?? 浪高技術(shù)資料

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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。...

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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設(shè)計了一種高電源抑制比,同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓,通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓,以提供給...

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