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旁路<b>電容</b>

DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
微電腦型數(shù)學(xué)演算式雙輸出隔離傳送器

特點(diǎn)(FEATURES) 精確度0.1%滿刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 類(lèi)比輸出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 輸入/輸出1/輸出2絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì)(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,穩(wěn)定性高(Dimension small and High stability)

標(biāo)簽： 微電腦數(shù)學(xué)演算輸出隔離傳送器

上傳時(shí)間： 2013-11-24

上傳用戶：541657925
現(xiàn)代電源技術(shù)中電容器的正確選用

電容器作為基本元件在電子線路中起著重要作用，在傳統(tǒng)的應(yīng)用中，電容器主要用作旁路耦合、電源濾波、隔直以及小信號(hào)中的振蕩、延時(shí)等。以上電路對(duì)電容器參數(shù)的主要要求有：電容量；額定電壓；正切損耗；漏電流等，對(duì)其它參數(shù)沒(méi)有過(guò)多的要求。隨著電子線路，特別是電力電子電路的發(fā)展對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)合的電容器提出了不同的特殊要求。

標(biāo)簽： 電源技術(shù) 電容器正

上傳時(shí)間： 2013-10-13

上傳用戶：weiwolkt
中壓五電平單元級(jí)聯(lián)變頻器的研究與設(shè)計(jì)

波形質(zhì)量更好。論文介紹了五電平功率單元級(jí)聯(lián)變頻器的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)特點(diǎn)、探討了輸入移相整流技術(shù)，運(yùn)用坐標(biāo)變換的方法推導(dǎo)和分析了單元級(jí)聯(lián)變頻器及異步電機(jī)矢量控制系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型。研究和比較了級(jí)聯(lián)式變頻器的幾種PWM算法的特點(diǎn)，并選取載波相移層疊混合PWM方式為變頻器的控制方式。提出了三點(diǎn)式五電平功率單元的開(kāi)關(guān)控制策略，以及單元平衡控制的解決方案。并研究了矢量控制方法在中壓級(jí)聯(lián)變頻器系統(tǒng)的應(yīng)用。研究和完成了控制系統(tǒng)的軟件、硬件方案設(shè)計(jì)，對(duì)于系統(tǒng)的兩級(jí)旁路保護(hù)與實(shí)現(xiàn)、在線故障識(shí)別系統(tǒng)，DSP／CPLD冗余控制系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了研究。同時(shí)對(duì)采取該變頻器供電的異步電機(jī)PWM控制系統(tǒng)和異步電機(jī)矢量控制系統(tǒng)分別進(jìn)行了仿真研究，成功研制了中壓五電平單元級(jí)聯(lián)變頻器樣機(jī)。在不同負(fù)載和不同實(shí)驗(yàn)條件下對(duì)變頻器樣機(jī)進(jìn)行了滿功率大電流實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明五電平功率單元級(jí)聯(lián)變頻器輸出穩(wěn)定，動(dòng)態(tài)響應(yīng)好，得到了滿意的預(yù)期效果。論文最后對(duì)研究工作進(jìn)行了總結(jié)，并提出了一些需要進(jìn)一步探討和解決的問(wèn)題。

標(biāo)簽： 中壓電平變頻器級(jí)聯(lián)

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：上善若水
高頻變壓器對(duì)移相全橋共模噪音的影響

詳細(xì)分析了移相全橋電路初次級(jí)噪聲源和噪聲傳播路徑的特點(diǎn)。針對(duì)初級(jí)共模噪聲的特點(diǎn), 分析了為改善初級(jí)共模噪音而提供的旁路回路和良好屏蔽措施等的有效性; 研究了變壓器次級(jí)繞組對(duì)屏蔽層形成不對(duì)稱(chēng)分布電容的原因及其對(duì)次級(jí)噪聲的影響。從高頻變壓器結(jié)構(gòu)出發(fā), 給出了幾種改進(jìn)變壓器結(jié)構(gòu)的方案; 改善了次級(jí)繞組對(duì)屏蔽層分布電容不平衡的情況, 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了分析結(jié)果。

