手機(jī)液晶屏的資料(有接口說明)方便大家改造
標(biāo)簽: 手機(jī)液晶屏 接口
上傳時(shí)間: 2013-10-11
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DS18B20溫度傳感器,有時(shí)序圖,
標(biāo)簽: 18B B20 DS 18
上傳時(shí)間: 2013-11-13
上傳用戶:a155166
LPC23XX原理圖和PCB所有接口全有,我畫的,板子都出了
標(biāo)簽: LPC PCB 23 XX
上傳時(shí)間: 2013-10-29
上傳用戶:685
這是keil C51 V7.01的安裝程序,有2k代碼大小的限制. 安裝需要先解壓縮到一個(gè)文件夾,比如解到: c:c51701 然后運(yùn)行 c:c51701setupsetup.exe 執(zhí)行安裝,安裝時(shí)選擇eval version進(jìn)行安裝.
標(biāo)簽: Keil 7.01 DEMO C51
上傳時(shí)間: 2014-01-27
上傳用戶:dreamboy36
用51單片機(jī)和1602實(shí)現(xiàn)有報(bào)警功能的密碼開關(guān)
標(biāo)簽: 報(bào)警 密碼 開關(guān)
上傳時(shí)間: 2013-11-04
上傳用戶:R50974
本應(yīng)用報(bào)告描述了一個(gè)基于MSP430F2274 超低功耗微控制器的簡易玻璃破碎檢測器。該算法基于一個(gè)典型玻璃破碎信號的譜分析。輸入信號在20 kHz 以內(nèi)的頻譜被作為有效的玻璃破碎信號進(jìn)行處理。
標(biāo)簽: MSP 430 玻璃 檢測器
上傳時(shí)間: 2013-11-06
上傳用戶:pkzz021
摘要:本文給出了一種基于單片機(jī)AT90PWM2B的BOOST升壓型臨界電流模式有源功率因數(shù)校正的實(shí)現(xiàn)方法。在70W可調(diào)光熒光燈電子鎮(zhèn)流器上的實(shí)用結(jié)果驗(yàn)證了該方法的可行性和有效性。該方法可以推廣到電子鎮(zhèn)流器和開關(guān)電源等對功率因數(shù)要求較高的電力電子產(chǎn)品。關(guān)鍵詞:有源功率因數(shù)校正;BOOST升壓;臨界電流模式;AT90PWM2B;PSC
標(biāo)簽: 單片機(jī) 有源功率因數(shù)校正
上傳時(shí)間: 2013-11-12
上傳用戶:Vici
本講重點(diǎn):了解單片機(jī)發(fā)展的現(xiàn)狀;掌握AT89C系列1051,2051,4051特點(diǎn)與應(yīng)用;對P89LPC932會(huì)用實(shí)驗(yàn)裝置,會(huì)編程應(yīng)用;熟悉ADC832的特性,會(huì)編程下載;對本講重點(diǎn)介紹的其他幾種單片機(jī)有了解.
標(biāo)簽: 單片機(jī)
上傳時(shí)間: 2013-10-08
上傳用戶:xaijhqx
微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節(jié)版 前言2/71 摘要5/71 除外責(zé)任5/71 第一章 簡介 6/71 第二章 背景知識 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲器的種類14/71 2.3 安全保護(hù)的類型 15/71 第三章 破解技術(shù) 18/71 3.1 簡介 18/71 3.1.1 保護(hù)等級18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時(shí)序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時(shí)鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數(shù)據(jù)保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數(shù)據(jù)保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲器的數(shù)據(jù)保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準(zhǔn)備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學(xué)圖像來重建版圖41/71
標(biāo)簽: MCU 微控制器 破解
上傳時(shí)間: 2013-10-23
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反輻射導(dǎo)彈是現(xiàn)代戰(zhàn)爭條件下通信設(shè)備等電磁輻射源所面對的最具威脅性的武器之一,而有源誘偏是對抗反輻射導(dǎo)彈攻擊的一種相對簡單而有效的方法。基于有源相參和有源非相參條件下的幾種模型,從反輻射導(dǎo)彈的攻擊過程入手,得到Matlab仿真結(jié)果。最后根據(jù)仿真彈著點(diǎn)位置分布和位置分布的概率統(tǒng)計(jì)曲線,為通信輻射源的布設(shè)提供理論依據(jù)。
標(biāo)簽: ARM 通信輻射源 有源
上傳時(shí)間: 2013-11-16
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