亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁(yè)| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊(cè)

晶體管收音機(jī)

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 移動(dòng)電源原理圖+數(shù)碼管

    帶數(shù)碼管顯示的 移動(dòng)電源原理圖

    標(biāo)簽: 移動(dòng)電源 原理圖 數(shù)碼管

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:拔絲土豆

  • N溝道MOS管和P溝道MOS管

    通俗易懂的介紹MOS管和使用方法

    標(biāo)簽: MOS N溝道

    上傳時(shí)間: 2014-08-23

    上傳用戶:woshinimiaoye

  • 開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOS管:2SK2843

    開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOS管:2SK2843

    標(biāo)簽: 2843 MOS 2SK SK

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:wsf950131

  • 場(chǎng)效應(yīng)管在開關(guān)電路中的應(yīng)用

    場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)電路在電源技術(shù)中應(yīng)用較多

    標(biāo)簽: 場(chǎng)效應(yīng)管 中的應(yīng)用 開關(guān)電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:ommshaggar

  • 常用穩(wěn)壓二級(jí)管技術(shù)參數(shù)合成版

    常用穩(wěn)壓二級(jí)管技術(shù)參數(shù)

    標(biāo)簽: 常用穩(wěn)壓 二級(jí) 合成 技術(shù)參數(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:sammi

  • 5000種場(chǎng)效應(yīng)管速查

    5000種場(chǎng)效應(yīng)管速查

    標(biāo)簽: 5000 場(chǎng)效應(yīng)管 速查

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

    上傳用戶:wqxstar

  • 4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

    4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

    標(biāo)簽: 10 kV 三相 非晶

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:JamesB

  • MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算

    提高mos管的效率,MOS的損耗計(jì)算。

    標(biāo)簽: MOS 驅(qū)動(dòng) 功耗計(jì)算

    上傳時(shí)間: 2013-12-24

    上傳用戶:defghi010

主站蜘蛛池模板: 恩施市| 家居| 定南县| 金塔县| 木兰县| 临颍县| 凤台县| 昭苏县| 丹寨县| 南和县| 广丰县| 沂源县| 怀安县| 黄大仙区| 霞浦县| 定兴县| 钦州市| 西和县| 土默特右旗| 兴山县| 桂东县| 泸定县| 邵武市| 彰化市| 南阳市| 乐平市| 莱西市| 惠来县| 满洲里市| 蒙城县| 武威市| 伊宁市| 尖扎县| 湛江市| 扎赉特旗| 乐至县| 扬州市| 望奎县| 洪洞县| 商河县| 崇州市|