合成孔徑雷達的實時信號處理系統(tǒng),可以分成相對獨立的幾個階段,即A/D變換和緩存、距離向預處理器、方位向預處理器、距離向壓縮處理、轉(zhuǎn)置存儲器、方位向壓縮處理、逆轉(zhuǎn)置存儲器.合成孔徑雷達預處理的目的,就是緩解高處理數(shù)據(jù)率和低傳輸數(shù)據(jù)率的矛盾,使得在不太影響成像質(zhì)量的前提下,盡量減少傳輸?shù)臄?shù)據(jù)率,有利于后續(xù)處理的硬件實現(xiàn),做到實時處理.論文結(jié)合電子所合成孔徑雷達實時成像處理系統(tǒng),設(shè)計開發(fā)了基于Xilinx Virtex-E FPGA的星載SAR高速預處理板,該信號處理板處理能力強,結(jié)構(gòu)緊湊,運行效率高;其硬件電路的設(shè)計思路和結(jié)構(gòu)形式有很強的通用性和使用價值.論文重點研究了預處理的核心部分—固定系數(shù)FIR濾波器的設(shè)計問題.而固定系數(shù)FIR濾波器的實現(xiàn)問題的重點又是FPGA內(nèi)部的固定系數(shù)FIP濾波器實現(xiàn)問題,針對FPGA內(nèi)部的查找表資源,我們選擇目前流行的分布式算法來實現(xiàn)FIR濾波器的設(shè)計.對比于預處理器中其他濾波器設(shè)計方案,基于FPGA分布式算法的FIR濾波器的設(shè)計,避免了乘累加運算,提高了系統(tǒng)運行的速度并且節(jié)省了大量的FPGA資源.并且由于FPGA可編程的特性,所以可以靈活的改變?yōu)V波器的系數(shù)和階數(shù).所設(shè)計的電路簡單高速,工作正常、可靠,完全滿足了預處理器設(shè)計的技術(shù)要求.隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù),高密度存儲器技術(shù),計算機技術(shù)的發(fā)展,一個全數(shù)字化的機載實時成像處理系統(tǒng)的研制,已經(jīng)不是非常困難的事情了.而在現(xiàn)有條件下,全數(shù)字化的高分辨率星載實時成像處理系統(tǒng)的研制,將是一個非常具有挑戰(zhàn)意義的課題,論文以星載SAR的預處理器設(shè)計為例,拋磚引玉,希望對未來全數(shù)字化星載實時成像處理系統(tǒng)的研制起到一定參考價值.
標簽：
FPGA
SAR
星載
預處理
上傳時間：
2013-07-03
上傳用戶：lanhuaying
常用三星單片機燒寫電壓設(shè)置參考表
燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認燒寫電壓,無須特別設(shè)置. 由于編程器的默認輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時,需要對燒寫轉(zhuǎn)換適配器作以下改動:將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當用戶采用在PCB板上燒寫方式時,建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個104 的電容入地,可有效保護在燒寫電壓加載時板子電路共同作用產(chǎn)生的瞬間過壓脈沖不會輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導體DATA SHEET 要求在對該芯片進行燒寫時,須在Vpp 腳加接一個101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時,須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個101 電容入地即可.不過,據(jù)本人特別測試結(jié)果,其實不做以上處理對燒寫過程沒有任何影響, 估計可能是三星半導體對芯片有做過改版,老版本的84K4 才會有以上特別要求,新版本是沒有這個要求的.
標簽：
三星
單片機
燒寫
電壓設(shè)置
上傳時間：
2013-10-10
上傳用戶：wcl168881111111
