晶閘管,可控硅專輯 14冊(cè) 131M可控硅技術(shù) 280頁(yè) 6.3M.pdf
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2014-05-05
上傳用戶：時(shí)代將軍
晶閘管,可控硅專輯 14冊(cè) 131M可控硅及其應(yīng)用 214頁(yè) 5.0M.pdf
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2014-05-05
上傳用戶：時(shí)代將軍
matlab電力電子仿真資料，晶閘管作為主要器件的matlab simulink 仿真資料。
標(biāo)簽： matlab
上傳時(shí)間： 2016-03-14
上傳用戶：haixis
這個(gè)程式可以求出字串佔(zhàn)了幾個(gè)位元組 歡迎多加使用
上傳時(shí)間： 2016-06-15
上傳用戶：aa111
機(jī)械制造及自動(dòng)化專業(yè)參考 鄧星鐘主編.華中科技大學(xué)出版社 第一章 概述 第二章 機(jī)電傳動(dòng)的動(dòng)力學(xué)基礎(chǔ) 第三章 直流電機(jī)的工作原理及特性 第四章 機(jī)電傳動(dòng)系統(tǒng)的過渡過程 第五章 交流電動(dòng)機(jī)的工作原理及特性 第六章 控制電機(jī) 第七章 機(jī)電傳動(dòng)控制系統(tǒng)中電動(dòng)機(jī)的選擇 第八章 繼電器-接觸器控制系統(tǒng) 第九章 可編程序控制器 第十章 電力電子學(xué)-晶閥管及其基本電路 第十一章 直流傳動(dòng)控制系統(tǒng) 第十二章 交流傳動(dòng)控制系統(tǒng) 第十三章 步進(jìn)電機(jī)傳動(dòng)控制系統(tǒng) 第十四章 模擬試題及參考答案
標(biāo)簽： 機(jī)電傳動(dòng)控制
上傳時(shí)間： 2016-10-26
上傳用戶：LSA1
電氣工程師手冊(cè)，第1章 電工常用數(shù)據(jù)與資料，第2章 晶體管與集成電路，第3章 晶閘管及其觸發(fā)電路
上傳時(shí)間： 2020-02-29
上傳用戶：suea
廠家開發(fā)包，內(nèi)有參考電路、代碼、應(yīng)用筆記、手冊(cè)
標(biāo)簽： 8302B 8302 RN 開發(fā)包
上傳時(shí)間： 2020-04-03
上傳用戶：sywxxu
FEMA教材，需要學(xué)習(xí)潛在失效模式分析的人員可以參考
上傳時(shí)間： 2020-12-21
上傳用戶：
本書共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來(lái)制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
上傳用戶：
本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、 結(jié)構(gòu)、 特性和可靠性技術(shù)， 器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。 就其內(nèi)容的全面性和結(jié)構(gòu)的完整性來(lái)說(shuō)， 在同類專業(yè)書籍中是不多見的。本書內(nèi)容新穎， 緊跟時(shí)代發(fā)展， 除了介紹經(jīng)典的功率二極管、 晶閘管外， 還重點(diǎn)介紹了MOSFET、 IGBT 等現(xiàn)代功率器件， 頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著， 并根據(jù)作者多年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和工程實(shí)踐不斷補(bǔ)充更新的好書， 相信它的翻譯出版， 必將有助于我國(guó)電力電子事業(yè)的發(fā)展。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 功率半導(dǎo)體器件
上傳時(shí)間： 2021-11-07
上傳用戶：
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
<samp id="0iogm"></samp>