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專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-249-1989-半導體分立器件型號命名方法.pdf
上傳時間： 2013-06-06
上傳用戶：徐孺
專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-12560-1990-半導體器件-分立器件分規范-可供認證用-.pdf
上傳時間： 2013-06-12
上傳用戶：h886166
單片機外圍器件實用手冊叢書,學習單片機的兄弟們能用的上了.
上傳時間： 2013-05-18
上傳用戶：1101055045
可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見問題。 供參考。
上傳時間： 2013-05-19
上傳用戶：thh29
有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
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GAL器件的開發與應用.rar GAL器件的開發與應用.rar
上傳時間： 2013-07-14
上傳用戶：feichengweoayauya
本文提出了一種適合于嵌入式SoC的USB器件端處理器的硬件實現結構。并主要研究了USB器件端處理器的RTL級實現及FPGA原型驗證、和ASIC實現研究，包括從模型建立、算法仿真、各個模塊的RTL級設計及仿真、FPGA的下載測試和ASIC的綜合分析。它的速度滿足預定的48MHz，等效門面積不超過1萬門，完全可應用于SOC設計中。 本文重點對嵌入式USB器件端處理器的FPGA實現作了研究。為了準確測試本處理器的運行情況，本文應用串口傳遞測試數據入FPGA開發板，測試模塊讀入測試數據，發送入PC機的主機端。通過NI-VISA充當軟件端，檢驗測試數據的正確。
上傳時間： 2013-07-24
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easy，51pro，3.0編程器在2.0的基礎上增加了更多的芯片器件
上傳時間： 2013-07-25
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I2C總線規范與I2C器件C51讀寫程序 本文簡要介紹了I2C總線，并給出了I2C器件的C51讀寫程序，極大的方便了大家對I2C總線的學習和設計應用。程序設計采用模塊化設計，方便
上傳時間： 2013-06-22
上傳用戶：763274289
光電子器件模型與OEIC模擬 作者：陳維友;楊樹人;劉式墉 本書是作者多年來在光電子器件電路模型和光電集成回路計算機輔助分析研究方面的工作總結。
上傳時間： 2013-04-24
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