磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠(chǎng)家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠(chǎng)家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話(huà)題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱(chēng)THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話(huà)設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線(xiàn)路放大器系統(tǒng)，其非線(xiàn)性失真有很?chē)?yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線(xiàn)圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線(xiàn)圈應(yīng)用絲包銅電磁線(xiàn)SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線(xiàn)架上繞制 120 匝， （線(xiàn)架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線(xiàn)性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線(xiàn)圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠(chǎng)，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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N79E8132移動(dòng)電源方案功能介紹 本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機(jī)，可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作，具備4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓，內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器，并具有可分頻的時(shí)鐘供單片機(jī)核心使用，可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時(shí)鐘，提高工作效率，具備外部中斷、按鍵中斷，可以靈活實(shí)現(xiàn)單片機(jī)進(jìn)入掉電模式后的喚醒功能，具備停機(jī)、掉電模式，在產(chǎn)品不使用的時(shí)候進(jìn)入掉電模式，實(shí)現(xiàn)環(huán)保節(jié)能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP燒寫(xiě)，開(kāi)發(fā)硬件成本低。軟件開(kāi)發(fā)可以使用KEIL C，容易上手。 充電部分采用通用的TP4056，價(jià)格便宜，容易采購(gòu)，可以通過(guò)外部元件靈活配置充電電流。 升壓部分采用日本精工的S8365，工作頻率1.2M，外置MOS，容易實(shí)現(xiàn)大電流，高效率，電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入： USB 5V/1A ，充電電流可達(dá)500-850mA，可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置 2. 輸出： USB 5V/1A，效率最高可達(dá)到90％以上，可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示： （可根據(jù)需要自行設(shè)定） 四燈全亮 75%-100% 三個(gè)指示燈亮 50%-75% 兩個(gè)燈亮 25%-55% 一個(gè)指示燈亮 5%-25% 無(wú)指示燈亮 5%以下 4.充電指示： 25%以下 一個(gè)指示燈閃 25%-50% 一個(gè)指示燈亮 第二個(gè)閃 50%--75% 二個(gè)指示燈亮 第三個(gè)閃 75%-99% 三個(gè)指示燈亮 第四個(gè)閃 100% 四個(gè)指示燈長(zhǎng)亮。 5．智能保護(hù)： 低電保護(hù)：電池電壓低于3V時(shí)自動(dòng)關(guān)閉升壓 放電保護(hù)：放電電流大于額定電流自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護(hù)) 溫度保護(hù)：檢測(cè)電池溫度，高于55度自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出（可選） 低電流關(guān)機(jī)：當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時(shí)，關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6．按鍵操作： 短按按鍵，4個(gè)LED顯示剩余電量3～5秒自動(dòng)關(guān)閉 按鍵長(zhǎng)按， LED點(diǎn)亮，閃爍3次后開(kāi)啟升壓，顯示電量，30秒內(nèi)沒(méi)有連接外部設(shè)備自動(dòng)關(guān)機(jī)。 開(kāi)機(jī)狀態(tài)長(zhǎng)按，點(diǎn)亮照明LED，再長(zhǎng)按熄滅照明LED，照明LED點(diǎn)亮狀態(tài)不會(huì)進(jìn)入自動(dòng)關(guān)機(jī) 帶照明功能。（可選）8．原理圖 9．BOM 序號(hào) 類(lèi)型 參數(shù) 位號(hào) 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說(shuō)明