標(biāo)簽： 高頻變壓器移相全橋模

上傳時(shí)間： 2014-03-30

上傳用戶：semi1981
怎樣制備高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能薄膜

當(dāng)光照較弱時(shí)漏電電阻對(duì)光電流的影響較小，而對(duì)開(kāi)路電壓的影響較大當(dāng)光照較強(qiáng)時(shí)，二極管電流遠(yuǎn)大于漏電電流，此時(shí)并聯(lián)電阻對(duì)光電池影響較小，串聯(lián)電阻對(duì)開(kāi)路電壓機(jī)會(huì)沒(méi)有影響，但對(duì)短路電流影響很大。所以要制備并聯(lián)電阻較大但串聯(lián)電阻較小的光電池，提高其填充因子FF。砷化鎵電池的旁路電阻大于1K，對(duì)輸出特情基本沒(méi)有影響，當(dāng)總串聯(lián)電阻增加到5時(shí)，電池的轉(zhuǎn)換效率就要下降30%，可見(jiàn)串聯(lián)電阻對(duì)砷化鎵太陽(yáng)能電池的影響是較大的，最近對(duì)于硅電池，要求實(shí)用化的產(chǎn)品的串聯(lián)電阻在0.5以下。影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的一些因素主要以硅電池為例光生電流的光學(xué)損失，有三種：

標(biāo)簽： 轉(zhuǎn)換效率太陽(yáng)能薄膜

上傳時(shí)間： 2014-01-21

上傳用戶：離殤
單片直接驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管的計(jì)數(shù)器程序

　　a_bit equ 20h ;個(gè)位數(shù)存放處　　b_bit equ 21h ;十位數(shù)存放處　　temp equ 22h ;計(jì)數(shù)器寄存器　　star: mov temp,#0 ;初始化計(jì)數(shù)器　　stlop: acall display 　　inc temp 　　mov a,temp 　　cjne a,#100,next ;=100重來(lái) 　　mov temp,#0 　　next: ljmp stlop 　　;顯示子程序　　display: mov a,temp ;將temp中的十六進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成10進(jìn)制　　mov b,#10 ;10進(jìn)制/10=10進(jìn)制　　div ab 　　mov b_bit,a ;十位在a 　　mov a_bit,b ;個(gè)位在b 　　mov dptr,#numtab ;指定查表啟始地址　　mov r0,#4 　　dpl1: mov r1,#250 ;顯示1000次　　dplop: mov a,a_bit ;取個(gè)位數(shù) 　　MOVC A,@A+DPTR ;查個(gè)位數(shù)的7段代碼　　mov p0,a ;送出個(gè)位的7段代碼

