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段碼屏驅(qū)(qū)動(dòng)抗干擾

LCD 電子密碼鎖

LCD 電子密碼鎖

標(biāo)簽： LCD

上傳時間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm
GB-T 11386-1989 信息處理 m 未記錄的硬扇段單面或雙面軟磁盤尺寸、物理性能和磁性能

GB-T 11386-1989 信息處理 m 未記錄的硬扇段單面或雙面軟磁盤尺寸、物理性能和磁性能

標(biāo)簽： 11386 GB-T 1989 信息處理

上傳時間： 2013-05-31

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GB-T4677.4-1984 印制板抗剝強度測試方法

GB-T4677.4-1984 印制板抗剝強度測試方法

標(biāo)簽： 4677.4 GB-T 1984 印制板

上傳時間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm
LED段碼數(shù)據(jù)生成器.rar

專輯類----單片機專輯 LED段碼數(shù)據(jù)生成器.rar

標(biāo)簽： LED 數(shù)據(jù) 生成器

上傳時間： 2013-07-03

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HOLTEK-微電腦密碼鎖-11頁-0.4M.rar

專輯類----單片機專輯 HOLTEK-微電腦密碼鎖-11頁-0.4M.rar

標(biāo)簽： HOLTEK 0.4 11

上傳時間： 2013-06-12

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電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引言 4 第1 章電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作第3章抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法第4 章電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理

標(biāo)簽： ESD 電子元器件講義

上傳時間： 2013-07-13

上傳用戶：2404
LCD-電子密碼鎖-4頁-2.2M.pdf

專輯類-實用電子技術(shù)專輯-385冊-3.609G LCD-電子密碼鎖-4頁-2.2M.pdf

標(biāo)簽： LCD 2.2 頁

上傳時間： 2013-07-29

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LED段碼數(shù)據(jù)生成器.exe

專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G LED段碼數(shù)據(jù)生成器.exe

標(biāo)簽： LED exe 數(shù)據(jù) 生成器

上傳時間： 2013-07-10

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在點陣屏上繪圖——基于LCD12864.rar

在點陣屏上繪圖——基于LCD12864，畫點、畫線、畫各種圖形界面的方法

標(biāo)簽： 12864 LCD 點陣屏

上傳時間： 2013-04-24

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永磁無刷直流電機弱磁技術(shù)研究.rar

本文對永磁無刷直流電機恒功率弱磁研究進行了較為全面的從仿真到實驗、從理論到實踐的深入研究,同時對傳統(tǒng)面貼式永磁無刷直流電機和復(fù)合轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的永磁無刷直流電機進行了詳盡地理論分析,系統(tǒng)地提出了關(guān)于復(fù)合轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)永磁無刷直流電機一套較為完善的理論.本文首先從BLDCM的導(dǎo)通規(guī)律和繞組結(jié)構(gòu)入手,真實模擬了傳統(tǒng)面貼式永磁無刷直流電機弱磁調(diào)速的物理過程,并獲得其在恒轉(zhuǎn)矩和恒功率模式下的解析表達式.從而直觀的反映了BLDCM的弱磁機理,獲得了影響其恒功率速度范圍的關(guān)鍵參數(shù).借鑒復(fù)合轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)在永磁同步電機恒功率弱磁中的成功運用,將這種結(jié)構(gòu)引入永磁無刷直流電機中,并完成了兩臺不同磁阻形式和功率、電壓等級的原型樣機的研制.針對原有d、q軸法的局限性,提出了真實模擬永磁無刷直流電機導(dǎo)電方式的場路結(jié)合法實現(xiàn)對永磁無刷直流電機的弱磁分析.在場路結(jié)合法分析的基礎(chǔ)上,提出了磁阻段提高恒功率速度范圍的真實原因,并進一步提出了采用永磁段、磁阻段雙d軸錯角以擴大轉(zhuǎn)速范圍的新思想,并在實踐中驗證了這種雙軸空間錯角技術(shù)的有效性.從而為復(fù)合轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)永磁電機運行性能優(yōu)化提供了新的可供選擇的調(diào)節(jié)手段.

標(biāo)簽： 無刷直流電機技術(shù)研究

上傳時間： 2013-08-02

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