標(biāo)簽： N79E8132 移動(dòng)電源 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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依據(jù)我國(guó)及世界各國(guó)特高壓輸電研究成果以及前蘇聯(lián)和日本特高壓輸電線(xiàn)路運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)，并結(jié)合我國(guó)的特高壓輸電示范工程路徑的特點(diǎn)和途徑地區(qū)已有各電壓等級(jí)輸電線(xiàn)路的運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)，對(duì)晉東南一南陽(yáng)一荊門(mén)1000 kV交流特高壓輸電示范工程建成投運(yùn)后的運(yùn)行特性及其對(duì)自然環(huán)境的影響進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了特高壓輸電線(xiàn)路的雷電、防污閃、冰風(fēng)、防鳥(niǎo)害等特性，對(duì)建成后特高壓輸電線(xiàn)路的電磁環(huán)境進(jìn)行了評(píng)估，并對(duì)特高壓輸電線(xiàn)路的運(yùn)行指標(biāo)作出了預(yù)
標(biāo)簽： 1000 kV 交流特高壓 輸電線(xiàn)路
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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淮南煤礦區(qū)地跨淮河兩岸，轄有大通、田家庵、謝家集、八公山、潘集5個(gè)行政區(qū)，人口106．30萬(wàn)，是國(guó)家大型煤炭生產(chǎn)基地之一。淮南供電始于民國(guó)19年（1930年）4月，當(dāng)時(shí)僅有1臺(tái)7．5千瓦直流發(fā)電機(jī)發(fā)電，供九龍崗礦場(chǎng)地面照明。民國(guó)25年，九龍崗東西兩礦，有1路1．70公里的2．3千伏送電線(xiàn)相聯(lián)，各裝1臺(tái)10千伏安變壓器。民國(guó)27年后，日本侵略軍占領(lǐng)淮南，在大通、九龍崗兩區(qū)建礦采煤，掠奪煤炭資源，民國(guó)32年，建成下窯（田家庵）發(fā)電所，架設(shè)經(jīng)大通至九龍崗22千伏同桿（鐵塔）雙固路輸電線(xiàn)，和大通、九龍崗2個(gè)變電所，以3．3千伏向礦井配電。抗日戰(zhàn)爭(zhēng)勝利后，民國(guó)36年4月，淮南路礦公司架設(shè)田家庵至八公山22千伏輸電線(xiàn)。至此22千伏線(xiàn)路全長(zhǎng)37．10公里，變電所4個(gè)，降壓變壓器11臺(tái)，總?cè)萘?500千伏安。民國(guó)37年售電量1189．60萬(wàn)千瓦·時(shí)，主要供煤礦用電。建國(guó)后，先后對(duì)謝一、謝二、謝三礦和李咀孜礦進(jìn)行勘探建井。1954年，原22千伏線(xiàn)路和變電所升壓為35千伏供電。1958年起以110千伏電壓供電。至1972年，發(fā)展成為工商業(yè)區(qū)和政治文化中心的東部地區(qū)，也升壓為110千伏供電。1975年淮河北岸潘集礦區(qū)開(kāi)始建設(shè)，負(fù)荷中心北移，由田家庵電廠(chǎng)出線(xiàn)跨越淮河至潘集礦區(qū)的110千伏輸變電工程同時(shí)投運(yùn)。1978～1982年間，淮南礦區(qū)又先后建成田家庵電廠(chǎng)經(jīng)西山變電所至淮河北岸蘆集變電所的220千伏系統(tǒng)。1985年，田家庵、洛河電廠(chǎng)裝機(jī)總?cè)萘窟_(dá)90．10萬(wàn)千瓦，市內(nèi)供電網(wǎng)相應(yīng)加強(qiáng)，全礦區(qū)已形成主要由田家庵電廠(chǎng)110千伏母線(xiàn)和220千伏西山變電所、蘆集變電所3點(diǎn)分片供電，以220千伏和110千伏高壓配電網(wǎng)聯(lián)合供電的格局。同時(shí)，一些大型廠(chǎng)礦都有自備35千伏及以上變電所，并向附近中小企業(yè)轉(zhuǎn)供電，形成東部田家庵、大通兩區(qū)，中部望峰崗地區(qū)，西部謝集、八公山兩區(qū)，淮河北岸潘集區(qū)組成的4個(gè)公用中低壓配電網(wǎng)絡(luò)。1985年，全市最高負(fù)荷19．55萬(wàn)千瓦，供電量16億多千瓦·時(shí)。其中，煤炭工業(yè)最高負(fù)荷9．34萬(wàn)千瓦，用電量4．99億千瓦·時(shí)，占全市用電量的三分之一。
標(biāo)簽： 礦區(qū)供電
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶(hù)：fandeshun