標(biāo)簽： 直接驅(qū)動(dòng) 數(shù)碼管計(jì)數(shù)器程序

上傳時(shí)間： 2013-11-06

上傳用戶：lx9076
用單片機(jī)制作多功能莫爾斯碼電路

用單片機(jī)制作多功能莫爾斯碼電路:用單片機(jī)制作多功能莫爾斯碼電路莫爾斯電碼通信有著悠久的歷史，盡管它已被現(xiàn)代通信方式所取代，但在業(yè)余無(wú)線電通信和特殊的專(zhuān)業(yè)場(chǎng)合仍具有重要的地位，這是因?yàn)榈确姶a通信的抗干擾能力是其它任何一種通信方式都無(wú)法相比的。在短波波段用幾瓦的功率即可進(jìn)行國(guó)際間的通信，收發(fā)射設(shè)備簡(jiǎn)單易制成本低廉，所以深受業(yè)余無(wú)線電愛(ài)好者的喜愛(ài)，是業(yè)余無(wú)線電高手必備的技能。要想熟練掌握莫爾斯電碼的收發(fā)技術(shù)除了持之以恒的毅力外，還需要相關(guān)的設(shè)備。設(shè)計(jì)本電路的目的就是給愛(ài)好者提供一個(gè)實(shí)用和訓(xùn)練的工具。一、功能簡(jiǎn)介本電路可以配合自動(dòng)鍵體和手動(dòng)鍵體，產(chǎn)生莫爾斯碼控制信號(hào)，設(shè)有16種速度，從初學(xué)者到操作高手都能適用。監(jiān)聽(tīng)音調(diào)也有16種,均可以通過(guò)功能鍵進(jìn)行選擇。可以按程序中設(shè)定好的呼號(hào)自動(dòng)呼叫，設(shè)有聽(tīng)抄練習(xí)功能，聽(tīng)抄練習(xí)有短碼和混合碼兩種模式，分別對(duì)10個(gè)數(shù)字和常用的38個(gè)混合碼模擬隨機(jī)取樣，產(chǎn)生分組報(bào)碼，供愛(ài)好者提高抄收水平之用，速度低4檔的聽(tīng)抄練習(xí)是專(zhuān)為初學(xué)者所設(shè)，內(nèi)容是時(shí)間間隔較長(zhǎng)的單字符。設(shè)有PTT開(kāi)關(guān)鍵，可以決定是否控制發(fā)射機(jī)工作，不需要反復(fù)通斷控制線。無(wú)論當(dāng)前處于呼叫狀態(tài)還是聽(tīng)抄狀態(tài)只要電鍵接點(diǎn)接通則自動(dòng)轉(zhuǎn)到人工發(fā)報(bào)程序。4分鐘內(nèi)不使用電路將自動(dòng)關(guān)閉電源，只有按復(fù)位鍵才能重新開(kāi)始工作。先按住聽(tīng)抄練習(xí)鍵復(fù)位則進(jìn)入短碼練習(xí)狀態(tài)，其它功能不變。從開(kāi)機(jī)到自動(dòng)關(guān)機(jī)執(zhí)行每個(gè)功能都有不同的莫爾斯碼提示音。本電路具有較強(qiáng)的抗高低頻干擾的能力和使用方便的大電流開(kāi)關(guān)接口，以適應(yīng)不同的發(fā)射設(shè)備。二、硬件電路原理硬件電路如圖1所示。設(shè)計(jì)電路的目的在于方便實(shí)用，以免在緊張的操作中失誤，所以除了聽(tīng)抄練習(xí)鍵外其它鍵沒(méi)有定義復(fù)用功能。各鍵的作用在圖中已經(jīng)標(biāo)出。PTT控制在每次復(fù)位時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài),每按動(dòng)一次PTT功能鍵則改變一次狀態(tài)，這樣可以使用軟件開(kāi)關(guān)控制發(fā)射。 PTT處于控制狀態(tài)時(shí)發(fā)光二極管隨控制信號(hào)閃亮。考慮到自制設(shè)備及淘汰軍用設(shè)備與高檔設(shè)備控制電流的不同，PTT開(kāi)關(guān)管采用了2SC2073，可以承受500mA的電流，同時(shí)還增加了無(wú)極性PTT開(kāi)關(guān)電路，無(wú)論外部被控制的端口直流極性如何加到VT3的極性始終不變，供有興趣的愛(ài)好者實(shí)驗(yàn)。應(yīng)該注意，如果被控制的負(fù)載是感性，則電感兩端必須并聯(lián)續(xù)流二極管，除自制設(shè)備外成品機(jī)在這方面一般沒(méi)有什么問(wèn)題。手動(dòng)鍵只有一個(gè)接點(diǎn)，接通后產(chǎn)生連續(xù)的音頻和發(fā)射控制信號(hào)。在本電路中手動(dòng)鍵的輸入端是P1.5 ，程序不斷檢測(cè)P1.5電平，當(dāng)按鍵按下時(shí)P1.5電平為0，程序轉(zhuǎn)入手動(dòng)鍵子程序。自動(dòng)鍵的接點(diǎn)分別接到P1.3和P1.4 ，同樣當(dāng)程序檢測(cè)到有接點(diǎn)閉合時(shí)便自動(dòng)產(chǎn)生“點(diǎn)”或“劃”。音頻信號(hào)從P輸出，經(jīng)VT1放大后推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)音。