本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設(shè)計制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標簽：
大功率器件
上傳時間：
2021-11-02
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