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SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計與應(yīng)用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該設(shè)計主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡便可靠，達(dá)到了設(shè)計要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：wfymay
多路輸出開關(guān)電源交叉調(diào)整率
標(biāo)簽： 多路輸出 交叉調(diào)整率 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：15070202241
晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計
標(biāo)簽： 晶閘管 交流 主電路 調(diào)功器
上傳時間： 2013-12-13
上傳用戶：lgd57115700
一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路
標(biāo)簽： 晶閘管 調(diào)速電路
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：youke111
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：JamesB
上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設(shè)計和銷售的公司，公司主要產(chǎn)品是大功率LED驅(qū)動芯片.
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：aysyzxzm
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應(yīng)加熱技術(shù)日臻完善。中頻感應(yīng)加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業(yè)加熱的首選方式。作為感應(yīng)加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統(tǒng)BPS機(jī)組（中頻發(fā)電機(jī)組）相比，負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)，效率高，易于形成自動加熱線，已在工業(yè)加熱領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 晶閘管 中頻電源 抗干擾 運(yùn)行
上傳時間： 2014-01-06
上傳用戶：dave520l
當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時、對負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：yan2267246
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