采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間: 2013-11-21
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級(jí)空間。
標(biāo)簽: TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時(shí)間: 2014-12-24
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雙晶硅
上傳時(shí)間: 2014-12-23
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MCS-51單晶片8051與資料記憶體擴(kuò)充相關(guān)資料
上傳時(shí)間: 2016-02-27
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一個(gè)單晶片8051模擬軟體,可以查看模擬的內(nèi)部外部RAM資料及暫存器資料,並設(shè)置斷點(diǎn) windows 平臺(tái)下執(zhí)行
上傳時(shí)間: 2016-09-21
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使用單晶片的一般IO腳來(lái)模擬 硬體 UART 通訊介面,好處為可節(jié)省hardware uart 的應(yīng)用!
標(biāo)簽: hardware UART uart 晶片
上傳時(shí)間: 2017-03-02
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一般單晶片 GPIO 模擬MCU硬體uart通訊介面,增加MCU的功能應(yīng)用!
上傳時(shí)間: 2017-03-02
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對(duì)于負(fù)荷大范圍呈周期性變化的某些感應(yīng)電動(dòng)機(jī)來(lái)說(shuō),在一個(gè)工作周期中可能會(huì)出現(xiàn)重載、輕載(空載)的工況,甚至?xí)霈F(xiàn)異步發(fā)電狀態(tài).如繼續(xù)按照常規(guī)方式供電,則會(huì)有大量電能損耗.以往研究表明,重載通電、輕載與發(fā)電工況斷電的運(yùn)行方式,節(jié)能效果顯著;但頻繁切換電源所引起的沖擊電流限制了該方法的應(yīng)用.該文結(jié)合感應(yīng)電動(dòng)機(jī)新型節(jié)能系統(tǒng)課題,研究用可探硅控制電動(dòng)機(jī)來(lái)抑制沖擊電流.該文主要研究電機(jī)在同步速附近不同運(yùn)行工況下,用晶閘管投切電源引起的電機(jī)對(duì)稱、不對(duì)稱情況下過(guò)渡過(guò)程的建模,以及Simulink仿真問(wèn)題.
標(biāo)簽: 晶閘管 控制 感應(yīng)電動(dòng)機(jī)
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性, 使得從19 世紀(jì)40 年代中期以來(lái)一直作為基本的時(shí)鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒(méi)有哪種材料或技術(shù)能替代石英振蕩器, 鑒于其異常的溫度穩(wěn)定性和相位噪聲特性. 估計(jì)2006 年將有100億顆石英振蕩器被制造出來(lái)并放置到汽車(chē), 數(shù)碼相機(jī), 工業(yè)設(shè)備, 游戲設(shè)備, 寬帶設(shè)備,蜂窩電話, 以及事實(shí)上每一種數(shù)字產(chǎn)品當(dāng)中. 石英振蕩器的制造數(shù)量比地球上的人口還要多.
上傳時(shí)間: 2013-10-17
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一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作,初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能,設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類(lèi)比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定,而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。 電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能,最後完成晶片的實(shí)作。
上傳時(shí)間: 2016-08-27
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