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流片

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫(kù)（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能數(shù)字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項(xiàng)目晶圓）計(jì)劃流片，流片測(cè)試結(jié)果表明，在輸出負(fù)載很大時(shí)，本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。

標(biāo)簽： CMOS 工藝多功能數(shù)字芯片

上傳時(shí)間： 2013-10-09

上傳用戶(hù)：小鵬
用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

　　在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0.5 ?滋m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行了流片。最后，通過(guò)在PCB測(cè)試版上用本文設(shè)計(jì)的ADC實(shí)現(xiàn)了模擬輸出的低噪聲CMOS圖像傳感器的模數(shù)轉(zhuǎn)換，并基于自主開(kāi)發(fā)的成像測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行了成像驗(yàn)證，結(jié)果表明，成像畫(huà)面清晰，該ADC可作為低噪聲CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)模數(shù)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

標(biāo)簽： CMOS ADC 低噪聲圖像傳感器

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶(hù)：xz85592677
計(jì)數(shù)時(shí)鐘芯片代碼

計(jì)數(shù)時(shí)鐘芯片代碼，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)計(jì)時(shí)，代碼可綜合，仿真通過(guò)，已成功流片，并通過(guò)最后的測(cè)試。

標(biāo)簽： 時(shí)鐘芯片代碼

上傳時(shí)間： 2013-12-14

上傳用戶(hù)：225588
華大機(jī)頂盒源碼

華大機(jī)頂盒源碼，包括所有源代碼，還有詳細(xì)的說(shuō)明文檔，不可多得實(shí)際工程，現(xiàn)已流片生產(chǎn)

標(biāo)簽： 機(jī)頂盒源碼

上傳時(shí)間： 2016-05-05

上傳用戶(hù)：zhangliming420
這是一個(gè)MIPS架構(gòu)的開(kāi)發(fā)的CPU軟核OR2000

這是一個(gè)MIPS架構(gòu)的開(kāi)發(fā)的CPU軟核OR2000，比OR1200更高的版本，里面還有SOC程序，多次MPW流片成功

標(biāo)簽： MIPS 2000 CPU OR

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶(hù)：kr770906
ZGL7289全套中文資料+實(shí)例 ZLG7289B是廣州周立功單片機(jī)發(fā)展有限公司自行設(shè)計(jì)的

ZGL7289全套中文資料+實(shí)例 ZLG7289B是廣州周立功單片機(jī)發(fā)展有限公司自行設(shè)計(jì)的，具有SPI串行接口功能的可同時(shí)驅(qū)動(dòng)8位共陰式數(shù)碼管(或64只獨(dú)立LED)的智能顯示驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片同時(shí)還可連接多達(dá)64鍵的鍵盤(pán)矩陣，單片即可完成LED顯示﹑鍵盤(pán)接口的全部功能，該芯片經(jīng)過(guò)了多年的驗(yàn)證，現(xiàn)正式轉(zhuǎn)化為ASIC芯片，一次性流片成功，讓您使用無(wú)憂！。ZLG7289B內(nèi)部含有譯碼器，可直接接受BCD碼或16進(jìn)制碼，并同時(shí)具有2種譯碼方式，此外，還具有多種控制指令，如消隱﹑閃爍﹑左移﹑右移﹑段尋址等。ZLG7289B具有片選信號(hào)，可方便地實(shí)現(xiàn)多于8位的顯示或多于64鍵的鍵盤(pán)接口。

標(biāo)簽： 7289 7289B ZGL ZLG

上傳時(shí)間： 2017-08-31

上傳用戶(hù)：wweqas
600VFS結(jié)構(gòu)IGBT的設(shè)計(jì)

本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過(guò)和國(guó)內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測(cè)試。600V面FS-IGBT的研制工作展開(kāi)論述。1、首先對(duì)IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點(diǎn)，進(jìn)行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為：先進(jìn)行器件背面的FS層制作，然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進(jìn)行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對(duì)流片獲得的600V FS-IGBT器件進(jìn)行了主要電學(xué)參數(shù)的測(cè)試和分析。測(cè)試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計(jì)要求。/本論文的研究成果對(duì)于促進(jìn)我國(guó)FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價(jià)值，通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

標(biāo)簽： igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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射頻功率放大器集成電路研究

射頻功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無(wú)線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見(jiàn)工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無(wú)線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過(guò)各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行了詳盡的分析。

標(biāo)簽： 射頻功率放大器集成電路

上傳時(shí)間： 2022-06-20

上傳用戶(hù)：shjgzh
該源代碼運(yùn)行于89c51系列單片機(jī)上,可從輸入FLEX二進(jìn)制碼流中解交織,處理CRC糾錯(cuò),并最終解碼出有效ASCII碼數(shù)據(jù).

該源代碼運(yùn)行于89c51系列單片機(jī)上,可從輸入FLEX二進(jìn)制碼流中解交織,處理CRC糾錯(cuò),并最終解碼出有效ASCII碼數(shù)據(jù).

標(biāo)簽： 89c51 ASCII FLEX CRC

上傳時(shí)間： 2015-06-27

上傳用戶(hù)：comua
電源供應(yīng)器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運(yùn)算結(jié)果透過(guò)SPI介面回傳另一顆單片機(jī)

電源供應(yīng)器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運(yùn)算結(jié)果透過(guò)SPI介面回傳另一顆單片機(jī)

標(biāo)簽： analog PID SPI 控制

上傳時(shí)間： 2017-03-19

上傳用戶(hù)：duoshen1989