耦合變壓器進(jìn)行仿真分析,結(jié)合簡化磁路模型和磁力線分布,得出大氣隙下的EE磁芯的精確模型。結(jié)合精確模型和模擬結(jié)果,給出橫截面積對(duì)耦合系數(shù)的影響,實(shí)際制作變壓器,測量發(fā)現(xiàn),面積增加,耦合系數(shù)得到提高,輸出電壓能力增強(qiáng),為松耦合變壓器的優(yōu)化設(shè)計(jì)和進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)提供理論指導(dǎo)和參考。
上傳時(shí)間: 2013-10-10
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這里本站向大家介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。它的輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
標(biāo)簽: MOS 電源變壓器 場效應(yīng)管 逆變器
上傳時(shí)間: 2013-11-08
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HT45F23 MCU 為用戶提供兩組獨(dú)立的比較器,並都由軟體控制,輸入輸出口安排靈活,均 與I/O 共用引腳。本文著重介紹HT45F23 比較器的功能使用的相關(guān)設(shè)定與應(yīng)用方式。
標(biāo)簽: Comparator 45F F23 HT
上傳時(shí)間: 2013-10-16
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畢業(yè)設(shè)計(jì) USB TO Gigabit LAN 網(wǎng)卡 隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)飛速發(fā)展,多媒體的應(yīng)用越來越多,人們對(duì)網(wǎng)絡(luò)的要求也越來越高,為了適應(yīng)市場的需求,網(wǎng)卡出現(xiàn)了。它以其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、兼容性強(qiáng)等諸多的優(yōu)越性得到了廣泛的應(yīng)用。由于網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用越來越廣泛,網(wǎng)卡的應(yīng)用也越來越多、功能越來越強(qiáng)大。開始時(shí)由于技術(shù)方面的限制,網(wǎng)卡只有10Mbps的吞吐量,由于網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展,100Mbps吞吐量的網(wǎng)卡開始在市場上得到廣泛的應(yīng)用。而現(xiàn)在1000Mbps吞吐量的網(wǎng)卡的出現(xiàn)又給網(wǎng)絡(luò)的傳輸帶來了新的活力。 論文中主要闡述了基于以太網(wǎng)的USB TO Gigabit LAN網(wǎng)卡的設(shè)計(jì)與制作。論文首先對(duì)以太網(wǎng)進(jìn)行了介紹,緊接著講了網(wǎng)卡的基本知識(shí)。隨后又對(duì)USB TO Gigabit LAN網(wǎng)卡的電路設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行了詳細(xì)的描述。論文還包括了USB TO Gigabit LAN網(wǎng)卡的調(diào)試等內(nèi)容。
上傳時(shí)間: 2014-12-02
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