單片機(jī)的I/O口在輸入狀態(tài)下阻抗較高，容易受到高低頻信號(hào)干擾，所以在每個(gè)輸入端口和三極管的be端并聯(lián)電阻和高頻旁路電容，確保在較長(zhǎng)的電鍵連線和大功率發(fā)射時(shí)電路工作穩(wěn)定。圖2是印刷電路版圖，尺寸為110mmX85mm，揚(yáng)聲器用粘合劑直接粘接在電路版有銅箔的面。三、軟件設(shè)計(jì)方法 “點(diǎn)”時(shí)間長(zhǎng)度是莫爾斯電碼中的基本時(shí)間單位。按規(guī)定“劃”的時(shí)間長(zhǎng)度不小于三個(gè)“點(diǎn)”，同字符中“點(diǎn)”與“劃”的間隔不小于一個(gè)“點(diǎn)”，字符之間不小于一個(gè)“劃”，詞與詞之間不應(yīng)小于五個(gè)“點(diǎn)”。在本程序中用條件轉(zhuǎn)移指令來(lái)產(chǎn)生“點(diǎn)”時(shí)間長(zhǎng)度。通過(guò)速度功能鍵功可以設(shè)置16種延時(shí)參數(shù)。用T0中斷產(chǎn)生監(jiān)聽(tīng)音頻信號(hào)，并將中斷設(shè)為優(yōu)先級(jí)，保證在聽(tīng)覺(jué)上純正悅耳。T1用于自動(dòng)關(guān)機(jī)計(jì)時(shí)，如果不使用任何功能四分鐘后將向PCON 位寫(xiě)1，單片機(jī)進(jìn)入休眠狀態(tài),此時(shí)耗電量?jī)H有幾個(gè)微安。自動(dòng)鍵的“點(diǎn)”或“劃”以及手動(dòng)鍵的連續(xù)發(fā)音都是子程序的反復(fù)調(diào)用。P1.2對(duì)地短接時(shí)自動(dòng)呼叫可設(shè)定為另一內(nèi)容。為了便于熟悉匯編語(yǔ)言的讀者對(duì)發(fā)音內(nèi)容進(jìn)行修改，這里介紹發(fā)音字符的編碼方法。莫爾斯碼的信息與計(jì)算機(jī)中二進(jìn)制恰好相同，我們可以用0表示“點(diǎn)”，用1表示“劃”。提示音、自動(dòng)呼叫、聽(tīng)抄內(nèi)容等字符是預(yù)先按一定編碼方式存儲(chǔ)在程序中的常數(shù)。每個(gè)字符的莫爾斯碼一般是由1至6位“點(diǎn)”、“劃”組成，也就是發(fā)音次數(shù)最多6次。程序中每個(gè)字符占用1個(gè)字節(jié)，字符時(shí)間間隔不占用字節(jié)，但更長(zhǎng)的延時(shí)或發(fā)音結(jié)束信息占用一個(gè)字節(jié)。我們用字節(jié)的低三位表示字節(jié)的性質(zhì)，對(duì)于5次及5次以下發(fā)音的字符我們用存儲(chǔ)器的高5位存儲(chǔ)發(fā)音信息，發(fā)音順序由高位至低位，用低3位存儲(chǔ)發(fā)音次數(shù)，發(fā)音時(shí)將數(shù)據(jù)送入累加器A，先得到發(fā)音次數(shù)，然后使A左環(huán)移，對(duì)E0進(jìn)行位尋址，判斷是發(fā)“點(diǎn)”還是“劃”，環(huán)移次數(shù)由發(fā)音次數(shù)決定。對(duì)于6次發(fā)音的字符不能完全按照上述編碼規(guī)則，否則會(huì)出現(xiàn)信息重疊，如果是6次發(fā)音且最后一次是“劃”我們把發(fā)音次數(shù)定義為111B，因?yàn)檫@時(shí)第6次位尋址得到的是1。如果第6次發(fā)音是“點(diǎn)”，那么這個(gè)字符的低三位定義為000B。字符間隔時(shí)間由程序自動(dòng)產(chǎn)生，更長(zhǎng)的時(shí)間隔或結(jié)束標(biāo)志由字節(jié)低三位110B來(lái)定義，高半字節(jié)表示字符間隔的倍數(shù)，例如26H表示再加兩倍時(shí)間間隔。如果字節(jié)為06H則表示讀字符程序結(jié)束，返回主程序。更詳細(xì)的內(nèi)容不再贅述，讀者可閱讀源程序。四、使用注意事項(xiàng)手動(dòng)鍵的操作難度相對(duì)大一些，時(shí)間節(jié)拍全由人掌握，其特點(diǎn)是發(fā)出的電碼帶有“人情味”。自動(dòng)鍵的“點(diǎn)”、“劃”靠電路產(chǎn)生，發(fā)音標(biāo)準(zhǔn)，容易操作，而且可以達(dá)到相當(dāng)快的速度，長(zhǎng)時(shí)間工作也不易疲勞。在干擾較大、信號(hào)微弱的條件下自動(dòng)鍵碼的辨別程度好于手動(dòng)鍵碼。初學(xué)者初次使用手動(dòng)鍵練習(xí)發(fā)報(bào)要有老師指導(dǎo)，且不可我行我素，一旦養(yǎng)成不正確的手法則很難糾正。在電臺(tái)上時(shí)常聽(tīng)到一些讓對(duì)方難以抄收的電碼，這可能會(huì)使對(duì)方反感而拒絕回答。使用自動(dòng)鍵也應(yīng)在一定的聽(tīng)抄基礎(chǔ)上再去練習(xí)。在暫時(shí)找不老師的情況下可多練習(xí)聽(tīng)力，這對(duì)于今后能夠發(fā)出標(biāo)準(zhǔn)正確的電碼非常有益。

