變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現在使用的變頻器主要采用交—直—交方式（VVVF變頻或矢量控制變頻），先把工頻交流電源通過整流器轉換成直流電源，然后再把直流電源轉換成頻率、電壓均可控制的交流電源以供給電動機。變頻器的電路一般由整流、中間直流環節、逆變和控制4個部分組成。整流部分為三相橋式不可控整流器，逆變部分為IGBT三相橋式逆變器，且輸出為PWM波形，中間直流環節為濾波、直流儲能和緩沖無功功率。
上傳時間： 2013-11-20
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TSC系列可控硅動態無功功率補償器采用大功率可控硅組成的無觸點開關,對多級電容器組進 行快速無過渡投切,克服了傳統無功功率補償器因采用機械觸點燒損,對電容沖擊大等缺點。對各 種負荷均能起到良好的補償效果。 TSC-W型補償器采用的三相獨立控制技術解決了三相不平衡沖 擊負荷補償的技術難題,屬國內首創,填補了國內空白。
上傳時間： 2014-12-24
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在大功率弧焊電源設計中，IGBT 已成為主流的可控功率開關器件。IGBT 驅動電路作為功率電路和控制電路之間的接口，應具備驅動延遲小、安全隔離、IGBT 過電流／過電壓保護準確等功能。針對新型高壓大功率IGBT 驅動模塊2ED300C17－S 的過電流檢測及保護功能進行了研究，提出了與過電流保護功能相關的參數選擇原則，并進行了實驗驗證。
上傳時間： 2013-11-05
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半導體激光器是一種高功率密度并具有極高量子效率的器件，微小的電流變化將導致光功率輸出的極大變化和器件參數（如激射波長、噪聲性能、模式跳動）的變化，這些變化直接影響器件的安全工作和應用要求。 本公司設計和生產的半導體激光電源LDD-AAVV-T是連續可調恒流電源，采用了目前國際先進的半導體激光電源方案，選用優質元器件生產。具有輸出噪聲小、恒流特性好、電流穩定、抗干擾能力強等優點，并具有防過沖、反沖和反浪涌的穩壓、恒流雙重保護電路，保證激光器的穩定工作和使用壽命。LDD-AAVV型半導體激光電源采用單片機管理和控制，是一種智能化高精度恒流型開關電源，可作為半導體激光打標機的配套電源。針對激光打標設備的特點，電源還可管理水泵、指示光、振鏡和Q開關幾部分的開關。電源有LCD液晶顯示，能提供電源工作的各個參數及其工作狀態的顯示，具備過壓、過流、水溫和水壓報警功能，實為半導體激光器的理想電源。本電源還可以作為其它高精度恒流源，供設備使用。
上傳時間： 2013-11-10
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廣州致遠電子有限公司近期推出了系列的工業級微功率DC-DC電源模塊，能夠廣泛應用于低頻模擬電路，大功率IGBT驅動,純數字電路,模擬前端隔離電路,RS232/RS485/D422隔離通訊接口，CAN-BUS隔離通訊接口，運算放大器電源和手持便攜儀表等多種場合。其全面性與成熟可靠的設計，可以解決用戶在電源和模擬前端部分設計中所遇到的較多難題，并可以節省開發時間，使用戶的產品更快推出市場.
上傳時間： 2013-10-17
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變壓器是電磁能量轉換器件，根據電磁感應原理制成，主要作用是變換電流電壓阻抗，在電源和負載之間進行直流隔離，以最大限度的傳送電源能量（功率）。
上傳時間： 2013-12-01
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同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標簽： 同步整流
上傳時間： 2013-10-27
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一、變壓器Np、Ns、Lp的計算二、如果要計算氣隙長度Lg三、開關管Vce、Ic的計算（非連續）五.輸出整流二極管Id、Vd的計算Flyback輸出濾波電容設計流過輸出電容C的紋波電流Ic=I2- Io 其中：I2為次級線圈電流 Ic的有效值可由下式計算：Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)* Io^2]^1/2 其中I2p=2io/(1- δmax) 此為輸入電壓最低、輸出功率最大時狀態。
上傳時間： 2013-11-22
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摘要:介紹基于線性電源的高壓放大器的實現,他具有寬范圍的電壓輸出、波形質量好的特點,降低了對器件耐壓的要求,可用于實現壓電陶瓷驅動器、高電壓掃描電源以及高壓功率源等應用。關鍵詞:高壓放大器;線性電源;掃描電源;功率源
上傳時間： 2013-11-14
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當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
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