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深度學(xué)(xué)習(xí)(xí)

  • x電容和y電容介紹

    X電容是指跨于L-N之間的電容器, Y電容是指跨于L-G/N-G之間的電容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).

    標(biāo)簽: 電容

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:haohao

  • Allegro15.X培訓(xùn)教材

    Allegro15[1].X培訓(xùn)教材

    標(biāo)簽: Allegro 15 培訓(xùn)教材

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:bpgfl

  • X電容和Y電容

    X電容和Y電容的使用及注意方法

    標(biāo)簽: X電容 Y電容

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:sevenbestfei

  • 介紹X,Y電容的通俗易懂的資料

    介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料

    標(biāo)簽: 電容

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:teddysha

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大,系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家,各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

  • X波段雙頻高功率返波振蕩器的數(shù)值研究

    提出了采用兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙頻高功率微波輸出的相對論返波振蕩器, 推導(dǎo)了該結(jié)構(gòu)的TM0n模式色散方程,數(shù)值求解了兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)TM0n模色散曲線,分析了該器件X波段雙頻高功率微波輸出的產(chǎn)生機(jī)理, 分析中考慮了電子注在慢波結(jié)構(gòu)第二段工作效率不變和下降時的雙頻工作點(diǎn)情況,并運(yùn)用2.5 維全電磁粒子模擬程序驗(yàn)證了雙頻微波信號的可靠性。關(guān)鍵詞高功率微波;雙頻;X 波段;相對論返波振蕩器 當(dāng)前, 應(yīng)用于高功率微波效應(yīng)的微波器件只有一個主頻率,已有的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在現(xiàn)有條件下,單頻高功率微波用于攻擊敵方的電子系統(tǒng)所需的功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單只高功率微波源所能產(chǎn)生的功率,即破壞閾值很高[1]。但是,如果用兩個或多個頻率相近的高功率微波波束產(chǎn)生拍頻后用于攻擊電子系統(tǒng),那么所需的功率密度將大大減小,即效應(yīng)閾值大大下降, 采用這種方式將有可能在現(xiàn)有的技術(shù)下使高功率微波實(shí)用化[2],但是雙頻及多頻高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的課題,處于剛起步階段,在國內(nèi)外極少有報道[2~4],因而,用單個微波源器件產(chǎn)生穩(wěn)定輸出的雙頻甚至多頻高功率微波具有重要的實(shí)際應(yīng)用價值和學(xué)術(shù)價值,是高功率微波領(lǐng)域又一個新興的研究方向, 在高功率微波武器和新體制雷達(dá)等方面將有良好的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: X波段 雙頻 高功率 返波振蕩

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:kxyw404582151

  • 深度睡眠模式操作技術(shù)筆記

    LM3S系列單片機(jī)主要有3種工作模式:運(yùn)行模式(Run-Mode)、睡眠模式(Sleep-Mode)、深度睡眠模式(Deep-Sleep-Mode)。某些型號還具有單獨(dú)的極為省電的冬眠模塊(Hibernation Module)。而對各個模式下的外設(shè)時鐘選通以及系統(tǒng)時鐘源的控制主要由表 2.1中的寄存器來完成。 運(yùn)行模式是正常的工作模式,處理器內(nèi)核將積極地執(zhí)行代碼。在睡眠模式下,系統(tǒng)時鐘不變,但處理器內(nèi)核不再執(zhí)行代碼(內(nèi)核因不需要時鐘而省電)。在深度睡眠模式下,系統(tǒng)時鐘可變,處理器內(nèi)核同樣也不再執(zhí)行代碼。深度睡眠模式比睡眠模式更為省電。有關(guān)這3種工作模式的具體區(qū)別請參見表 2.2的描述。調(diào)用函數(shù)SysCtlSleep( )可使處理器立即進(jìn)入睡眠模式,而調(diào)用函數(shù)SysCtlDeepSleep( )可使處理器立即進(jìn)入深度睡眠模式。任一中斷都可以將處理器從睡眠或深度睡眠模式喚醒,并使處理器恢復(fù)到睡眠前的運(yùn)行狀態(tài)。因此在進(jìn)入睡眠或深度睡眠之前,必須配置某個片內(nèi)外設(shè)的中斷并允許其在睡眠或深度睡眠模式下繼續(xù)工作,如果不這樣,則只有復(fù)位或重新上電才能結(jié)束睡眠或深度睡眠狀態(tài)。

    標(biāo)簽: 深度睡眠 模式 操作

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:ArmKing88

  • LM3S系列單片機(jī)睡眠與深度睡眠應(yīng)用筆記

    LM3S系列單片機(jī)睡眠與深度睡眠應(yīng)用筆記 介紹 LM3S 系列單片機(jī)如何進(jìn)入休眠或深度休眠模式,以及休眠后如何喚醒。

    標(biāo)簽: LM3S 單片機(jī)睡眠 深度睡眠 應(yīng)用筆記

    上傳時間: 2014-01-01

    上傳用戶:李夢晗

  • LM3S系列單片機(jī)休眠與深度休眠應(yīng)用筆記

    介紹 LM3S 系列單片機(jī)如何進(jìn)入休眠或深度休眠模式,以及休眠后如何喚醒。

    標(biāo)簽: LM3S 休眠 單片機(jī) 應(yīng)用筆記

    上傳時間: 2014-05-07

    上傳用戶:wbwyl

  • 高通系列處理器深度分析

    高通系列處理器深度分析

    標(biāo)簽: 高通 列處理器

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:copu

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