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模式識(shí)別

  • 基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計

    針對傳統(tǒng)第二代電流傳輸器(CCII)電壓跟隨不理想的問題,提出了新型第二代電流傳輸器(CCCII)并通過采用新型第二代電流傳輸器(CCCII)構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器,此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設(shè)計。設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單,其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設(shè)計的準(zhǔn)確性和可行性。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:jqy_china

  • 基于新型CCCII的電流模式積分電路

    介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性,以及其基本組成共源共柵電流鏡,并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路,并利用Hspice軟件進行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 積分電路

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:wtrl

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    標(biāo)簽: DCDC 峰值電流 單片式 變換器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:debuchangshi

  • 五種PWM反饋控制模式研究

    五種PWM反饋控制模式研究

    標(biāo)簽: PWM 反饋控制 模式

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:Amygdala

  • 結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    標(biāo)簽: 電流模式 電壓模式 比較

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:1406054127

  • 全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

    全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

    標(biāo)簽: DCDC 全橋 變換器

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:jackgao

  • SM8015大功率電流模式PWM控制芯片

    鉦銘科SM8015是一個離線式中大功率電流模式PWM控制芯片,應(yīng)用于AC/DC反激式開關(guān)電源系統(tǒng)。采用多模式自動切換控制方式,滿足系統(tǒng)的低待機功耗(<0.3W,265V AC),高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成過流保護、過載保護、過溫保護、VDD過壓保護等完善的保護功能以提高系統(tǒng)可靠性。封裝形式:DIP8、SOP8

    標(biāo)簽: 8015 PWM SM 大功率

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:windypsm

  • SM8013C電流模式的PWM離線式控制芯片

    鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片,直接驅(qū)動外部高壓MOS管。采用自適應(yīng)多模式工作方式,根據(jù)負載情況,自動切換到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,滿足系統(tǒng)的低待機功耗(<0.3W,265V AC),高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成多種保護功能,如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式:DIP8、SOP8、SOT23-6

    標(biāo)簽: 8013C 8013 PWM SM

    上傳時間: 2013-12-08

    上傳用戶:dyctj

  • 高PF反激臨界模式開關(guān)電源的環(huán)路設(shè)計

    目前開關(guān)電源市場上單端反激式的開關(guān)電源占有很大的份額,控制環(huán)路的設(shè)計是反激電源中關(guān)鍵的步驟之一。主要對基于L6561臨界(TM)模式下高功率因數(shù)(PF)單端反激式開關(guān)電源的控制環(huán)路設(shè)計進行了論述,文中通過對環(huán)路中各級的傳遞函數(shù)進行了定性分析和定量計算,進而給出了環(huán)路的補償電路。通過選擇合適的相位裕量來保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并通過圖解法驗證了該環(huán)路可以使系統(tǒng)具有較好的穩(wěn)定性。

    標(biāo)簽: 反激臨界模式 開關(guān)電源 環(huán)路設(shè)計

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:zukfu

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