一区二区三区av,五月婷婷综合网,日韩精品一级

晶體

BTB06-800C（雙晶硅）

雙晶硅

標簽： BTB 800 06 晶硅

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：SimonQQ
晶閘管調速驅動裝置故障診斷與檢修

介紹了晶閘管調速粗動裝原理, 分析了典型故障的原因

標簽： 晶閘管故障診斷調速檢修

上傳時間： 2013-11-16

上傳用戶：cmc_68289287
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
基于STM32的晶閘管三相調壓電路的設計

SCR三相調壓觸發電路已有不少設計與應用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調壓觸發電路設計方案，并完成了系統的軟硬件設計。該設計主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發信號就可以達到控制六只晶閘管導通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發信號發生、PID控制調壓等功能。通過實驗表明該系統簡便可靠，達到了設計要求。

標簽： STM 32 晶閘管三相調壓電路

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：wfymay
晶閘管交流調功器主電路設計

晶閘管交流調功器主電路設計

標簽： 晶閘管交流主電路調功器

上傳時間： 2013-12-13

上傳用戶：lgd57115700
一種實用的晶閘管調速電路

一種實用的晶閘管調速電路

標簽： 晶閘管調速電路

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：youke111
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術規范

4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術規范

標簽： 10 kV 三相非晶

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：JamesB
源級驅動技術介紹_晶豐明源

上海晶豐明源半導體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設計和銷售的公司，公司主要產品是大功率LED驅動芯片.

標簽： 源級驅動晶豐明源

上傳時間： 2013-10-16

上傳用戶：aysyzxzm
NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。

標簽： NIP 非晶硅薄膜太陽能電池

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng
晶閘管中頻電源運行中的抗干擾問題研究

　隨著電力電子技術的發展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應加熱技術日臻完善。中頻感應加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業加熱的首選方式。作為感應加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統BPS機組（中頻發電機組）相比，負載適應性強，效率高，易于形成自動加熱線，已在工業加熱領域得到越來越廣泛的應用。

標簽： 晶閘管中頻電源抗干擾運行

上傳時間： 2014-01-06

上傳用戶：dave520l