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汽車(chē)配件

  • 基于ARMDSP雙核與ucLinux的玻璃缺陷在線檢測系統

    隨著微電子技術和計算機技術的發展,工業生產過程的自動化和智能化程度越來越高。就玻璃工業生產而言,以前浮法玻璃生產線上所用的質量檢測都是通過利用人眼離線檢驗或專用儀器抽樣檢測,無法滿足實時檢測的要求,并且人眼檢測只能發現較大的玻璃缺陷,所以玻璃質量無法提高。目前國內幾家大型玻璃生產企業都開始采用進口檢測設備,可以對玻璃實現100%在線全檢,自動劃分玻璃等級,并獲得質量統計數據,指導玻璃生產,穩定玻璃質量水平。 但由于價格昂貴,加上國內浮法玻璃生產線現場條件復雜,需要很長時間的配套和適應,而且配件更換困難以及售后服務難以到位等問題,嚴重束縛了國內企業對此類設備的引進,無法提高國內企業在國際市場的競爭能力。 應對此一問題,本文主要研究了基于DSP+ARM的獨立雙核結構的嵌入式視頻缺陷在線檢測系統的可行性,提出了相應的開發目標和性能參數,并在此基礎上主要給出了基于TI公司TMS320C6202B DSP的視頻圖像處理以及缺陷識別的總體方案、硬件設計和相應的底層軟件模塊;同時論述了嵌入式工業控制以及網絡傳輸的實現方案——采用Samsung公司的基于ARM7內核的S3C4510B作為主控芯片,運行uClinux操作系統,設計出整個嵌入式系統的軟件層次模型和數據處理流程,其中編程底層的軟件模塊為上層的應用程序提供硬件操作和流程,從而實現缺陷識別結果的控制與傳輸。同時,本文還對玻璃缺陷的識別原理進行了深入的探討,總結出了圖象處理,圖象分割以及特征點提取等識別步驟。 本系統對于提高玻璃缺陷在線檢測的工藝水平、靈敏度、精度等級;提高產品質量、生產效率和自動化水平,降低投資及運行成本都將有著極其重要的現實意義。

    標簽: ucLinux ARMDSP 雙核 玻璃

    上傳時間: 2013-07-02

    上傳用戶:shenglei_353

  • 常用產品抗擾度標準和測試方法

    主要講述靜電放電、射頻輻射電磁場、電快速瞬變脈 沖群、雷擊浪涌、由射頻場引起的傳導干擾、工頻磁場、 電壓跌落和衰減振蕩波等八項抗擾度試驗,其中前七項試 驗在通用抗擾度標準中已經見到;后一項試驗(衰減振蕩 波抗擾度試驗)則在電力系統設備的抗擾度試驗中經??? 以見到??紤]到國內在引進生產家用電器的企業中經常采 用的高頻噪聲模擬器,本章予以補充介紹。此外,汽車工 業在我國的迅速發展,拉動了與之配套的汽車電子與電器 行業的迅速發展。對后者的質量控制與檢測問題便成為業 內人士所關注的一個熱點。