標(biāo)簽： 用單片機(jī) 多功能莫爾斯電路

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：sdq_123
單片機(jī)外圍線路設(shè)計(jì)

當(dāng)拿到一張CASE單時(shí)，首先得確定的是能用什么母體才能實(shí)現(xiàn)此功能，然后才能展開(kāi)對(duì)外圍硬件電路的設(shè)計(jì)，因此首先得了解每個(gè)母體的基本功能及特點(diǎn)，下面大至的介紹一下本公司常用的IC：?jiǎn)涡酒鉀Q方案• SN8P1900 系列– 高精度 16-Bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器– 可編程運(yùn)算放大器 (PGIA)• 信號(hào)放大低漂移: 2V• 放大倍數(shù)可編程: 1/16/64/128 倍– 升壓- 穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器 (Charge-Pump Regulator)• 電源輸入: 2.4V ~ 5V• 穩(wěn)壓輸出: e.g. 3.8V at SN8P1909– 內(nèi)置液晶驅(qū)動(dòng)電路 (LCD Driver)– 單芯片解決方案 • 耳溫槍 SN8P1909 LQFP 80 Pins• 5000 解析度量測(cè)器 SN8P1908 LQFP 64 Pins• 體重計(jì) SN8P1907 SSOP 48 Pins單芯片解決方案• SN8P1820 系列– 精確的12-Bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器– 可編程運(yùn)算放大器 (PGIA)• Gain Stage One: Low Offset 5V, Gain: 16/32/64/128• Gain Stage One: Low Offset 2mV, Gain: 1.3 ~ 2.5– 升壓- 穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器• 電源輸入: 2.4V ~ 5V• 穩(wěn)壓輸出: e.g. 3.8V at SN8P1829– 內(nèi)置可編程運(yùn)算放大電路– 內(nèi)置液晶驅(qū)動(dòng)電路 – 單芯片解決方案 • 電子醫(yī)療器 SN8P1829 LQFP 80 Pins 高速/低功耗/高可靠性微控制器• 最新SN8P2000 系列– SN8P2500/2600/2700 系列– 高度抗交流雜訊能力• 標(biāo)準(zhǔn)瞬間電壓脈沖群測(cè)試 (EFT): IEC 1000-4-4• 雜訊直接灌入芯片電源輸入端• 只需添加1顆 2.2F/50V 旁路電容• 測(cè)試指標(biāo)穩(wěn)超 4000V (歐規(guī))– 高可靠性復(fù)位電路保證系統(tǒng)正常運(yùn)行• 支持外部復(fù)位和內(nèi)部上電復(fù)位• 內(nèi)置1.8V 低電壓偵測(cè)可靠復(fù)位電路• 內(nèi)置看門(mén)狗計(jì)時(shí)器保證程序跳飛可靠復(fù)位– 高抗靜電/栓鎖效應(yīng)能力– 芯片工作溫度有所提高: -200C ~ 700C 工規(guī)芯片溫度： -400C ~ 850C 高速/低功耗/高可靠性微控制器• 最新 SN8P2000 系列– SN8P2500/2600/2700 系列– 1T 精簡(jiǎn)指令級(jí)結(jié)構(gòu)• 1T: 一個(gè)外部振蕩周期執(zhí)行一條指令• 工作速度可達(dá)16 MIPS / 16 MHz Crystal– 工作消耗電流 < 2mA at 1-MIPS/5V– 睡眠模式下消耗電流 < 1A / 5V額外功能• 高速脈寬調(diào)制輸出 (PWM)– 8-Bit PWM up to 23 KHz at 12 MHz System Clock– 6-Bit PWM up to 93 KHz at 12 MHz System Clock– 4-Bit PWM up to 375 KHz at 12 MHz System Clock• 內(nèi)置高速16 MHz RC振蕩器 (SN8P2501A)• 電壓變化喚醒功能• 可編程控制沿觸發(fā)/中斷功能– 上升沿 / 下降沿 / 雙沿觸發(fā)• 串行編程接口

標(biāo)簽： 單片機(jī) 線路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-21

上傳用戶：jiahao131