為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理圖設計和版圖設計，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設計，并在一款多功能數字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項目晶圓）計劃流片，流片測試結果表明，在輸出負載很大時，本設計能提供足夠的驅動電流，同時延遲時間短、并占用版圖面積小。
上傳時間： 2013-10-09
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在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關注其噪聲外，目前數字化也是它的一個重要的研究和設計方向，設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0.5 ?滋m標準CMOS工藝進行了流片。最后，通過在PCB測試版上用本文設計的ADC實現了模擬輸出的低噪聲CMOS圖像傳感器的模數轉換，并基于自主開發的成像測試系統進行了成像驗證，結果表明，成像畫面清晰，該ADC可作為低噪聲CMOS圖像傳感器的芯片級模數轉換器應用。
上傳時間： 2013-11-19
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計數時鐘芯片代碼，實現實時計時，代碼可綜合，仿真通過，已成功流片，并通過最后的測試。
上傳時間： 2013-12-14
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華大機頂盒源碼，包括所有源代碼，還有詳細的說明文檔，不可多得實際工程，現已流片生產
上傳時間： 2016-05-05
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這是一個MIPS架構的開發的CPU軟核OR2000，比OR1200更高的版本，里面還有SOC程序，多次MPW流片成功
上傳時間： 2014-01-20
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ZGL7289全套中文資料+實例 ZLG7289B是廣州周立功單片機發展有限公司自行設計的，具有SPI串行接口功能的可同時驅動8位共陰式數碼管(或64只獨立LED)的智能顯示驅動芯片，該芯片同時還可連接多達64鍵的鍵盤矩陣，單片即可完成LED顯示﹑鍵盤接口的全部功能，該芯片經過了多年的驗證，現正式轉化為ASIC芯片，一次性流片成功，讓您使用無憂！。ZLG7289B內部含有譯碼器，可直接接受BCD碼或16進制碼，并同時具有2種譯碼方式，此外，還具有多種控制指令，如消隱﹑閃爍﹑左移﹑右移﹑段尋址等。ZLG7289B具有片選信號，可方便地實現多于8位的顯示或多于64鍵的鍵盤接口。
上傳時間： 2017-08-31
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本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法，并通過和國內某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論，然后結合代工線的特點，進行了600V平面柵FS結構IGBT的工藝流程、元胞結構與終端結構設計，最后完成版圖設計并進行工藝流片。所設計的器件工藝流程為：先進行器件背面的FS層制作，然后進行正面結構（包括元胞和終端）的制作，最后再進行背面的P+區注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學參數的測試和分析。測試結果為：耐壓大于700V、正向導通壓降低于1.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設計要求。/本論文的研究成果對于促進我國FS結構IGBT的研究和產業化具有很好的參考價值，通過進一步改進工藝及結構，提高產品良率，最終可以形成有競爭力的產品。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
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該源代碼運行于89c51系列單片機上,可從輸入FLEX二進制碼流中解交織,處理CRC糾錯,并最終解碼出有效ASCII碼數據.
上傳時間： 2015-06-27
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電源供應器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運算結果透過SPI介面回傳另一顆單片機
上傳時間： 2017-03-19
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