日本富士通公司（FUJITSV）是世界著名的電子公司，在計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域占有重要 位置，1995年列日本通信企業(yè)營(yíng)業(yè)額第二名，做為通信公司和計(jì)算機(jī)技術(shù)的核心——CPU 技術(shù)，富士通公司在技術(shù)上是先進(jìn)的。本書(shū)對(duì)該公司的8位單片機(jī)做了系統(tǒng)介紹，包括 CPU硬件結(jié)構(gòu)，軟件應(yīng)用，程序示例，并對(duì)該公司8位單位機(jī)F↑2MC—8L系列各品種做了 概括介紹，使讀者能夠?qū)υ摴镜膯纹瑱C(jī)選型、開(kāi)發(fā)及應(yīng)用。單片機(jī)技術(shù)的主要應(yīng)用范圍 是控制領(lǐng)域，尤其是在中國(guó)的家電領(lǐng)域，有廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： 8位單片機(jī) 技術(shù)應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶(hù)：sc965382896
來(lái)自日本東京，韓國(guó)首爾，美國(guó)德克薩斯普萊諾，2009年12月10日—MICROTUNE,INC.今日發(fā)布一款基于最新高集成硅技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)射頻-基帶芯片，此款芯片以極具吸引力的價(jià)格提供出色的電視接收性能。MT3141單芯片為全球電視制造商在下一代數(shù)字電視設(shè)計(jì)中引入高性能、低成本、超小型的接收器，從而使他們能夠提供所有品牌、型號(hào)、價(jià)格和屏幕尺寸的超薄超輕的高性能數(shù)字電視產(chǎn)品。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶(hù)：xitai
摘要：介紹了日本NEC公司8位單片機(jī)產(chǎn)品μPD780208中的FIP顯示控制器及顯示與鍵盤(pán)掃描的應(yīng)用方案，給出了該設(shè)計(jì)方案的原理電路和程序流程。解決了顯示和鍵盤(pán)輸入獨(dú)立控制時(shí)所造成的CPU資源占用較多的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹瑱C(jī) μPD780208 微控制器 FIP 顯示控制器
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶(hù)：gxm2052
3Y30機(jī)芯為日本三洋系列的超級(jí)單片機(jī)芯，主芯片為三洋最新的LA76930，它內(nèi)部集成中放解調(diào)、CPU控制、色解碼、行場(chǎng)掃描小信號(hào)處理等等，使該機(jī)芯外圍元件大為減少，性?xún)r(jià)比高。
上傳時(shí)間： 2014-12-27
上傳用戶(hù)：manlian
摘 要:本文以日本東芝公司的線(xiàn)陣CCD器件TCD1206SUP為例,在研究了線(xiàn)陣CCD器件工作原理和驅(qū)動(dòng)電路波形的基礎(chǔ)上,介紹了采用圖形式層次設(shè)計(jì)方法,用復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD)設(shè)計(jì)線(xiàn)陣CCD驅(qū)動(dòng)脈沖的實(shí)現(xiàn)方法。用一片EPM7064設(shè)計(jì)出TCD1206SUP正常工作所需的驅(qū)動(dòng)波形,減小了驅(qū)動(dòng)器的體積。討論了電路的工作原理和設(shè)計(jì)特點(diǎn),同時(shí)給出了電路原理圖和CPLD電路的時(shí)序仿真波形。關(guān)鍵詞:電荷耦合器件;復(fù)雜可編程邏輯器件;線(xiàn)陣CCD;驅(qū)動(dòng)時(shí)序;驅(qū)動(dòng)電路
標(biāo)簽： CPLD CCD 線(xiàn)陣 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶(hù)：75119158
用單片機(jī)制作通用型電視遙控器:本文介紹了一種用MCS-51系列單片機(jī)AT89C52代替專(zhuān)用遙控芯片的設(shè)計(jì)方案，通過(guò)軟件模擬實(shí)現(xiàn)了電視機(jī)遙控編碼的發(fā)射，并且達(dá)到“一器多用”。上世紀(jì)八十年代初，日本率先在電視產(chǎn)品中使用了紅外遙控技術(shù)，目前已經(jīng)在電視機(jī)上得到了廣泛應(yīng)用。電視遙控器使用的是專(zhuān)用集成發(fā)射芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)遙控碼的發(fā)射，如東芝TC9012，飛利浦SAA3010T等。這些芯片價(jià)格較貴，且相互之間采用的遙控編碼格式互不兼容，所以各機(jī)型的遙控器通常只能針對(duì)各自的遙控對(duì)象而無(wú)法通用。本文在試驗(yàn)驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，介紹了如何利用低成本的MCS-51系列單片機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)遙控碼的模擬發(fā)射，并實(shí)現(xiàn)遙控器的通用化。遙控發(fā)射技術(shù)的基本原理通常彩電遙控信號(hào)的發(fā)射，就是將某個(gè)按鍵所對(duì)應(yīng)的控制指令和系統(tǒng)碼(由0和1組成的序列)，調(diào)制在32~56KHz范圍內(nèi)的載波上，然后經(jīng)放大、驅(qū)動(dòng)紅外發(fā)射管將信號(hào)發(fā)射出去。不同公司的遙控芯片，采用的遙控碼格式也不一樣。在此介紹較普遍的兩種，一種是NEC標(biāo)準(zhǔn)，一種是PHILIPS 標(biāo)準(zhǔn)。
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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