    標簽: 抗擾度 標準 測試方法

    上傳時間: 2013-05-24

    上傳用戶:fxf126@126.com

  • DDR2SDRAM存儲器接口設計

    內部存儲器負責計算機系統內部數據的中轉、存儲與讀取,作為計算機系統中必不可少的三大件之一,它對計算機系統性能至關重要。內存可以說是CPU處理數據的“大倉庫”,所有經過CPU處理的指令和數據都要經過內存傳遞到電腦其他配件上,因此內存性能的好壞,直接影響到系統的穩定性和運行性能。在當今的電子系統設計中,內存被使用得越來越多,并且對內存的要求越來越高。既要求內存讀寫速度盡可能的快、容量盡可能的大,同時由于競爭的加劇以及利潤率的下降,人們希望在保持、甚至提高系統性能的同時也能降低內存產品的成本。面對這種趨勢,設計和實現大容量高速讀寫的內存顯得尤為重要。因此,近年來內存產品正經歷著從小容量到大容量、從低速到高速的不斷變化,從技術上也就有了從DRAM到SDRAM,再到DDR SDRAM及DDR2 SDRAM等的不斷演進。和普通SDRAM的接口設計相比,DDR2 SDRAM存儲器在獲得大容量和高速率的同時,對存儲器的接口設計也提出了更高的要求,其接口設計復雜度也大幅增加。一方面,由于I/O塊中的資源是有限的,數據多路分解和時鐘轉換邏輯必須在FPGA核心邏輯中實現,設計者可能不得不對接口邏輯進行手工布線以確保臨界時序。而另一方面,不得不處理好與DDR2接口有關的時序問題(包括溫度和電壓補償)。要正確的實現DDR2接口需要非常細致的工作,并在提供設計靈活性的同時確保系統性能和可靠性。 本文對通過Xilinx的Spartan3 FPGA實現DDR2內存接口的設計與實現進行了詳細闡述。通過Xilinx FPGA提供了I/O模塊和邏輯資源,從而使接口設計變得更簡單、更可靠。本設計中對I/O模塊及其他邏輯在RTL代碼中進行了配置、嚴整、執行,并正確連接到FPGA上,經過仔細仿真,然后在硬件中驗證,以確保存儲器接口系統的可靠性。

    標簽: DDR2SDRAM 存儲器 接口設計

    上傳時間: 2013-06-08

    上傳用戶:fairy0212

  • MOS開關管參數手冊

    ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A

    標簽: MOS 開關管 參數

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:13162218709

  • Protel99SE 全部漢化包-SP6-CH

    徹底解決99在以往不能完全漢化的問題,全面實現漢化,具體到每個對話框和工作表,對初學者和英文不好的用戶非常實用,也非常簡單! 用過的,麻煩頂一下我,或加一點分,謝謝啦!

    標簽: Protel 99 CH SE

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:1079836864

  • 電腦開關電源的做工漫談

    前言: 電源作為消費性產品,漂亮的外包裝固然需要,但電源的核心作用在于提供穩定純凈的電力,內在的質量才是更應該關注的焦點。劣質電源不僅直接影響了電腦的正常的使用,對主板、顯卡等其它配件造成損害,而且這種電源所產生的電磁輻射,對人身健康也構成了潛在的威脅。

    標簽: 電腦開關電源

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:jixingjie

  • 同步整流技術簡單介紹

    同步整流技術簡單介紹大家都知道,對于開關電源,在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向導電特性),它可以理解為一種被動式器件:只要有足夠的正向電壓它就開通,而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高,快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個例子:如有一個管子壓降為0.7V,其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時,損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%??梢姶祟惼骷诘蛪捍箅娏鞯墓ぷ鳝h境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低,損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達24A)的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現,為廣大用戶提供更高轉換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標準)的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過,這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中,一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積,故小電流時,其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過灌溉農田來理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點點被太陽曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗,其技術的進步已不僅僅是一個量的變化,而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說,我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

    標簽: 同步整流

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:杏簾在望

  • 基于AT89S52單片機控制檢測系統設計

    目前,以單片機為核心的應用技術越來越廣,本文是針對機車車頂高壓設備配件是否接地。設計了電壓信號采集系統裝置,達到可以實時、動態的診斷出處于運行狀態中的機車車頂絕緣故障,并及時提示與報警,消除機車安全隱患,減少故障率。

    標簽: 89S S52 AT 89

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:13033095779

  • 自己做的單片機Proteus仿真實例

    自己在學校的時候做的一些單片機仿真實例和一些資料,希望對大家有些幫助

    標簽: Proteus 單片機 仿真實例

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:oojj

  • PLH-312型單片機開發板簡介

    整個單片機開發板系統由主板、配套軟件光盤(內含專用開發、仿真、在系統下載軟件、實驗指導書等)及實驗配件組成。

    標簽: PLH 312 單片機開發板

    上傳時間: 2013-11-25

    上傳用戶:1234xhb

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