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基于STM32的晶閘管三相調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)

SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路

上傳時間： 2013-10-21

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晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計(jì)

晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 晶閘管 交流 主電路 調(diào)功器

上傳時間： 2013-12-13

上傳用戶：lgd57115700

一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路

一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路

標(biāo)簽： 晶閘管 調(diào)速電路

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：youke111

4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

標(biāo)簽： 10 kV 三相 非晶

上傳時間： 2013-11-20

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源級驅(qū)動技術(shù)介紹_晶豐明源

上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設(shè)計(jì)和銷售的公司，公司主要產(chǎn)品是大功率LED驅(qū)動芯片.

標(biāo)簽： 源級驅(qū)動 晶豐明源

上傳時間： 2013-10-16

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NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

上傳時間： 2013-11-21

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晶閘管中頻電源運(yùn)行中的抗干擾問題研究

　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應(yīng)加熱技術(shù)日臻完善。中頻感應(yīng)加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業(yè)加熱的首選方式。作為感應(yīng)加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統(tǒng)BPS機(jī)組（中頻發(fā)電機(jī)組）相比，負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)，效率高，易于形成自動加熱線，已在工業(yè)加熱領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。

標(biāo)簽： 晶閘管 中頻電源 抗干擾 運(yùn)行

上傳時間： 2014-01-06

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分比功率架構(gòu)和V•I晶片靈活、優(yōu)越的功率系統(tǒng)方案

當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時、對負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。

標(biāo)簽： 8226 分 功率架構(gòu) 功率

上傳時間： 2013-11-15

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利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序?qū)嵗?/a>

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

上傳時間： 2014-01-08

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利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

上傳時間： 2013-11-21

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