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正負(fù)電源

  • 通過(guò)提升性能來(lái)縮減太陽(yáng)能電池板的尺寸

    本設(shè)計(jì)要點(diǎn)介紹了兩款能夠增加太陽(yáng)能電池板接收能量的簡(jiǎn)單電路。在這兩款電路中，均由太陽(yáng)能電池板給電池充電，再由電池在沒(méi)有陽(yáng)光照射的情況下提供應(yīng)用電路運(yùn)作所需的電源。

    標(biāo)簽： 性能 減 太陽(yáng)能電池板 尺寸

    上傳時(shí)間： 2013-11-16

    上傳用戶(hù)：KSLYZ

  • 纖巧型同步升壓轉(zhuǎn)換器在700mV條件下啟動(dòng)

    由於性電池容易購(gòu)買(mǎi)而且價(jià)格相對(duì)便宜，因此它為人們帶來(lái)了方便，並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂(lè)設(shè)備的電源選擇。

    標(biāo)簽： 700 mV 同步升壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間： 2014-01-07

    上傳用戶(hù)：xiaoyaa

  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標(biāo)準(zhǔn)

    LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。

    標(biāo)簽： MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶(hù)：我累個(gè)乖乖

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時(shí)至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽： PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時(shí)間： 2013-11-06

    上傳用戶(hù)：xmsmh

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā) 資料

    標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶(hù)：38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽： 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶(hù)：zq70996813

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶(hù)：swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠(chǎng)商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間： 2013-11-19

    上傳用戶(hù)：阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽： DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶(hù)：immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線(xiàn)壓范圍

    透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

    標(biāo)簽： 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶(hù)：jelenecheung

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